GB/T 30001.2-2013 信息技术 基于射频的移动支付 第2部分：卡技术要求 GB/T30001.2-2013 标准压缩包解压密码：www.bzxz.net

ICS 35.240.15
中华人民共和国国家标准
GB/T30001.2—2013
信息技术
基于射频的移动支付
第2部分：卡技术要求
Information technology--Mobile payment based on radio frequency-Part 2:Card technical requirements2013-10-10发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
2014-05-01实施
GB/T30001.2—2013
1范围
2规范性引用文件
3术语和定义
4符号和缩略语
5RFMPC的结构
6CLF和SE分离的RFMPC技术要求
7CLF和SE集成于一体的RFMPC技术要求附录A（规范性附录）单线协议接口附录B（规范性附录）实时透传单线接口次
GB/T30001《信息技术基于射频的移动支付》分为五个部分：第1部分：射频接口；
一第2部分：卡技术要求；
第3部分：设备技术要求；
第4部分：卡应用管理和安全；
一第5部分：射频接口测试方法。本部分为GB/T30001的第2部分。本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本部分由全国信息技术标准化技术委员会（SAC/TC28)提出并归口。GB/T30001.2—2013
本部分起草单位：中国电子技术标准化研究院、中国银联股份有限公司、上海复旦微电子集团股份有限公司、北京握奇数据系统有限公司、北京同方微电子有限公司、武汉天喻信息产业股份有限公司、中国移动通信集团公司、中国电信集团公司、中国联合网络通信集团有限公司、普天信息技术研究院。本部分主要起草人：柴洪峰、赵波、耿力、李蔚、徐燕军、谭颖、金倩、冯敬、高林、严光文、丁义民、刘文莉、董逢华。
GB/T30001.2—2013
本文件的发布机构提请注意，声明符合本文件时，可能涉及到第6章以及附录B中与实时透传单线接口相关的专利的使用。
本文件的发布机构对于该专利的真实性、有效性和验证资料不提出任何看法，无任何立场。该专利持有人已向本文件的发布机构保证，他愿意同任何申请人在合理且无歧视的条款和条件下，就专利授权许可进行谈判。该专利持有人的声明已在本文件的发布机构备案。相关信息可以通过以下联系方式获得：
专利：CN102064856A数据传输方法与装置CN102035576A数据传输的方法
专利持有人姓名：上海复旦微电子集团股份有限公司地址：200433，上海市国泰路127号复旦科技园4号楼联系人：李蔚
电话：021-65655050
网址：fmsh..com.cn
请注意除上述专利外，本文件的某些内容仍可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
KacadiaikAca
1范围
信息技术基于射频的移动支付
第2部分：卡技术要求
GB/T30001.2—2013
GB/T30001的本部分规定了RFMPC技术要求，包括RFMPC的结构和接口方式等。本部分适用于RFMPC的设计、生产和检验。2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T74212008信息技术系统间远程通信和信息交换高级数据链路控制（HDLC）规程(ISO/IEC13239:2002,IDT)
GB/T16649.3-2006识别卡带触点的集成电路卡第3部分：电信号和传输协议（ISO/IEC7816-3:1997,IDT)
GB/T30001.1信息技术基于射频的移动支付第1部分：射频接口3术语和定义
GB/T30001.1界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1
基于射频的移动支付终端RF-basedmobilepaymentterminal能够支持RFMPC功能的移动通信终端设备，可通过射频接口与RFMPD进行通信，实现非接触支付功能。
4符号和缩略语
4.1符号
下列符号适用于本文件。
fe：工作场的频率（载波频率）。fa：单线接口信号载波频率。
4.2缩略语
下列缩略语适用于本文件。
ACT：激活协议（ActivationProtocol)CLF：非接触前端（(ContactlessFrontend)CLT：非接触通道（ContactlessTunnelling）MicroSD：微型安全数字存储卡（MicroSecureDigitalMemoryCard）1
GB/T30001.2—2013
OOK：开关键控（On/OffKeying）RFMPC，基于射频的移动支付卡（RF-basedMobilePaymentCard)RFMPD：基于射频的移动支付设备（RF-basedMobilePaymentDevice)RFMPT：基于射频的移动支付终端（RF-basedMobilePaymentTerminal)SE：安全单元（SecurityElement)SHDLC.简单高级数据链路协议（SimplifiedHighLevelDataLinkControl）SWP：单线协议（SingleWireProtocal)SWIO：单线输人输出（SingleWireInputOutput）TCM：终端控制模块（TerminalControlModule)UICC：通用集成电路卡（Universal IntegratedCircuitCard）5RFMPC的结构
本部分定义了两种RFMPC结构：
a）CLF和SE分离的RFMPC结构，即CLF和SE分别位于不同的载体上，如图1所示；b）CLF和SE集成于一体的RFMPC结构，即CLF和SE位于同一载体上，如图2所示。SLF
图1CLF和SE分离的RFMPC结构示意图CLF+SE
图2CLF和SE集成于一体的RFMPC结构示意图6CLF和SE分离的RFMPC技术要求
6.1概述
基于CLF和SE分离结构的RFMPC构成的移动支付系统如图3所示。在该系统中，RFMPC由SE,CLF以及射频天线构成，作为一个逻辑整体，通过GB/T30001.1定义的射频接口与RFMPD进行非接触通信。其中，CLF与SE在物理上相互分离，通过CLF-SE接口连接：SE与TCM通过SE的载体原先已有的标准接口连接，本部分不再定义，但支持基于射频的移动支付功能的SE应保持TCM-SE接口的兼容性；CLF与TCM之间的接口可由生产企业自行定义。2
iiKacaoiaiKAca
非接触
读写电路
非接触
TCM-CLF接口
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TCM-SE接口
CLF-SE接口
图3基于CLF和SE分离结构的RFMPC构成的移动支付系统6.2CLE-SE接口
CLF-SE接口用于连接CLF和SE，如图4所示，SO为RFMPD发送至RFMPT的信号，S3为RFMPT回复的信号，SO和S3应符合GB/T30001.1的要求。CLF和SE之间通过SWIO单线连接，S1为CLF发送至SE的信号，S2为SE回复至CLF的信号。CLF-SE接口包括单线协议接口和实时透传单线接口，其中单线协议接口见附录A，实时透传单线接口见附录B，两种接口在物理层保持兼容，可以共存于同一个RFMPT上。SE应至少支持其中一种CLF-SE接口。
TCM-SE
单线接口
图4CLF-SE接口示意图
6.3CLF和SE分离结构中的SE载体类型S1
CLF和SE分离结构中的SE载体可有多种类型，例如UICC、MicroSD卡等。当使用UICC作为SE载体时，应至少包括C1、C2、C3、C4、C5、C6C7、C8共8个引脚，如图5所示，其中C6引脚用于连接SE与CLF，传输6.2中规定的单线协议接口信号或实时透传单线接口信号；C4.C8引脚暂不做定义，其余5个引脚应符合GB/T16649.3—2006的规定。3
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VCCCDC5GND
RSTCC2
CLKCC3
C6SWIO
图5UICC作为CLF和SE分离结构中的SE载体当采用MicroSD卡作为SE载体时，可在MicroSD卡中扩充2个引脚，用于支持非接触式应用分别是非接触电源引脚SEVCC和单线引脚SWIO，如图6所示。MicroSD卡作为SE载体的引脚定义见表1。
图6MicroSD卡作为CLF和SE分离结构中的SE载体表1Micro SD卡作为SE载体的引脚定义引脚
CD/DAT3
P为电源，G为接地，I/O为输人/输出。CLF和SE集成于一体的RFMPC技术要求7
7.1概述
数据线[第2位］
卡片侦/数据线[第3位］
指令/响应
供电电压
数据线[第0位］
数据线[第1位]
单线输人输出信号线
来自于CLF的供电电压
基于CLF和SE集成于一体结构的RFMPC构成的移动支付系统如图7所示。在该系统中，RFMPC由集成于一体的CLF与SE构成，并带有相匹配的射频天线。该RFMPC具有接触式和非接触式两个接口。其中，集成于一体的CLF与SE和TCM通过符合GB/T16649.3一2006的接触式接4
iKacaOiaiKAca
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口相连接；集成于一体的CLF与SE以及相匹配的射频天线与RFMPT相结合通过符合GB/T30001.1的射频接口与RFMPD进行非接触通信。RFMPC
非接触
读写电路
非接触式
CLF+SE
接触式
图7基于CLF和SE集成于一体结构的RFMPC构成的移动支付系统7.2CLF和SE集成于一体结构中的SE载体类型在CLF和SE集成于一体结构中的SE载体可有多种类型，例如双界面UICC等。当采用双界面UICC作为SE载体时，应至少包括C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8共8个引脚，如图8所示。其中，C1、C2、C3、C4C5引脚应符合GB/T16649.3—2006的规定，用作UICC的接触式界面接口；C6引脚暂不做规定；如果天线需要单独引出时，可使用C4、C8引脚或扩展引脚用作非接触天线接口。
图8UICC作为CLF和SE集成于一体结构中的SE载体GB/T30001.2—2013bzxZ.net
A.1单线协议
附录A
（规范性附录）
单线协议接口
单线协议是CLF和SE之间通过一条信号线通讯的接口协议，用于连接CLF和SE实现非接触卡片模拟功能。
在一个共地的系统中，为了支持不同的电源模式，CLF和SE之间除了单条信号线外，还有一条电源线。
A.2单线协议接口原理
单线协议接口原理如图A.1所示，CLF是主器件，SE是从器件。自CLF至SE的SI信号用电压表示，自SE至CLF的S2信号用电流表示，S2信号仅在S1信号处于高电平期间有效。swIO
（主器件）
（从器件）
图A1单线协议接口原理图
A.3物理特性
A.3.1SE载体工作温度范围
SE载体工作温度范围应符合未增加单线协议接口的SE产品所遵循的规范要求。A.3.2触点
SE载体在保持原产品触点兼容的基础上，增加单线接口SWIO引脚触点和电源接口SEVCC引脚触点。根据SE载体不同及对低功耗工作模式的要求，SEVCC引脚可与原SE载体接口的电源引脚共用或单独新增。
A.3.3SWIO激活和退活
SEVCC未上电，RFMPT应保持SWIO处于非激活状态（S1信号保持低电平）。SEVCC上电后，终端设置SWIO引脚由低电平跳变到高电平，激活SWIO。SWIO退出激活状态见A.5.3。
A.4电气特性
A.4.1工作条件
S1信号的电平见图A.2。
iKacadiaiKAca
VaHimat
CLF(主)
输出电压
输入电压
Vimnin
图A.2S1信号电平定义
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V和V表示SE的输入高低电平，VoH和VoL表示CLF的输出高低电平。所有信号以地Gnd）为参考电平。
单线协议接口的S2信号用电流表示，传输SE返回给CLF的数据。S2信号在S1信号处于高电平状态下有效，其电流定义如图A.3所示。输入电流
图A.3S2信号电流定义
A4.2SEVCC供电电压
SE载体的SEVCC供电电压应符合未增加单线协议接口的SE产品所遵循的规范要求。A.4.3低功耗模式SEVCC供电电压在系统处于低功耗工作模式时，SEVCC供电电压定义如表A.1所示。表A.1SEYCC在低功耗模式下的电气特性符号
低功耗模式
低功耗模式
最小值
最大值
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A.4.4S1信号
S1信号电气特性见表A.2和表A.3表A.2单线引脚S1信号在3（1土10%）V电源下的电气特性符号
输出高电平
输出低电平
输人高电平
输人低电平
TLmm和Immm定义见A.4.5.
ImKumx
-20μA20μA
最小值
在动态工作时，充许SWIO过冲电压范围为-0.3V至VoHm+0.3V。最大值
表A.3单线引脚S1信号在1.8（1±10%）V电源下的电气特性符号
输出高电平
输出低电平
输入高电平
输入低电平
Im和I定义见A.4.5
ImIHma
20A20μA
IuminHm
IuminKIHma
最小值
0.85×Vcc
在动态工作时，允许SWIO过冲电压范围为一0.3V至VoHm十0.3V。A.4.5S2信号
S2信号电气特性见表A.4。
表A.4单线引脚S2信号电气特性
高电流值
低电流值
A.5物理传输层
A.5.1S1信号位编码和采样时间
S1信号位编码见图A.4。
VtHmVHmnS1Vmmx
iKacaOiaiKAca
最小值
最大值
0.15×Vcc
最大值
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