DB11/T 1144-2014
基本信息
标准号： DB11/T 1144-2014
中文名称：盆栽春石斛兰栽培技术规程
标准类别：地方标准(DB)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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标准简介
DB11/T 1144-2014 盆栽春石斛兰栽培技术规程
DB11/T1144-2014
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标准内容
ICS65.020.20
备案号：44485-2015
北京市
DB11/T1144——2014
盆栽春石兰栽培技术规程
Technical regulation of cultivation for potted nobile style dendrobium2014-12-17发布
北京市质量技术监督局
2015-04-01实施
术语和定义
缩略语
组培苗生产
温室准备
基质准备
水质要求
种植容器
生根苗移栽，
栽培管理bZxz.net
花期调控
12病虫害防治.
附录A（资料性附录）
附录B（资料性附录）
附录C（资料性附录）
MS培养基母液及培养基配制参数一览表春石斛兰栽培设施处理常用方法及常用药剂一览表春石斛兰主要病虫害及防治方法一览表DB11/T11442014
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准由北京市园林绿化局提出并归口。本标准由北京市园林绿化局组织实施。本标准起草单位：北京温榆河花卉有限公司、北京市大东流苗圃。DB11/T1144—2014
本标准主要起草人：律江、司瑞新、李振鹏、李振坚、刘克林、姜青樟、王瑛、黄庆祝、邢立霞、薛敦孟、方志军。
1范围
盆栽春石斛兰栽培技术规程
DB11/T 1144——2014
本标准规定了盆栽春石斛兰繁殖栽培养护的全过程，包括组培苗生产、温室准备、基质准备、水质要求、种植容器、生根苗移栽、栽培管理、花期调控、病虫害防治等栽培养护环节。本标准适用于盆栽春石斛兰组培苗的温室栽培管理。术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。2.1
假鳞茎pseudobulb
种变态茎，粗短而肥厚，有节，叶生于节上。2.2
鳞芽bulbil
从假鳞茎基部萌生出的叶芽。
花芽flowerbud
在假鳞茎节处与叶片相对的部位萌发的绿豆状凸起，通常每芽可分化为2～4朵花。2.4
高位芽high-budseeding
在假鳞茎节上萌生出的新个体。2.5
止叶terminalleaf
生长在假鳞茎顶部，其叶鞘包围的是一个圆锥状节，节上偶见急剧缩小的叶形片状体。2.6
缺刻notch
春石斛兰叶片尖部的三角状缺痕。缩略语
下列缩略语适用于本文件。
DB11/T1144—2014
6-BA：6芋基腺嘌呤（6-benzyladenine）NAA：乙酸（1-naphthaleneaceticacid）TWEEN-20：吐温20（polysorbate20）4组培苗生产
4.1培养基
宜选用MS为基本培养基：常用生长调节剂为6-BA、NAA。培养基配制参数参见附录A。4.2外植体选择及处理
选择品种纯正、生长健康的植株，切取幼嫩的鳞芽或高位芽，清洗消毒后，进行表面灭菌，然后切取5mm茎尖进行接种培养。
4.3培养条件
光照强度20001x～40001x，光照时间12h/d，培养温度25℃土2℃。4.4原球茎诱导
诱导培养基宜为MS+6BA2.0mg/L+NAA0.5mg/L+蔗糖3%+琼脂0.7%，pH值为5.2~5.4，培养25d~30d。4.5继代培养
继代培养基宜为MS+6BA1.0mg/L+NAA0.5mg/L+煎糖3%+椰乳150g/L+琼脂0.7%，pH值为5.2~5.4，培养40d～50d后分化出小苗。如果需要进一步扩繁，可将原球茎切成小块进行多次转接。4.6生根苗培养
生根培养基宜为1/2MS+NAA0.1mg/L+香蕉泥100g/L+活性炭0.1%+蔗糖2%+琼脂0.7%，pH值为5.2~5.4。将株高大于5cm的小苗转接到生根培养基上。4.7出苗
当根系大于等于3条，株高8cm左右时，即可将生根苗运送到温室进行过渡栽培。5温室准备
5.1基本要求
栽培温室应具备调控温度、湿度、光照等环境因子的设备设施。5.2温室处理
种植前清理温室内部及周边杂物、杂草。种植前一周采用高效低毒杀虫剂，喷洒地面、苗床、排水沟等，喷至表面布满水滴为宜。种植前2d～3d采用广谱性杀菌烟剂，密闭熏蒸12h～24h，期间人员不得进入。熏蒸后充分通风6h～12h。处理药剂及使用方法参见附录B。6基质准备
6.1基质种类
应选择透气性好的栽培基质，常选择水苔栽培，也可选择树皮、椰糠等栽培。6.2水苔处理
DB11/T1144—2014
清水浸泡水苔4h～6h，排掉多余水分后捞出水苔放入甩干机，脱水至排水口水流呈滴状流出为宜。将水苔取出放至操作台上备用。7水质要求
栽培水质pH值为6.5～7.0，EC值小于0.15ms/cm。不达标水质使用前需进行脱盐、酸化处理，8种植容器
根据种苗的不同生长阶段，可以选择72目穴盘和口径8cm×深8cm的白色塑料营养钵（又称2.5寸盆种植。通常2.5寸盆需要配合15孔植架一同使用。9生根苗移栽
9.1炼苗
组培生根苗从培养间运送到温室后，需要进行闭盖2d～3d，开盖12h～24h的炼苗过程。开盖时间宜选择在16：00以后进行。炼苗期间最适夜温16℃～18℃，最适日温20℃～24℃。相对湿度60%～80%为宜。光照强度控制在20001x～50001x之间为宜。9.2洗苗
准备好洗苗用的水盆、盛苗盘、杀菌剂等。轻磕培养瓶底部使培养基松动，然后将瓶苗倒入盛有清水的盆中，洗净根系及植株上残留的培养基。将种苗根据大小分别摆放在不同的盛苗盘中。无根苗、黄弱苗、变异苗应舍弃，9.3种苗处理
般可使用70%的甲基托布津1%o浓度液或75%的百菌清1%浓度液，浸泡10min～15min。通常在处理之后还应将组培苗放置在阴凉通风处晾苗1h～2h，使根系表面略微发白后进行移栽。9.4移栽
在根系外围均匀包裹水苔，将种苗种植在72目穴盘中。种植宜浅不宜深，以水苔包裹于根茎交界处为宜。
10栽培管理
10.1上盆
通常生根苗移栽4～5个月后上盆定植。将种苗从穴盘中拔出，剪去基部丛生矮小的假鳞茎，保留1~2个生长一致的健壮植株进行上盆3
DB11/T 1144—2014
在已经抱团的根系外围均匀包裹一层水苔后种入2.5寸盆中，保持水苔上表面与营养钵下环线相平。种植时水苔宜紧不宜松。
10.2摆放
种苗摆放在15孔植架中。根据种苗大小分别摆放，以植株叶片轻度相错为宜。摆放时应保持所有植株叶片朝向一致。
10.3留芽
通常10月中旬鳞芽萌发，当假鳞茎生长至4cm～5cm时进行留芽处理。选择基部粗壮、节间较短的壮芽留下，每盆保留1～2个为宜。10.4支撑
当假鳞茎高度达到25cm30cm时进行支撑，根据不同品种分别选取长度40cm～50cm左右的包塑铁丝对春石斛兰进行支撑。将铁丝插在叶片缺刻的背侧，一直深入营养钵底部，然后用2～3根绑绳将其固定在铁丝上。绑绳应捆绑的松一些，通常绑环大小控制在茎粗的2～3倍左右。10.5环境控制
春石斛兰生长温度8℃～32℃，最适夜温16℃～18℃，最适日温26℃～28℃。穴盘苗初期光照20001x50001x，后期逐渐提高到50001x100001x；2.5寸盆苗期光照100001x～150001x。生长期相对湿度保持在60%～80%为宜。
10.6肥水控制
通常穴盘苗每隔10d15d施肥一次，交替施用氮磷钟比例为30：10：10和20：20：20的复合肥1500~2000倍液，EC值在0.8ms/cm～1.0ms/cm之间。2.5寸苗期每3～4个月在花盆中撒施氮磷钾比例为1414：14缓释肥0.5g～1g。一般采用喷淋设施浇水，可以避免2.5寸盆养护期间水管浇水对肥粒的冲击11花期调控
11.1植株准备
11.1.1催花株苗龄
当年移栽的春石斛兰组培苗不能进行催花处理，只有经过次年栽培之后的植株才能进行催花处理。催花处理以上年秋季萌发的假鳞茎为目标。11.1.2催花株挑选
7月份开始挑选株高一致、生长健壮的植株准备催花，并将其栽培密度调整到40株/m2～50株/m11.1.3止叶形成
通常8月初止叶形成，8月底假鳞茎开始增粗。如果止叶尚未形成，可手工掉上部2～3片叶及其茎尖，以促进假鳞茎成熟增粗。
11.2催花株管理
DB11/T11442014
加强通风、适当控水、增强光照至150001x200001x。同时，8月初每盆施氮磷钾比例为15：9:12的控释肥0.5g~1g。
11.3催花诱导
9月初开始根据外界温度变化自然降温，给催花株进行低温诱导。10～12月开始正式催花，通常夜温控制在8℃～12℃，日温控制在18℃～22℃。11月初在叶鞘基部形成花芽，12月下旬至1月初形成花苞，此时苞尖出鞘约1mm～2mm。催花期间应尽量保持温度的平稳，避免骤升骤降对催花结果造成不良影响11.4花期调节
从苞尖出鞘1mm～2mm到花朵初开通常需要40d～50d。根据上市时间适当调低或调高生长温度2℃～3℃C，通常可延迟或提早开花7d～10d。12
病虫害防治
春石斛兰主要病害有花叶病、软腐病、黄斑病、炭疽病、灰霉病等，主要虫害有介壳虫、红蜘蛛、等。春石斛兰主要病虫害及防治方法参见附录C。5
DB11/T1144—2014
附录A
（资料性附录）
MS培养基母液及培养基配制参数一览表表A.1给出了春石斛兰组织培养MS培养基母液及配制参数。表A.1MS培养基母液及培养基配制参数一览表母液
化学药品名称
硝酸铵NH,NO
硝酸钾KNO
硫酸镁MgSO·7H.0
磷酸二氢钾KH.PO.
氯化钙CaC1*2H0
硫酸锰MnSO,4H.0
硫酸锌ZnSO,·7H.0
氯化钴CoC1·6H.0
硫酸铜CuSO,·5H.0
钼酸钠NaMo0,·2H.O
碘化钾KI
硼酸H.BOs
硫酸亚铁FeSO·7H.0
乙二胺四乙酸二钠Naz-EDTA
盐酸吡哆素
盐酸硫胺素
甘氨酸
培养基配方用量
扩大后称量
母液定容体积
配制1L培养
基吸取量
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备案号：44485-2015
北京市
DB11/T1144——2014
盆栽春石兰栽培技术规程
Technical regulation of cultivation for potted nobile style dendrobium2014-12-17发布
北京市质量技术监督局
2015-04-01实施
术语和定义
缩略语
组培苗生产
温室准备
基质准备
水质要求
种植容器
生根苗移栽，
栽培管理bZxz.net
花期调控
12病虫害防治.
附录A（资料性附录）
附录B（资料性附录）
附录C（资料性附录）
MS培养基母液及培养基配制参数一览表春石斛兰栽培设施处理常用方法及常用药剂一览表春石斛兰主要病虫害及防治方法一览表DB11/T11442014
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准由北京市园林绿化局提出并归口。本标准由北京市园林绿化局组织实施。本标准起草单位：北京温榆河花卉有限公司、北京市大东流苗圃。DB11/T1144—2014
本标准主要起草人：律江、司瑞新、李振鹏、李振坚、刘克林、姜青樟、王瑛、黄庆祝、邢立霞、薛敦孟、方志军。
1范围
盆栽春石斛兰栽培技术规程
DB11/T 1144——2014
本标准规定了盆栽春石斛兰繁殖栽培养护的全过程，包括组培苗生产、温室准备、基质准备、水质要求、种植容器、生根苗移栽、栽培管理、花期调控、病虫害防治等栽培养护环节。本标准适用于盆栽春石斛兰组培苗的温室栽培管理。术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。2.1
假鳞茎pseudobulb
种变态茎，粗短而肥厚，有节，叶生于节上。2.2
鳞芽bulbil
从假鳞茎基部萌生出的叶芽。
花芽flowerbud
在假鳞茎节处与叶片相对的部位萌发的绿豆状凸起，通常每芽可分化为2～4朵花。2.4
高位芽high-budseeding
在假鳞茎节上萌生出的新个体。2.5
止叶terminalleaf
生长在假鳞茎顶部，其叶鞘包围的是一个圆锥状节，节上偶见急剧缩小的叶形片状体。2.6
缺刻notch
春石斛兰叶片尖部的三角状缺痕。缩略语
下列缩略语适用于本文件。
DB11/T1144—2014
6-BA：6芋基腺嘌呤（6-benzyladenine）NAA：乙酸（1-naphthaleneaceticacid）TWEEN-20：吐温20（polysorbate20）4组培苗生产
4.1培养基
宜选用MS为基本培养基：常用生长调节剂为6-BA、NAA。培养基配制参数参见附录A。4.2外植体选择及处理
选择品种纯正、生长健康的植株，切取幼嫩的鳞芽或高位芽，清洗消毒后，进行表面灭菌，然后切取5mm茎尖进行接种培养。
4.3培养条件
光照强度20001x～40001x，光照时间12h/d，培养温度25℃土2℃。4.4原球茎诱导
诱导培养基宜为MS+6BA2.0mg/L+NAA0.5mg/L+蔗糖3%+琼脂0.7%，pH值为5.2~5.4，培养25d~30d。4.5继代培养
继代培养基宜为MS+6BA1.0mg/L+NAA0.5mg/L+煎糖3%+椰乳150g/L+琼脂0.7%，pH值为5.2~5.4，培养40d～50d后分化出小苗。如果需要进一步扩繁，可将原球茎切成小块进行多次转接。4.6生根苗培养
生根培养基宜为1/2MS+NAA0.1mg/L+香蕉泥100g/L+活性炭0.1%+蔗糖2%+琼脂0.7%，pH值为5.2~5.4。将株高大于5cm的小苗转接到生根培养基上。4.7出苗
当根系大于等于3条，株高8cm左右时，即可将生根苗运送到温室进行过渡栽培。5温室准备
5.1基本要求
栽培温室应具备调控温度、湿度、光照等环境因子的设备设施。5.2温室处理
种植前清理温室内部及周边杂物、杂草。种植前一周采用高效低毒杀虫剂，喷洒地面、苗床、排水沟等，喷至表面布满水滴为宜。种植前2d～3d采用广谱性杀菌烟剂，密闭熏蒸12h～24h，期间人员不得进入。熏蒸后充分通风6h～12h。处理药剂及使用方法参见附录B。6基质准备
6.1基质种类
应选择透气性好的栽培基质，常选择水苔栽培，也可选择树皮、椰糠等栽培。6.2水苔处理
DB11/T1144—2014
清水浸泡水苔4h～6h，排掉多余水分后捞出水苔放入甩干机，脱水至排水口水流呈滴状流出为宜。将水苔取出放至操作台上备用。7水质要求
栽培水质pH值为6.5～7.0，EC值小于0.15ms/cm。不达标水质使用前需进行脱盐、酸化处理，8种植容器
根据种苗的不同生长阶段，可以选择72目穴盘和口径8cm×深8cm的白色塑料营养钵（又称2.5寸盆种植。通常2.5寸盆需要配合15孔植架一同使用。9生根苗移栽
9.1炼苗
组培生根苗从培养间运送到温室后，需要进行闭盖2d～3d，开盖12h～24h的炼苗过程。开盖时间宜选择在16：00以后进行。炼苗期间最适夜温16℃～18℃，最适日温20℃～24℃。相对湿度60%～80%为宜。光照强度控制在20001x～50001x之间为宜。9.2洗苗
准备好洗苗用的水盆、盛苗盘、杀菌剂等。轻磕培养瓶底部使培养基松动，然后将瓶苗倒入盛有清水的盆中，洗净根系及植株上残留的培养基。将种苗根据大小分别摆放在不同的盛苗盘中。无根苗、黄弱苗、变异苗应舍弃，9.3种苗处理
般可使用70%的甲基托布津1%o浓度液或75%的百菌清1%浓度液，浸泡10min～15min。通常在处理之后还应将组培苗放置在阴凉通风处晾苗1h～2h，使根系表面略微发白后进行移栽。9.4移栽
在根系外围均匀包裹水苔，将种苗种植在72目穴盘中。种植宜浅不宜深，以水苔包裹于根茎交界处为宜。
10栽培管理
10.1上盆
通常生根苗移栽4～5个月后上盆定植。将种苗从穴盘中拔出，剪去基部丛生矮小的假鳞茎，保留1~2个生长一致的健壮植株进行上盆3
DB11/T 1144—2014
在已经抱团的根系外围均匀包裹一层水苔后种入2.5寸盆中，保持水苔上表面与营养钵下环线相平。种植时水苔宜紧不宜松。
10.2摆放
种苗摆放在15孔植架中。根据种苗大小分别摆放，以植株叶片轻度相错为宜。摆放时应保持所有植株叶片朝向一致。
10.3留芽
通常10月中旬鳞芽萌发，当假鳞茎生长至4cm～5cm时进行留芽处理。选择基部粗壮、节间较短的壮芽留下，每盆保留1～2个为宜。10.4支撑
当假鳞茎高度达到25cm30cm时进行支撑，根据不同品种分别选取长度40cm～50cm左右的包塑铁丝对春石斛兰进行支撑。将铁丝插在叶片缺刻的背侧，一直深入营养钵底部，然后用2～3根绑绳将其固定在铁丝上。绑绳应捆绑的松一些，通常绑环大小控制在茎粗的2～3倍左右。10.5环境控制
春石斛兰生长温度8℃～32℃，最适夜温16℃～18℃，最适日温26℃～28℃。穴盘苗初期光照20001x50001x，后期逐渐提高到50001x100001x；2.5寸盆苗期光照100001x～150001x。生长期相对湿度保持在60%～80%为宜。
10.6肥水控制
通常穴盘苗每隔10d15d施肥一次，交替施用氮磷钟比例为30：10：10和20：20：20的复合肥1500~2000倍液，EC值在0.8ms/cm～1.0ms/cm之间。2.5寸苗期每3～4个月在花盆中撒施氮磷钾比例为1414：14缓释肥0.5g～1g。一般采用喷淋设施浇水，可以避免2.5寸盆养护期间水管浇水对肥粒的冲击11花期调控
11.1植株准备
11.1.1催花株苗龄
当年移栽的春石斛兰组培苗不能进行催花处理，只有经过次年栽培之后的植株才能进行催花处理。催花处理以上年秋季萌发的假鳞茎为目标。11.1.2催花株挑选
7月份开始挑选株高一致、生长健壮的植株准备催花，并将其栽培密度调整到40株/m2～50株/m11.1.3止叶形成
通常8月初止叶形成，8月底假鳞茎开始增粗。如果止叶尚未形成，可手工掉上部2～3片叶及其茎尖，以促进假鳞茎成熟增粗。
11.2催花株管理
DB11/T11442014
加强通风、适当控水、增强光照至150001x200001x。同时，8月初每盆施氮磷钾比例为15：9:12的控释肥0.5g~1g。
11.3催花诱导
9月初开始根据外界温度变化自然降温，给催花株进行低温诱导。10～12月开始正式催花，通常夜温控制在8℃～12℃，日温控制在18℃～22℃。11月初在叶鞘基部形成花芽，12月下旬至1月初形成花苞，此时苞尖出鞘约1mm～2mm。催花期间应尽量保持温度的平稳，避免骤升骤降对催花结果造成不良影响11.4花期调节
从苞尖出鞘1mm～2mm到花朵初开通常需要40d～50d。根据上市时间适当调低或调高生长温度2℃～3℃C，通常可延迟或提早开花7d～10d。12
病虫害防治
春石斛兰主要病害有花叶病、软腐病、黄斑病、炭疽病、灰霉病等，主要虫害有介壳虫、红蜘蛛、等。春石斛兰主要病虫害及防治方法参见附录C。5
DB11/T1144—2014
附录A
（资料性附录）
MS培养基母液及培养基配制参数一览表表A.1给出了春石斛兰组织培养MS培养基母液及配制参数。表A.1MS培养基母液及培养基配制参数一览表母液
化学药品名称
硝酸铵NH,NO
硝酸钾KNO
硫酸镁MgSO·7H.0
磷酸二氢钾KH.PO.
氯化钙CaC1*2H0
硫酸锰MnSO,4H.0
硫酸锌ZnSO,·7H.0
氯化钴CoC1·6H.0
硫酸铜CuSO,·5H.0
钼酸钠NaMo0,·2H.O
碘化钾KI
硼酸H.BOs
硫酸亚铁FeSO·7H.0
乙二胺四乙酸二钠Naz-EDTA
盐酸吡哆素
盐酸硫胺素
甘氨酸
培养基配方用量
扩大后称量
母液定容体积
配制1L培养
基吸取量
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