GB/T 29504-2013 300mm 硅单晶 GB/T29504-2013 标准压缩包解压密码：www.bzxz.net

ICS 29.045
中华人民和国国家标准
GB/T295042013
300 mm硅单晶
300 mm nonocrystalline silicor2013-05-09发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
2014-02-01实施
中华人民共和国
国家标准
300mm硅草器
(/T 29504-2013
中国标准出版社出版发行
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2013年6月第-版，2013年6月第-次印刷号：255C66：1-17277
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本标按照GB/T1.1、2009给出的规则起章。言
CB/T29504-2013
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（S.AC/1C203)疑出苏叫口。本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司，中国有色金属工业标准计量质景研究所、万向硅峰·厂股份有限公司、宁波立立电子股份有限公司。本标消要起草人：国态瑞、孙燕、卢立延、张果虎、楼春兰、刘培东、向霜。1范国
300m硅单晶
GB/1 29504—2013
本标唯规定了真径300mm、P型、<100>晶向、电阻率0.50.cm~-20+cm硅单品的技太要求、试验方法、检验规则以及标意、包装、送输、览存等。本标准适用于出直拉法制备的谁单品，主要用于制作满足集成电路1C用线宽0.13um及以下技宋需求的300tmm磁单品抛光片。规范性引用文件
下文件对可本文件的游用是必不可少的。是是注日期的引用文件，仪注目期的版本适用上本文件，凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包活斯有的修改单)适用予本文件。CB/T1550非本征半量体材料导屯炎型测试方法GB/I1551：20C9硅晶电率测定方法4能昂体究整性化学择优腐蚀检验力法GB/T 1554
平依单晶晶尚测定方法
GE/T 1555
GB/T1557硅品体间隙氧含量的红外吸收测量方法CB/11558硅中代位磁原予量经外吸收测量方法GB/T11073-2007碳片径问电塑率变化的测量好法GB/T14140硅片直径测量方法
CB/T14264半导体材料术语
S/1679非水征半导体中少数载流了扩散长度的稳态表拍光电法测试方法3本语和定义
G13/T112G4界定的术语和定义适用于本文件。4技术蔓求
滚圆后的硅单晶直经为301mm允许偏差主0.3mm。其他用户要求及未滚圆硅单晶的真径和允许偏差出供需双方商定。
4.2电阻率
4.2.1硅单品的电阻率和径向电率变化应符合表1的规定，表硅单晶电学参数
导电类型
蔡杂元素
径珂电阴率变化
GB/129504—2013
4.2.2径向电阻率变化如要求按照其他方案进行，出供需双方商定，4.3品向
4.3.1硅单品品向为（100）品间：4.3.2硅单品品向偏离度不大于14.4氧含景
硅单晶的间隙氧含量应不大下1.0×10原子数/cm，氧含量的径向变化具体指标间按需方要求提。
4.5碳含量
硅单晶的含量应不大于2×10“原子数/cm，或供需双方商楚提俱。4.6晶体完整性
4.6.1硅单品的位错密度应不大于10个/cm。4.6.2硅单品应无孔洞和裂纹等。4.6.3硅单晶的其他缺陷要求由供需双力商定，4.7体金层（铁）含量
硅单晶的体金属（铁)含最应不大于5×10\原子数/cm，或史供需双方阅定提供。4.8头属标记
滚医后的硅单品应有区分头尾的标记。5试验方法
5.1硅单晶的直径测量按GB/T14.140进行。5.2硅单晶导电类型测量按（13/11550迹行5.3硅单晶的电阻率测量按GB/T1551-2009中直排明探创法进行。5,4硅单晶的径间电阻率变化测量按GB/T11073--2007的B方案进行：5.5硅单晶的晶向及晶向偏离度测量按GB/T1555避行。5.6硅单品的氧含量按GB/T1.557进行。5.7础单晶的碳含量接GB/T 1558进行。5.8硅单晶的晶体完整性检验按GB/T1554进行。5.9
硅单品的体金属(铁)含量按 YS/T 679进行。5.10
硅单晶的头属标记采用月视检測逊行，6检验规则
6.1检查和验收
6.1.1产品应由供方技术质量）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保逛传
GB/T 29504—-2013
5.1.2需方可对收到的产按本标的规楚进行捡验，荐检验结果与本标准（或订货含同）的舰定不符时,应在收到产品之！三个月内向供方提出，由供需双对苏商解决。6.2组批
硅单品认批的杉式提交验收，每批应出按照用广婴求的同一规格的硅单品锭维成。6.3检验项目
6.3.1得根础单晶的检验项国有：直径、导电类翼、晶向及晶向偏度、头层标记，6.3.2祺曾双方协商致，可对下列项日进行检验：癌阻率、径向电阻率变化、氧含、碳含量、晶体完整性、体金满（铁含量。
6.4取样
差正单另的取样位及聚样数冠的规能2裁2硅单最取祥视定
检验项目
导范类型
流阻率
经定电率变化
最及品向谢度
微含整
品体亲髂性
环金属（铁）含鱼
头尾掠记
腋祥置
草景头
单留头
总品头部
学品量部或供带双方缺商位罩
单品麗部或红密位置
6.5检验结果的判定
爱批产品髓机掘最2℃%的试样，5摄-~9根晶箍抽取2个试，
5银靠等认下描个试举
每批产品随剂袖取20%的说杆
5 根~9 振略链抽取 2 个误样
5 根晶能以下编最 1 个试样
章条号
检验或试验方
法的亨条号
6.5.1直径、号电类型、品间及品向偏离度和头尾标记有--项不合格，判该硅单晶为不台格。6.5.2电阻率,径向电阻率变化、氧含量、碳含量、体完整性、体金属（铁)合量检验结果有一-项不合格，判该批产品不合格。
标志、包装、运输租购存
7. 1 包装,标志
7.1.1硅单品用桑苯烯（泡沐）逐根包装，然后将经过包装的晶锭装人包装箱内，并装满填充物：防止品链松动
7.1.2包装箱外侧应有“小心轻放\“防渐”、“易碎”等标识，并标明：TrKAONrKAca
GB/T 29504—2013
需方名称、地点；
6）产品名称、牌号；
品件数及董量(毛重/净薰)；
供方名称
运输、贮存
产品在运输过程中应轻装轻御，勿压勿挤，共采取防震防潮措施。7.2.2产品应泌存在清浩、燥的环境中，8
质量证明节
每抵产品应有质量证明书，其内容应包括：a）供方名称：
b）产品名称及规格、牌号：
）产品批号；
d）产最净重及单晶根数；
e）条项参数检验结果和检验部！门的印记；山厂期,
GB/T 29504-2013
打即上：2013年7月1[1F007
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书母：1550661-47271
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