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ICS 29.045
华人民共利家标
GB/T 29508--2013
300硅单晶切害割片和磨肖削片
300 mm monocrystalline silicor as cut slices and griuded sliccs2013-05-09发布
中华人民共和国国家质量监督检验俭疫总局中国国家标准化管理委员会
2014-02-01实施
本标准按照GB/T1.12005给出的规则起草。GB/T29508---2013
本标准由全国半寻休设备和材料标准化技术员会（SAC/TC203)提出并归口。本标起草单位：有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计景质量研究所。本标准主要起草人：润志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。1范围
300 mm硅单晶切割片和磨削片
GB/T 29508-2013
本标难规定了直径300. m1、型、100晶向、电阻率 0.6α·m20α·ctn 的硅单晶切片箱磨削片（简称硅片）产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等，本标准适用于齿径300㎡m直拉单品经切割、磨削制备的圆形硅片,产品将迹一步加工成抛光片，用于制作集成电路 IC 用线宽 90 nm 技术需求的衬底片。2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应周是必不可少的，儿是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不日期的引用文件，其晟新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测诚方法GB/T1551
痘单品电阴率测定方法
GR/T 15b4
硅晶体究整性化学摇优腐独检验方法G8/T 1555
半导体单晶品问测定方法
GB/T 1557
GB/T 1558
硅晶体中间院氧含壁的红外吸收测方法避中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 2828. 1
计数抽样检验序第1部分：按接收质最限（AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T 6616
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄展电阻測试方法非接触涡流法GB/T 6624
GB/T 11373
G3/T 13388
GB/T 11140
GB/T 14264
GB/T 26057
GB/T 29504
GB/T 29507
磁抛光片表而质量印测检验方法硅片径向电阻率变化的测试方法硅片参考面结晶学驭向X射线测虽力法硅片直径测量方法
半导体材料术语
硅片切尺测试法
300硅单晶
硅片平整度、厚度及总厚度变化测避白动非接触扫猫YS/T26硅片逊缘轮廓检验方法
SEMIMF1390硅片翘断度的无接触自动扫描测试方法3术语和定义
CB/T14264界定的术和定义适用T本文件。4技术要求
4.1物理性能参数
硅片的导电类型、电阻率及间电阻率变化、间隙氧含量，代位碳含量应符合GB/T2950的规定，1
GB/T29508—2013
4.2几何参数
避片的几何参数应符合表1的规定。硅片所有在表1中未列出的参数规格，按供需双方协商提供。用“有特殊要求的，由供需双方协商握供。表1硅片几何参数要求
碎片直径/rnum
直征允许览/nm
硅片厚度(中心点)/grn
厚度充许缩禁/um
总厚度变化/um
尚度/um
崩边/mm
硅片直径/ml
宜径允许询将/mm
硅片呼度(中心点)/μm
厚度允许偏光/μm
总厚度变化/μm
翘而度/ur
4.3品体完整性
硅片的晶体完整性应符合（B/工29504的规定，4.4表面取向
4.4.1硅片的表面取向为100。Www.bzxZ.net
4.4.2硅片表面吸间偏离不大于0.5°4.5基准标记
直径300加m硅片切口的基准轴取向及寸应符合表2要求裹2硅片切口的要求
划口基准轴最向及偏差
深度/rmrml
角度/（°)
1. 00*8:5
4.6表面质量
GB/T29508—2013
4.6.1硅切制片崩边的径向延伸长度应符表1的规定。每个的边的周长不人于2m扣，每片崩达总数不能多丁3个，每批碟片中崩边片数不得超过总片数的3%，4.6.2硅片不允许有裂纹、缺口。4.6.3硅片经清洗于燥后，表应洁净、无色斑、无沾污，4.6.4硅切剖片不得有明切痕。
4.6.5硅离削片表面应无划伤点、刀痕、期边。4.7边缴轮廊
猎片经边缘御角，倒角后的边缘轮廊应符合YS/T26帮GB/T26067的规定，特殊要求可H供需双方协商确楚。
5试验方法
5.1硅片导电类型测量按GB/T1550进行。5.2.硅片电阻率浏景按GB/T1551或GB/T6616进行，5.3硅片径向电阻率变化测最按GB/111073进行。5.4硅片间原氪含量测量按GB/T1557进行，5.5硅片代位碳含置测量按GB/T1558进行。5.6硅片直径测最按GB/T14140进行，5.7硅片厚度、总厚度变化及-乎整度测最校GB/T295C7选行。5.8硅片翘曲度测量按SEMTMF1390进行。5.9硅片晶体完整性检验按GB/T1551进行，5.10硅片表面收向测量按GR/T1555进行。5. 11
确片切口尺小的测量按（13/T26067进行。5. 12
硅：切口基准轴取向测量按GB/T13388进行硅片表面质量检验按GB/T6624进行5.13
硅片的近缘轮嘟检验按YS/T26进行，5.14
6检验规则
6.1检查和验收
6.1.1产品应由供方技术（质最）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保证书。
6.1.2方可对收到的产品按本标准的规定进行检验。若检验结果与本标推（或订货合同)的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提，由供需双方协商解决，6.2组批
硅片以批的形式交验收，每批应出按照用户要求的用现格的硅片组成。6.3检验项目
每批硅片描检的项目有：导电类型、晶向及其偏离度、电阻率及径向电阻率变化、厚度利总原度变化、翘曲度、装面质量、直径、切口基准轴取向及切口尺小边缘轮、品体完整性等。3
GB/29508--2013
6.4抽样
6.4.1对于非破坏性检测项日，抽样按GB/T2828.1·-股检验水平Ⅱ，正常检验-次抽样方案进行，或由供需双方协商确定的抽样方案进行。6.4.2对于破坏性检测项目，抽样接GB/T2828.1特殊检验永乎S-2，正带检验一次抽样方案，或按供需双方协商确定的释方案进行。6.5检验结果的判定
6.5.1导电类型、品间检验落有一片不合格，则该批产品为不合格。6.5.2其他检验项日可以按履6.4抽检，其接收质量限（AQL)值见表3。也可进行全数检验，或按供需双方协商的方法进行。
表3硅片检验项目及接收质量限
面质母
7标志，包装、运输和贮存
检验项目
电阻率
径向电组率变化
代位谈含微
总厚度变化
切口能雅轴取向
近缘轮廓
划伤、亮点
裂纹、缺口
按收质显限(AQL)
硅片用相应规格的盒子包装，样个片盒应贴有产品标签。标签内容垒少应包括：7.1
a）产品名称(牌号)：
b）产品规格、片数：
产品批号；
出厂日期。
TKAoNTKAca
GB/T29508--2013
7.2片盒装人一定规格的外包装箱，采取防意、防潮、防污染措施。包装箱内应有装箱单，外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易痒等标识，并标明：a）需方名栋,地点：
b）产品名称、牌梦：
c）产品件数；
d）供方名称。
7.3产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采最防震、防潮措施。7.4产品应存在清洁,干燥的环境中。8
量证明书
每批产品应有质量证明书，其内容应包括：供方名称：
h）产品名称及规、牌号；
产品批号；
d）产品片数（盒数);
各颈参数检验结果和检验部门的印记；f
出厂日期。
GB/T29508-2013
打即日期：2013年7月241（00？中华人民共和国
国家标准
300 mm硅单晶切割片和磨削片
GB/T 29508—2013
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开本 880×1230 1/16
印张 0.75宰数 12 下定
2013年7月第-版
2013年7小第·-次印刷
15号：155066-1-47276定价
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