GB/T 4728.5-2018
基本信息
标准号： GB/T 4728.5-2018
中文名称：电气简图用图形符号 第5部分:半导体管和电子管
标准类别：国家标准(GB)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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GB/T 4728.5-2018 电气简图用图形符号 第5部分:半导体管和电子管
GB/T4728.5-2018
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标准内容
ICS29.020
中华人民共和国国家标准
GB/T4728.5—2018/IEC60617database代替GB/T4728.5—2005
电气简图用图形符号
第5部分：半导体管和电子管
Graphical symbolsforelectricaldiagrams-Part5:Semiconductors and electrontubes(IEC 60617database,Graphical symbols for diagrams,IDT)2018-07-13发布
国家市场监督管理总局
中国国家标准化管理委员会
2019-02-01实施
GB/T4728《电气简图用图形符号》分为13个部分：第1部分：一般要求；
第2部分：符号要素、限定符号和其他常用符号；第3部分：导体和连接件；
第4部分：基本无源元件；
第5部分：半导体管和电子管；
第6部分：电能的发生与转换；
第7部分：开关、控制和保护器件：第8部分：测量仪表、灯和信号器件：一第9部分：电信：交换和外围设备：一第10部分：电信：传输；
第11部分：建筑安装平面布置图；第12部分：二进制逻辑元件；
第13部分：模拟元件。
本部分为GB/T4728的第5部分。
本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草GB/T4728.5—2018/IEC60617database本部分代替GB/T4728.5—2005《电气简图用图形符号第5部分：半导体管和电子管》，与GB/T4728.5—2005相比主要技术变化如下：在S00641符号的“用于”列项中的符号有：S00304，S00685，S00643，S01328，S00895，S00785，S00907,S01327,S01263S00644,S00642,S00906,S01326,S01919,S01920。其中新增的符号有：S01919，S01920。在S00644和S00691符号中分别增加了别名。增加了S0187O、S01871、S01872、S01873、S01874、S01875、S01876、S01878、S01879、S01880、S01881.S01882.S01883.S01884.S01902、S01919.S01920等17个新符号。本部分使用翻译法等同采用IEC60617database《简图用图形符号》（2016年9月1日的抽点打印英文版)的相应部分。
本部分做了下列编辑性修改：
修改了标准名称；
增加了附录NA，列出了废除一一仅供参考的图形符号。本部分由全国电气信息结构、文件编制和图形符号标准化技术委员会（SAC/TC27)提出并归口。本部分起草单位：中机生产力促进中心、安徽宝龙电器有限公司、力源电力设备股份有限公司、南京南瑞继保电气有限公司。
本部分主要起草人：吴倩、刘新、唐东、高永梅、陈少敏、刘世伟、何学东。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：GB/T4728.51985.GB/T4728.5—2000.GB/T4728.52005。I
S00057
GB/T4728.5—2018/IEC60617database电气简图用图形符号
第5部分：半导体管和电子管
称：三极闸流晶体管，未规定类型Triode thyristor,type unspecified态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-04-04关键词：半导体，闸流管
采用符号：S00613，S00619
应用注释：A00184
形状类别：等边三角形，直线
别：Q受控切换或改变
功能类
应用类别：电路图
S00613
注：若不需指定控制极的类型时，本符号用于表示反向阻断三极闸流晶体管H
称：半导体区，具有一处接触
Semiconductor region, one connection态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-01关
词：接触，欧姆接触，半导体区，半导体，晶体管于:S00057,S00653,S00641,S00616,S00648,S00663,S00651,S00662,S00665,S00657.S00646,S00661,S00654,S00614,S00655,S00660,S00645,S00658,S00659,S00664,S00649.S00650.S00656，S00652.S00615形状类别：直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
注：垂直线表示半导体区，水平线表示欧姆接触1
GB/T4728.5—2018/IEC60617databaseS00614
称：半导体区，具有多处接触
Semiconductor region, several connections态：标准
日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-02关
词：欧姆接触，半导体区，半导体，晶体管式：形式1Www.bzxZ.net
其他形
式：S00615.S00616
采用符
F号：S00613
形状类
别：直线
功能类
S00615
别：-功能要素或属性
别：电路图
注：示出两处接触
称：半导体区，具有多处接触
Semiconductor region, several connections态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-03关
词：欧姆接触，半导体区，半导体，晶体管式：形式2
其他形
式：S00614.S00616
采用符
号：S00613
别：直线
形状类
功能类
应用类
S00616
别：-功能要素或属性
别：电路图
注：示出两处接触
称：半导体区，具有多处接触
Semiconductor region, several connections态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-04关键词：欧姆接触，半导体区，半导体，晶体管形
式：形式3
其他形式：S00614，S00615
GB/T4728.5—2018/IEC60617database手：S00666.S00667.S00672.S00668.S00670.S00671,S00669采用符号：S00613
形状类别：直线
功能类别：-功能要素或属性
别：概念要素或限定符号
应用类头
S00617
注：示出两处接触
称：耗尽型器件导电沟道
Conduction channel for depletion devices态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-05关
形状类
词：导电沟道，耗尽型，半导体，晶体管手：S00682.S00672.S00683.S00677,S00678.S00671.S00679别：直线
功能类
别：-功能要素或属性
应用类
S00618
别：电路图
称：增强型器件导电沟道
Conduction channel for enhancement devices态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-06关
词：导电沟道，增强型，半导体，晶体管于：S00673,S00676.S00674.S00675,S00681.S00680形状类别：直线
功能类别：-功能要素或属性
别：电路图
应用类
GB/T4728.5—2018/1EC60617databaseS00619
称：整流结
Rectifying junction
态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-07关
词：结，整流器，半导体
于：S00057.S00378,S00653,S00641,S00648S00651,S00662.S00657S00646,S00661,S00654.S00647.S00655.S00660.S00645.S00658.S00650.S00656被替代的符号：S01364
形状类别：等边三角形，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
S00620
称：影响半导体层的结，影响N层的P区Junction which influences a semiconductor layer, P-region which influences an N-layer态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-09关键
词：场效应管，栅，结，N层，P区，半导体，晶体管手：S00671
应用注释：A00176
形状类别：箭头，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
S00621
称：影响半导体层的结，影响P层的N区Junction which influences a semiconductor layer,N-region which influences a Player态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-10关键词：场效应管，栅，结，N区，P层，半导体，晶体管用
手：S00672
应用注释：A00176
形状类别：箭头，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
S00622
称：导电型沟道，P型衬底上的N型沟道GB/T4728.5—2018/IEC60617databaseConductivity type of the channel, N-type channel on a P-type substrate态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-11关键
词：导电沟道，场效应管，IGFET，绝缘栅.N型沟道，半导体.晶体管于：S00676,S00674.S00677
应用注释：A00177
别：箭头，直线
形状类
功能类别：-功能要素或属性
应用类
S00623
别：电路图
注：P型衬底上的N型沟道，示出耗尽型IGFET称：导电型沟道，N型衬底上的P型沟道Conductivity type of the channel,P-type channel on an N-type substrate态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-12关
词：导电沟道.场效应管.IGFET.绝缘栅.P型沟道，半导体.晶体管于：S00673.S00675.S00678.S00679应用注来
释：A00177
形状类
别：箭头，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类
别：电路图
注：N型衬底上的P型沟道，示出增强型IGFET5
GB/T4728.5—2018/1EC60617databaseS00624
称：绝缘栅
Insulated gate
态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-13关
词：场效应管，栅，IGFET，绝缘栅，半导体，晶体管于:S00682.S00673,S00676,S00674,S00683.S00677,S00675,S00678.S00681.S00680,S00679
别：直线
形状类
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
S00625
注：具有多栅的示例见符号S00679称：不同导电型区上的发射极，N区上的P型发射极Emitter on a region of dissimilar conductivity type, P emitter on an N region态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-14关
词：二极管，发射极，半导体，晶体管手：S00626.S00682.S00667.S00663.S00670.S00683.S00681.S00680.S00669.S00687应用注释：A00178
形状类别：箭头，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
S00626
称：不同导电型区上的发射极，N区上的P型发射极Emitters on a region of dissimilar conductivity type, P emitters on an N region态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5ed.2.0)05-01-156
词：二极管，发射极，半导体，晶体管键
采用符号：S00625
应用注释：A00178
形状类别：箭头，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类
别：电路图
S00627
GB/T4728.5—2018/IEC60617database称：不同导电型区上的发射极，P区上的N型发射极Emitter on a region of dissimilar conductivity type, N emitter on a P region态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-16关
词：二极管，发射极，半导体，晶体管于:S00682.S00666,S00668.S00665S00683.S00681,S00680.S00628.S00664应用注
释：A00178
形状类
别：箭头，直线
功能类
别：-功能要素或属性
应用类
S00628
别：电路图
称：不同导电型区上的发射极，P区上的N型发射极Emitters on a region of dissimilar conductivity type, N emitters on a P region态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-17关键词：二极管，发射极，半导体，晶体管采用符号：S00627
应用注释：A00178
形状类别：箭头，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
GB/T4728.5—2018/IEC60617databaseS00629
称：不同导电型区上的集电极
Collector on a region of dissimnilar conductivity type态：标准
日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5ed.2.0)05-01-18关
词：二极管，集电极，半导体，晶体管于：S00668.S00630.S00663,S00665.S00664.S00687应用注来
释：A00179
形状类
别：直线
功能类
应用类
S00630
别：-功能要素或属性
别：电路图
称：不同导电型区上的集电极
Collectors on a region of dissimilar conductivity type态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-19关
词：二极管，集电极，半导体，晶体管采用符
号：S00629
应用注
释：A00179
形状类
别：直线
应用类
S00631
别：-功能要素或属性
别：电路图
称：不同导电型区之间的过渡
Transition between regions of dissimilar conductivity types态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-208
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中华人民共和国国家标准
GB/T4728.5—2018/IEC60617database代替GB/T4728.5—2005
电气简图用图形符号
第5部分：半导体管和电子管
Graphical symbolsforelectricaldiagrams-Part5:Semiconductors and electrontubes(IEC 60617database,Graphical symbols for diagrams,IDT)2018-07-13发布
国家市场监督管理总局
中国国家标准化管理委员会
2019-02-01实施
GB/T4728《电气简图用图形符号》分为13个部分：第1部分：一般要求；
第2部分：符号要素、限定符号和其他常用符号；第3部分：导体和连接件；
第4部分：基本无源元件；
第5部分：半导体管和电子管；
第6部分：电能的发生与转换；
第7部分：开关、控制和保护器件：第8部分：测量仪表、灯和信号器件：一第9部分：电信：交换和外围设备：一第10部分：电信：传输；
第11部分：建筑安装平面布置图；第12部分：二进制逻辑元件；
第13部分：模拟元件。
本部分为GB/T4728的第5部分。
本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草GB/T4728.5—2018/IEC60617database本部分代替GB/T4728.5—2005《电气简图用图形符号第5部分：半导体管和电子管》，与GB/T4728.5—2005相比主要技术变化如下：在S00641符号的“用于”列项中的符号有：S00304，S00685，S00643，S01328，S00895，S00785，S00907,S01327,S01263S00644,S00642,S00906,S01326,S01919,S01920。其中新增的符号有：S01919，S01920。在S00644和S00691符号中分别增加了别名。增加了S0187O、S01871、S01872、S01873、S01874、S01875、S01876、S01878、S01879、S01880、S01881.S01882.S01883.S01884.S01902、S01919.S01920等17个新符号。本部分使用翻译法等同采用IEC60617database《简图用图形符号》（2016年9月1日的抽点打印英文版)的相应部分。
本部分做了下列编辑性修改：
修改了标准名称；
增加了附录NA，列出了废除一一仅供参考的图形符号。本部分由全国电气信息结构、文件编制和图形符号标准化技术委员会（SAC/TC27)提出并归口。本部分起草单位：中机生产力促进中心、安徽宝龙电器有限公司、力源电力设备股份有限公司、南京南瑞继保电气有限公司。
本部分主要起草人：吴倩、刘新、唐东、高永梅、陈少敏、刘世伟、何学东。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：GB/T4728.51985.GB/T4728.5—2000.GB/T4728.52005。I
S00057
GB/T4728.5—2018/IEC60617database电气简图用图形符号
第5部分：半导体管和电子管
称：三极闸流晶体管，未规定类型Triode thyristor,type unspecified态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-04-04关键词：半导体，闸流管
采用符号：S00613，S00619
应用注释：A00184
形状类别：等边三角形，直线
别：Q受控切换或改变
功能类
应用类别：电路图
S00613
注：若不需指定控制极的类型时，本符号用于表示反向阻断三极闸流晶体管H
称：半导体区，具有一处接触
Semiconductor region, one connection态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-01关
词：接触，欧姆接触，半导体区，半导体，晶体管于:S00057,S00653,S00641,S00616,S00648,S00663,S00651,S00662,S00665,S00657.S00646,S00661,S00654,S00614,S00655,S00660,S00645,S00658,S00659,S00664,S00649.S00650.S00656，S00652.S00615形状类别：直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
注：垂直线表示半导体区，水平线表示欧姆接触1
GB/T4728.5—2018/IEC60617databaseS00614
称：半导体区，具有多处接触
Semiconductor region, several connections态：标准
日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-02关
词：欧姆接触，半导体区，半导体，晶体管式：形式1Www.bzxZ.net
其他形
式：S00615.S00616
采用符
F号：S00613
形状类
别：直线
功能类
S00615
别：-功能要素或属性
别：电路图
注：示出两处接触
称：半导体区，具有多处接触
Semiconductor region, several connections态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-03关
词：欧姆接触，半导体区，半导体，晶体管式：形式2
其他形
式：S00614.S00616
采用符
号：S00613
别：直线
形状类
功能类
应用类
S00616
别：-功能要素或属性
别：电路图
注：示出两处接触
称：半导体区，具有多处接触
Semiconductor region, several connections态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-04关键词：欧姆接触，半导体区，半导体，晶体管形
式：形式3
其他形式：S00614，S00615
GB/T4728.5—2018/IEC60617database手：S00666.S00667.S00672.S00668.S00670.S00671,S00669采用符号：S00613
形状类别：直线
功能类别：-功能要素或属性
别：概念要素或限定符号
应用类头
S00617
注：示出两处接触
称：耗尽型器件导电沟道
Conduction channel for depletion devices态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-05关
形状类
词：导电沟道，耗尽型，半导体，晶体管手：S00682.S00672.S00683.S00677,S00678.S00671.S00679别：直线
功能类
别：-功能要素或属性
应用类
S00618
别：电路图
称：增强型器件导电沟道
Conduction channel for enhancement devices态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-06关
词：导电沟道，增强型，半导体，晶体管于：S00673,S00676.S00674.S00675,S00681.S00680形状类别：直线
功能类别：-功能要素或属性
别：电路图
应用类
GB/T4728.5—2018/1EC60617databaseS00619
称：整流结
Rectifying junction
态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-07关
词：结，整流器，半导体
于：S00057.S00378,S00653,S00641,S00648S00651,S00662.S00657S00646,S00661,S00654.S00647.S00655.S00660.S00645.S00658.S00650.S00656被替代的符号：S01364
形状类别：等边三角形，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
S00620
称：影响半导体层的结，影响N层的P区Junction which influences a semiconductor layer, P-region which influences an N-layer态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-09关键
词：场效应管，栅，结，N层，P区，半导体，晶体管手：S00671
应用注释：A00176
形状类别：箭头，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
S00621
称：影响半导体层的结，影响P层的N区Junction which influences a semiconductor layer,N-region which influences a Player态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-10关键词：场效应管，栅，结，N区，P层，半导体，晶体管用
手：S00672
应用注释：A00176
形状类别：箭头，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
S00622
称：导电型沟道，P型衬底上的N型沟道GB/T4728.5—2018/IEC60617databaseConductivity type of the channel, N-type channel on a P-type substrate态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-11关键
词：导电沟道，场效应管，IGFET，绝缘栅.N型沟道，半导体.晶体管于：S00676,S00674.S00677
应用注释：A00177
别：箭头，直线
形状类
功能类别：-功能要素或属性
应用类
S00623
别：电路图
注：P型衬底上的N型沟道，示出耗尽型IGFET称：导电型沟道，N型衬底上的P型沟道Conductivity type of the channel,P-type channel on an N-type substrate态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-12关
词：导电沟道.场效应管.IGFET.绝缘栅.P型沟道，半导体.晶体管于：S00673.S00675.S00678.S00679应用注来
释：A00177
形状类
别：箭头，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类
别：电路图
注：N型衬底上的P型沟道，示出增强型IGFET5
GB/T4728.5—2018/1EC60617databaseS00624
称：绝缘栅
Insulated gate
态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-13关
词：场效应管，栅，IGFET，绝缘栅，半导体，晶体管于:S00682.S00673,S00676,S00674,S00683.S00677,S00675,S00678.S00681.S00680,S00679
别：直线
形状类
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
S00625
注：具有多栅的示例见符号S00679称：不同导电型区上的发射极，N区上的P型发射极Emitter on a region of dissimilar conductivity type, P emitter on an N region态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-14关
词：二极管，发射极，半导体，晶体管手：S00626.S00682.S00667.S00663.S00670.S00683.S00681.S00680.S00669.S00687应用注释：A00178
形状类别：箭头，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
S00626
称：不同导电型区上的发射极，N区上的P型发射极Emitters on a region of dissimilar conductivity type, P emitters on an N region态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5ed.2.0)05-01-156
词：二极管，发射极，半导体，晶体管键
采用符号：S00625
应用注释：A00178
形状类别：箭头，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类
别：电路图
S00627
GB/T4728.5—2018/IEC60617database称：不同导电型区上的发射极，P区上的N型发射极Emitter on a region of dissimilar conductivity type, N emitter on a P region态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-16关
词：二极管，发射极，半导体，晶体管于:S00682.S00666,S00668.S00665S00683.S00681,S00680.S00628.S00664应用注
释：A00178
形状类
别：箭头，直线
功能类
别：-功能要素或属性
应用类
S00628
别：电路图
称：不同导电型区上的发射极，P区上的N型发射极Emitters on a region of dissimilar conductivity type, N emitters on a P region态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-17关键词：二极管，发射极，半导体，晶体管采用符号：S00627
应用注释：A00178
形状类别：箭头，直线
功能类别：-功能要素或属性
应用类别：电路图
GB/T4728.5—2018/IEC60617databaseS00629
称：不同导电型区上的集电极
Collector on a region of dissimnilar conductivity type态：标准
日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5ed.2.0)05-01-18关
词：二极管，集电极，半导体，晶体管于：S00668.S00630.S00663,S00665.S00664.S00687应用注来
释：A00179
形状类
别：直线
功能类
应用类
S00630
别：-功能要素或属性
别：电路图
称：不同导电型区上的集电极
Collectors on a region of dissimilar conductivity type态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-19关
词：二极管，集电极，半导体，晶体管采用符
号：S00629
应用注
释：A00179
形状类
别：直线
应用类
S00631
别：-功能要素或属性
别：电路图
称：不同导电型区之间的过渡
Transition between regions of dissimilar conductivity types态：标准
发布日期：2001-07-01
上版标准序号：GB/T4728.5（ed.2.0)05-01-208
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