本文件规定了宇航用半导体分立器件的通用要求、质量保证规定、交货准备和说明事项。本文件适用于宇航用半导体分立器件的设计、生产、检验和销售。

ICS49.035
CCSV25
中华人民共和国国家标准
GB/T43366—2023
宇航用半导体分立器件通用规范General specificationfor discrete semiconductor devicesof spaceapplication
2023-11-27 发布
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会
2024-03-01实施
规范性引用文件
术语和定义
技术要求
总体要求
质量保证等级
生产过程
外协加工和外购芯片
基本要求
试验方法
内部目检
外观及尺寸检查
参数性能
高温寿命·
温度循环
二极管耐久性试验
晶体管耐久性试验
引线键合强度
扫描电子显微镜检查（SEM)
热响应
恒定加速度
粒子碰撞噪声检测试验
细检漏
粗检漏
晶体管高温反偏
功率FET高温反偏
二极管高温反偏
X射线照相
GB/T43366—2023
GB/T43366—2023
超声扫描
可焊性
耐溶剂
热冲击（液体一液体）
间歇工作寿命
二极管热阻
双极型晶体管热阻
功率FET热阻
闸流晶体管热阻
IGBT热阻·
GaAsFET热阻
扫频振动
盐气(侵蚀）
内部气氛含量
高压蒸煮
稳态总剂量辐射
单粒子效应
破坏性物理分析（DPA）
低气压（只适用于额定电压大于200V的器件）静电放电敏感度（ESDS）
耐焊接热
预处理
回流焊模拟
引出端强度
强加速稳态湿热
6检验规则
通则·
检验分类
试验和检验的环境条件：
检验批
鉴定检验
质量一致性检验
用户方监制
6.9用户方验收
7包装、标识、运输、贮存
包装和标识
运输、贮存
附录A（规范性）
总体要求
封装材料
材料要求
器件的镀涂
附录B（资料性）
监制方式
监制内容
附录C（资料性）
用户方监制
用户方验收
验收工作内容·
质量文件审查
验收试验
验收的结果和处理
GB/T43366—2023
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则起草。
GB/T43366—2023
第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任本文件由全国宇航技术及其应用标准化技术委员会（SAC/TC425)提出并归口。本文件起草单位：中国运载火箭技术研究院、中国空间技术研究院、西安电子科技大学、济南市半导体元件实验所、北京中科新微特科技开发股份有限公司、国营第八七三厂、深圳吉华微特电子有限公司、朝阳微电子科技股份有限公司。本文件主要起草人：加春雷、张伟、李彭、丛忠超、张爱学、熊盛阳、孙岩、张莹、薛军帅、崔同、王迎春、张彦飞、李寿全、陈江、曲赫然、李志福1范围
宇航用半导体分立器件通用规范GB/T43366—2023
本文件规定了宇航用半导体分立器件（以下简称“器件”）的通用要求、质量保证规定、交货准备和说明事项。
本文件适用于宇航用半导体分立器件的设计、生产、检验和销售规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T4023—2015
GB/T4586—1994
半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4587一1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1一2006半导体分立器件第10部分：分立器件和集成电路总规范半导体器件机械和气候试验方法第2部分：低气压GB/T4937.2—2006
：半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检GB/T4937.3—2012
GB/T4937.4—2012
(HAST)
GB/T4937.11—2018
GB/T4937.12—2018
GB/T4937.13—2018
GB/T4937.14—2018
GB/T4937.15—2018
GB/T4937.18—2018
GB/T4937.19—2018
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
GB/T4937.20—2018
3半导体器件
湿和焊接热综合影响
机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验机械和气候试验方法
机械和气候试验方法
机械和气候试验方法
第11部分：快速温度变化
第12部分：扫频振动
第13部分：盐雾
机械和气候试验方法
第14部分：引出端强度（引线牢固机械和气候试验方法
机械和气候试验方法
机械和气候试验方法
第15部分：通孔安装器件的耐焊第18部分：电离辐照（总剂量）第19部分：芯片剪切强度
机械和气候试验方法
第20部分：塑封表面安装器件耐潮GB/T4937.21—2018
3半导体器件
机械和气候试验方法
GB/T4937.22—2018
半导体器件租
机械和气候试验方法
第21部分：可焊性
第22部分：键合强度www.bzxz.net
GB/T4937.30—2018
3半导体器件机
机械和气候试验方法第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理
GB/T15291—2015
半导体器件第6部分：晶闸管
GB/T19403.1—2003半导体器件集成电路第11部分：第1篇：半导体集成电路内部目检1
GB/T43366—2023
（不包括混合电路）
GB/T20516一2006半导体器件分立器件第4部分：微波器件GB/T29332一2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）QJ10005一2008宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南IEC60749-6：2017半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温贮存（SemiconductordevicesMechanical and climatic test methods-Part 6:Storage at high temperature)IEC60749-7：2011半导体器件机械和气候试验方法第7部分：内部水汽含量测试和其他残余气体分析（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part7：Internalmoisturecontent measurement and the analysis of other residual gases)IEC60749-8：2002半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封（Semiconductordevices—Mechanical and climatic testmethods-Part8:Sealing)IEC60749-9：2017半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐久性（SemiconductondevicesMechanical and climatic testmethodsPart9:Permanenceof marking)IEC60749-10：2022半导体器件机械和气候试验方法第10部分：机械冲击（SemiconductondevicesMechanical and climatic test methods-Partlo:Mechanical shock-device and subassembly)IEC60749-16：2003半导体器件机械和气候试验方法第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND）Semiconductor devicesMechanical and climatic test methodsPart 16:Particleimpact noise detection（PIND）
IEC60749-25：2003半导体器件机械和气候试验方法第25部分：温度循环（Semiconductordevices—Mechanical and climatic test methods-Part 25:Temperature cycling)IEC60749-26：2018半导体器件机械和气候试验方法第26部分：静电放电（ESDS）敏感度试验人体模型（HBM)[Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part26：Elec-trostatic discharge（ESD)sensitivitytesting-Humanbodymodel（HBM)JIEC60749-33：2022半导体器件机械和气候试验方法第33部分：加速耐湿无偏压高压蒸煮(Semiconductor devices—Mechanical and climatictestmethods—Part 33:Accelerated moisture resistance—Unbiased autoclave)IEC60749-34：2010半导体器件机械和气候试验方法第34部分：功率循环（Semiconductorde-vicesMechanicalandclimatictestmethodsPart34:PowercyclingIEC60749-35：2006半导体器件机械和气候试验方法第35部分：塑封电子元器件的声学扫描(Semiconductor devices-Mechanical and climatictestmethods-Part 35:Acoustic microscopyforplastic encapsulated electronic components)IEC60749-36：2003半导体器件机械和气候试验方法第36部分：恒定加速度(Semiconductor devices—-Mechanical and climatic test methods-Part 36:Acceleration,steady state)IEC60749-42：2014半导体器件机械和气候试验方法第42部分：温度和湿度贮存（Semiconductor devicesMechanical and climatic test methods-Part 42:Temperature and humidity storage)3术语和定义
本文件没有需要界定的术语和定义。2
技术要求
4.1总体要求
GB/T43366—2023
器件设计、结构应能承受正常使用过程的电、热等应力。在预定应用环境下，器件不应受环境影响产生超过允许范围的电气性能劣化。2质量保证等级
按本文件交货的A级、B级、C级器件应符合第4章规定的技术要求，第6章规定的检验要求和第7章规定的包装、标识、运输、贮存要求。4.3设计
4.3.1基本要求
器件设计基本要求如下。
应建立设计规范。设计规范应规定与设计相关的工艺和材料，包括应用环境与受影响材料或（和）工艺之间的相互作用。应记录与本文件不一致的任何设计要求应建立热特性、机械特性和电气性能最恶劣情况下的设计模型和程序。适用时，应规定对设计规则、电气规则、可靠性规则和热设计规则的检查程序。d）
应制定封装外壳性能验证程序。4.3.2设计验证
为保证新研制器件的设计满足要求，应进行以下设计验证。模型验证：提供证据证明设计过程中用到的模型起到预期的作用，能够精确覆盖最严酷的温度a)
条件和最恶劣的电学条件，模型包括半导体工艺、装配和封装等。b）
版图验证，人工或自动化布图过程中，进行设计、电气和可靠性规则的检查，规则检查至少包括：
设计规则检查（DRC）：几何学和物理学检查：1）
电气规则检查（ERC)：短路、开路、连通性检查；2）
可靠性规则检查：如电迁移、电流密度、反向漏电流、锁定、单粒子烧毁、热载流子注入、静电放电、栅烧毁等；
辐射加固保证（RHA)规则检查（有要求时）。4）
性能验证：验证器件性能覆盖温度、电压及电流的极限范围（该范围由设计仿真确定）。所有临c）
界于几何和电气设计规则最低要求的情况应重点关注。电应力试验在最严苛条件下进行。当器件出现失效时，通过失效分析确定失效机理，并对发现的问题采取纠正措施。4.4材料
器件的材料应符合附录A的规定。4.5标识
4.5.1通则
每只已封装的器件上均应有下列标识，且标识应清晰可读。如果器件上没有足够的区域打上所有3
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