本文件规定了蓝宝石图形化衬底片（以下简称“衬底”）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于蓝宝石图形化衬底片的研发、生产、测试、检验及性能质量的评价。

ICS29.045
CCS H 83
中华人民共和国国家标准
GB/T43662—2024
蓝宝石图形化衬底片
Patterned sapphiresubstrate
2024-03-15发布
国家市场监督管理总局
国家标准花管理委员会
2024-10-01实施
GB/T43662—2024
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本文件起草单位：广东中图半导体科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、华灿光电（浙江)有限公司、黄山博蓝特半导体科技有限公司、北京大学东莞光电研究院、云南蓝晶科技有限公司、南京理工宇龙新材料科技股份有限公司、通辽精工蓝宝石有限公司、苏州恒嘉晶体材料有限公司。
本文件主要起草人：张能、贺东江、张小琼、李素青、肖桂明、王子荣、朱广敏、康凯、刘建哲、丁晓民、王新强、何永杰、戴生仞、闫殿军、徐永亮。I
1范围
蓝宝石图形化衬底片
GB/T43662—2024
本文件规定了蓝宝石图形化衬底片（以下简称“衬底”）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于蓝宝石图形化衬底片的研发、生产、测试、检验及性能质量的评价。2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T2828.1—2012
计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划
GB/T8758
化镓外延层厚度红外干涉测量方法硅片直径测量方法
GB/T14140
半导体材料术语
GB/T14264
GB/T20307
纳米级长度的扫描电镜测量方法通则GB/T25915.1—2021
1洁净室及相关受控环境
第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1
图形化衬底
patternedsubstrate
通过光刻或压印图形掩膜工艺，再经等离子体刻蚀技术，制成的表面具有一系列类圆锥体的周期性阵列排布的微纳米图形结构的衬底。注：图形化衬底用于提升氮化发光二极管的光电性能3.2
图形排布
pattern arrangement
衬底表面图形按最密堆积原则进行位置及方向上的阵列分布。0排布如图1所示，90°排布如图2所示。图10排布
GB/T43662—2024
图形底部patternbottom
图290°排布
衬底表面图形与无图形区域相交的位置。3.4
patternpitch
图形周期
衬底表面重复出现的相同图形排布中，任意两个相邻图形几何中心点之间的距离，如图3所示。图3图形周期
图形高度
pattern height
图形底部平面至图形顶点之间的垂直距离，如图4所示。2
图形底宽
patternbottomwidth
图形高度
在图形底部区域的平面上，图形区域的最大宽度，如图5所示。图5
图形间距
patternspace
图形底宽
GB/T43662—2024
在图形底部区域的平面上，任意两个相邻图形边缘之间的最短距离，如图6所示。图6
图形底部夹角
patternbottomangle
图形间距
图形底部平面与图形侧壁之间的夹角，如图7所示。3
GB/T43662—2024
图形间距
pattern arc spacing
图7图形底部夹角
图形侧壁到图形侧壁底部端点与顶点之间连线的最大垂直距离，如图8所示。图8图形间距
patternuniformity
图形均匀性
在图形化衬底上，图形尺寸参数的离散程度3.11
图形化衬底上，为保持刻蚀过程中晶片的稳定，在边缘圆周上采用的固定治具痕迹。3.12
图形缺失
patternloss
图形化衬底上，周期性阵列排布的图形在局部区域出现无图形或图形被破坏的现象。3.13
gridline
步进式投影光刻机制备图形化衬底时，由光刻版拼接导致的外观呈现网格状的现象。3.14
拼接不良
mis-alignment
步进式投影光刻机制备图形化衬底时，图形结合不完整或移位的现象。分类
GB/T43662—2024
衬底按直径分为50.8mm（2in）、100mm（4in）、150mm（6in）、200mm（8in）四种规格。4.1
4.2衬底按导向边分为参考边导向边（如图9所示）和参考槽导向边（如图10所示）。图9
技术要求
衬底尺寸
衬底尺寸应符合表1的规定。
参考边导向边
参考槽导向边
衬底尺寸
直径及其允许偏差
厚度及其允许偏差
图形规格
图形尺寸
50.8 mm(2in)
50.8mm±0.1mm
430μm±10μm
衬底图形尺寸应符合表2的规定。100 mm(4 in)
100mm±0.1mm
650μm±20μm
800μm±20μm
150mm(6in)
150mm±0.2mm
1000μm±20μm
1300μm±20μm
200mm(8in)
200mm±0.2mm
1300μm±20μm
1600μm±20μm
GB/T43662—2024
图形周期
图形高度
图形底宽
图形间距
图形间距
图形底部夹角
反射率
图形尺寸
图形尺寸
3.0μm±0.1μm,1.8μm±0.1μm1.80μm±0.2μm,0.9μm±0.1 μm2.80μm±0.2μm,1.6μm±0.1μm0.20 μm±0.2 μm,0.2 μm±0.1μm100nm~200nm，40nm~90nm
60°±10°，50°±10°
衬底的反射率通过单点反射率、反射率均值、反射率分布的标准偏差、反射率极差进行评价，应符合表3的规定。
单点反射率bZxz.net
反射率均值
反射率分布的标准偏差
反射率极差
图形均匀性
衬底反射率相关参数
取值范围
70~140
以衬底导向边为参考，取衬底上、中、下、左、右共5点，距边缘5mm位置测量图形高度和图形底宽，片内均匀性应不超过5%。5.2.3.2
高度均匀性按公式（1)进行计算。Uh
式中：
衬底高度均匀性；
图形高度最大值；
图形高度最小值。
底宽均匀性按公式（2)进行计算。Hmx-Hmn
×100%
Hmax +Hmin
Wmx-Wmi
×100%
Wmax+W
式中：
衬底底宽均匀性；
图形底宽最大值；
图形底宽最小值。
5.2.4无效图形区域宽度
GB/T43662—2024
衬底边缘无图形圆环区域宽度（图11所示A）应小于0.5mm，衬底的压爪从边缘延伸到晶片内部的距离（图11所示B）应小于0.9mm，衬底的合格质量区到衬底边缘之间的圆环区域（图11所示C)宽度应小于1.5mm。
图11衬底无效图形区域宽度
5.3外观
衬底的外观应符合附录A的规定。5.4其他
需方如对衬底有其他要求，由供需双方协商确定、6
试验方法
衬底尺寸
衬底直径及其允许偏差的测试按GB/T14140的规定进行。衬底厚度及其允许偏差的测试按GB/T8758的规定进行。图形规格
衬底图形尺寸的测试按附录B的规定进行。衬底反射率的测试按附录C的规定进行。衬底均匀性的测试按附录D的规定进行。衬底无效图形区域的测试按附录E的规定进行。6.2.4
6.3外观
6.3.1衬底外观的宏观检验在光照度为（350土50)1x、色温为（5000士1000)K、视距为（300士50）mm的条件下目视检验，目视检验有缺陷后使用金相显微镜进行测量判定，衬底外观的微观检验按附录C的规定进行。6.3.2
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