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GB/T 41270.9-2022

基本信息

标准号: GB/T 41270.9-2022

中文名称:航空电子过程管理 大气辐射影响 第9部分:航空电子设备单粒子效应故障率计算程序与方法

标准类别:国家标准(GB)

英文名称:Process management for avionics—Atmospheric radiation effects—Part 9:Single event effect fault rate calculation methods and procedures for avionic equipment

标准状态:现行

发布日期:2022-03-09

实施日期:2022-10-01

出版语种:简体中文

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相关标签: 航空 电子 过程 管理 大气 辐射 影响 电子设备 粒子 效应 计算 程序 方法

标准分类号

标准ICS号:航空器和航天器工程>>49.020航空器与航天器综合

中标分类号:航空、航天>>航空器与航天器零部件>>V25电子元器件

关联标准

出版信息

出版社:中国标准出版社

页数:28页

标准价格:49.0

相关单位信息

起草人:王群勇、邵文韬、陈冬梅、阳辉、白桦、施发健、严拴航、梁力、闫攀峰、王晓炜

起草单位:中国航空综合技术研究所、北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司、中国航空工业集团公司西安飞机设计研究所

归口单位:全国航空电子过程管理标准化技术委员会(SAC/TC 427)

提出单位:全国航空电子过程管理标准化技术委员会(SAC/TC 427)

发布部门:国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会

标准简介

本标准给出了航空电子设备单粒子效应故障率通用计算方法、总故障率计算方法、软故障率计算方法、硬故障率计算方法与计算程序。 本标准适用于35km以下高空内工作的航空电子设备的研制、试验和维护。


标准图片预览






标准内容

ICS49.020
CCS 25
中华人民共和国国家标准
GB/T 41270.9—2022
航空电子过程管理
大气辐射影响
第9部分:航空电子设备单粒子效应故障率计算程序与方法
Process management for avionicsAtmospheric radiation effects-Part 9 : Single event effect fault rate calculation methods and procedures foravionic equipment
2022-03-09发布
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会
2022-10-01实施
规范性引用文件
术语和定义
缩略语
计算方法
通用计算方法
总故障率计算方法
软故障率计算方法
硬故障率计算方法
6计算程序
计算流程图
计算步骤
附录A(资料性)
附录B(资料性)
附录C(资料性)
附录D(资料性)
参考文献
计算案例
敏感器件清单
大气中子辐射应力计算方法
单粒子效应截面数据典型值
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GB/T41270.9—2022
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则起草。
GB/T 41270.9—2022
第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定本文件是GB/T41270《航空电子过程管理!大气辐射影响》的第9部分。GB/T41270已经发布了以下部分:
第7部分:航空电子产品设计中单粒子效应分析过程管理;第9部分:航空电子设备单粒子效应故障率计算程序与方法。本文件由全国航空电子过程管理标准化技术委员会(SAC/TC427)提出并归口。本文件起草单位:中国航空综合技术研究所、北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司、中国航空工业集团公司西安飞机设计研究所。本文件主要起草人:王群勇、邵文韬、陈冬梅、阳辉、白桦、施发健、严拴航、梁力、闫攀峰、王晓炜库七七www.kqqw.com标准下载
GB/T41270.9—2022
0.1目标
本文件是为了航空电子设备电子产品单粒子效应故障率的分析计算的需要而制定的。0.2技术概述
大气层内工作的航空电子设备,其关键器件在遭受大气中子辐射下会产生多种单粒子效应,传递至航空电子设备,会产生单粒子效应软故障和/或硬故障,会影响飞机的安全性。考虑到只有设备级SEE故障率才参与系统级、飞机级的安全分析过程。因此,在飞机安全性评估过程中需要提供设备级的SEE故障率及其计算方法与程序,为航空电子设备安全性分析提供基础数据。GB/个34955一2017《大气辐射影响航空电子系统单粒子效应试验指南》和GB/T34956一2017《大气辐射影响航空电子设备单粒子效应防护设计指南》共同构成航空电子产品开展单粒子效应设计与分析的基础技术标准。
GB/T41270规定了大气中子单粒子效应分析、试验、评价方法与程序,拟由两个部分构成。第7部分:航空电子产品设计中单粒子效应分析过程管理。目的在于规定航空电子产品设计中电子元器件单粒子效应分析的方法和程序。一第9部分:航空电子设备单粒子效应故障率计算程序与方法。目的在于规定航空电子设备单粒子效应故障率通用、总故障率、软故障率、硬故障率计算方法与计算程序。0.3相关专利情况说明
本文件的发布机构提请注意,声明符合本文件时,可能涉及单粒子效应故障率、大气中子辐射应力、器件敏感截面、降额因子相关的专利的使用。本文件的发布机构对于该专利的真实性、有效性和范围无任何立场。该专利持有人已向本文件的发布机构承诺,他愿意同任何申请人在合理且无歧视的条款和条件下,就专利授权许可进行谈判。该专利持有人的声明已在本文件的发布机构备案。表1中列出的专利权人持有本文件涉及的专利。表1持有本文件涉及专利的专利权人相关信息专利持有人
北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司地址
北京市海淀区紫竹院路69号中国兵器大厦708室请注意除上述专利外,本文件的某些内容仍可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
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1范围
航空电子过程管理大气辐射影响第9部分:航空电子设备单粒子效应故障率计算程序与方法
GB/T 41270.9—2022
本文件给出了航空电子设备单粒子效应故障率通用计算方法、总故障率计算方法、软故障率计算方法、硬故障率计算方法与计算程序。本文件适用于35km以下高空内工作的航空电子设备的研制、试验和维护。2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T34955—2017大气辐射影响
司航空电子系统单粒子效应试验指南GB/T34956一2017大气辐射影响航空电子设备单粒子效应防护设计指南3术语和定义
GB/T34956一2017界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1
大气中子辐射应力
atmospheric neutron radiation stress飞行任务过程中,航空电子设备遭受的大气辐射环境中子注量率。注:大气中子辐射应力的单位为每平方厘米小时[/(cm2·h)]。3.2
单粒子效应故障率single event effectfaultrate加电工作状态下,单位时间内大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子效应故障次数。注:单粒子效应故障率的单位为次每小时(次/h)。4缩略语
下列缩略语适用于本文件。
ADC:模拟数字转换器(analog-to-digitalconverter)AD/DA:模数/数模转换(analog-to-digital/digital-to-analogconvert)APS:高级成像系统(advancedphotosystem)CCD:电荷耦合元件(charge-coupleddevice)CMOS:互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor)CPU:中央处理器(centralprocessingunit)DAC:数字模拟转换器(digital-to-analogconverter)DRAM:动态随机存取存储器(dynamicalrandomaccessmemory)1
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GB/T41270.9—2022
DSP:信号处理器(digital signalprocessing)EEPROM:带电可擦可编程只读存储器(electricalerasableprogrammablereadonlymemory)FPGA:现场可编程逻辑门阵列(fieldprogrammablegatearray)IGBT:绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor)MBU:单粒子多位翻转(multiplebitupset)MCU:单粒子多单元翻转(multiplecellupset)MOSFET:金属氧化物半导体场效应管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor)SDRAM:同步动态随机存取存储器(synchronousdynamicalrandom-accessmemory)SEB:单粒子烧毁(single eventburnout)SEE:单粒子效应(singleevent effect)SEFI:单粒子功能中止(single eventfunctional interrupt)SEGR:单粒子栅穿(singleeventgaterupture)SEL:单粒子锁定(single event latch-up)SET:单粒子瞬态(single eventtransient)SEU:单粒子翻转(single event upset)SRAM:静态随机存取存储器(staticrandom-accessmemory)5计算方法
通用计算方法
设备级或功能板级单粒子效应故障率通用计算方法如公式(1)所示。入=rsEE×Ⅱ
式中:
一大气中子辐射导致的单粒子效应故障率,单位为次每小时(次/h);rsEE
大气中子辐射导致的单粒子效应率,单位为次每小时(次/h);(1)
降额因子,取值范围为[0,1]。借用降额因子来指代单粒子效应率转化为单粒子效应故障率的转化程度,下载标准就来标准下载网
单粒子效应率的通用计算方法如公式(2)所示。rsEE=fXo
式中:
f——大气中子辐射应力,单位为每平方厘米小时[/(cm2·h)];0
·(2)
敏感器件单粒子效应截面,单位为平方厘米每比特(cm2/bit)或平方厘米每器件(cm2/dev)。5.2总故障率计算方法
半导体器件单粒子效应种类包括SEU、SET、SEFI、SEL、SEB等。其中,SEU、SET、SEFI、SEL等单粒子效应会导致设备单粒子效应软故障;SEL、SEB等单粒子效应会导致设备单粒子效应硬故障航空电子设备单粒子效应总故障率计算方法如公式(3)所示。入total =入 soft 十入 hard
式中:
入total—一大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子效应总故障率,单位为次每小时(次/h);入soft一一大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子效应软故障率,单位为次每小时(次/h);A hard
大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子效应硬故障率,单位为次每小时(次/h)。5.3软故障率计算方法
航空电子设备单粒子效应软故障现象是指可自动恢复的故障或断电重启后可恢复的故障。2
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航空电子设备单粒子效应软故障率的计算方法如公式(4)所示。A soft =Asoft-SEU +A solft-SET +A goft-SEFI +A soft-SEL式中:
A soft-SEU
入soft-SET
入softSEFT
入goft-SEL
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·(4)
大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子翻转软故障率,单位为次每小时(次/h);大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子瞬态软故障率,单位为次每小时(次/h);大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子功能中止软故障率,单位为次每小时(次/h);大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子锁定软故障率,单位为次每小时(次/h)。航空电子设备单粒子翻转软故障率的计算方法如公式(5)所示。(rsEU-; ×IsEU-Iused-i)×IIeror入sofSEU=
式中:
IIsEU-
Iusedi
第讠个大气中子单粒子效应敏感器件,简称器件i;器件i单粒子翻转率,单位为次每小时(次/h);(5)
器件i单粒子翻转减缓措施降额因子,取值范围为[0,1]。如果该器件采取了有效减缓措施,降额因子宜取值0,没有采取有效减缓措施,宜取值1;器件i资源利用率,取值范围为0,1」,取值为应用所占用资源与全部存储资源的比率;单粒子翻转在航空电子设备中传播并导致设备软故障的传递率,取值范围在[0,1]。软故障传递率可选推荐值1/52。
航空电子设备单粒子瞬态软故障率的计算方法如公式(6)所示。Z(rsET-: × IIsET-:) ×IIerrorsoft-SET=
式中:
IsET-i
器件i单粒子瞬态率,单位为次每小时(次/h);.(6)
器件i单粒子瞬态减缓措施降额因子,取值范围为[0,1]。如果采取了有效减缓措施,宜取值0,没有采取有效减缓措施,宜取值1。航空电子设备单粒子功能中止软故障率的计算方法如公式(7)所示。AsoftSEFI=
式中:
器件i单粒子功能中止率,单位为次每小时(次/h)。航空电子设备单粒子锁定软故障率的计算方法如公式(8)所示。(r sEL- XIsEL-)
A soft-SEL=
式中:
I sEL-
器件i单粒子锁定率,单位为次每小时(次/h);(7)
·(8)
器件i单粒子锁定限流防护措施降额因子,取值范围为[0,1]。如果该器件采取了限流防护措施,其降额因子宜取值1;如果未采取限流防护措施,其降额因子宜取值0。注:单粒子多位翻转(MBU)、单粒子多单元翻转(MCU)导致的设备单粒子效应软故障率可以按照相似性原理见公式(5)计算。
5.4硬故障率计算方法
航空电子设备单粒子效应硬故障率计算方法如公式(9)所示。入hard =入 hardSEL +入 hardSEB式中:
(9)
A hard SEL
大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子锁定硬故障率,单位为次每小时(次/h);入hardSEE
大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子烧毁硬故障率,单位为次每小时(次/h)。航空电子设备单粒子锁定硬故障率计算方法如公式(10)所示。3
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入 hardSEL
r SEL- X (1-II sEL-)
航空电子设备单粒子烧毁硬故障率计算方法如公式(11)所示。入hardSEB
式中:
II sEB-i
CrsEB-: XIIsEB-i
器件i单粒子烧毁率,单位为次每小时(次/h);(10)
(11)
器件i单粒子烧毁减缓措施降额因子,取值范围为[0,1]。针对高压器件,如果采取了降额使用电压措施,例如,当MOSFET的工作电压小于300V时,降额因子宜取值0,当其工作电压大于300V时,降额因子宜取值1。注:单粒子栅穿(SEGR)导致的设备单粒子效应硬故障率可以按照相似性原理见公式(11)计算。6计算程序
计算流程图
航空电子设备单粒子效应故障率计算流程图如图1所示,附录A给出了导航接收机的单粒子效应故障率计算案例。输入:
航空电子设备器件清单;
飞行航线(高度、纬度、经度):指标要求
计算步骤
确定敏感器件清单
SEE敏感特性
(表B.1))
确定中子辐射应力厂
典型值法
平均值法
坐标点法
峰值法
极端值法
计算总故障率
软故障率计算
SEE敏感器件清单
(表B.2)
确定SEE截面
数据来源一
数据来源二
数据来源三
硬故障率计算
航空电子设备单粒子效应
故障率计算报告
计算流程图
确定降额因子Ⅱ
资源利用率
防护减缓因子
软故障传递率
总故障率计算
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6.2输入
航空电子设备单粒子效应故障率计算需要的主要输人信息如下:航空电子设备半导体器件清单;a)
b)飞机飞行的高度、纬度、经度或飞行航线,是否考虑太阳极端事件;c)
指标要求。
6.3计算步骤
6.3.1确定敏感器件清单
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根据器件单粒子效应敏感特性,确定航空电子设备的单粒子效应敏感器件清单:a)
根据器件单粒子效应敏感特性,见附录B的表B.1,确定单粒子效应敏感器件;b)参考航空电子设备单粒子效应敏感器件清单模板,见表B.2,填写敏感器件信息。6.3.2计算大气中子辐射应力
根据飞行航线,以及是否考虑太阳极端事件的需求,按照大气中子辐射应力计算方法,计算大气中子辐射应力。附录C给出了5种大气中子辐射应力计算方法,可根据需求选择其中的一种方法:a)
典型值法;
平均值法;
坐标点法;
峰值法;
极端值法。
6.3.3确定单粒子效应截面
根据器件类型、工艺类型或试验数据,确定敏感器件单粒子效应截面:a)
数据来源一:在设计初期,可根据附录D中表D.1中的器件类型单粒子效应截面典型值,获取敏感器件单粒子效应截面数据:数据来源二:在详细设计阶段,可根据器件型号的工艺类别/工艺参数,参考GB/T34956b)
2017,获取相似器件工艺的单粒子效应截面数据:数据来源三:根据厂家提供的器件数据表,获取单粒子效应截面数据;或开展地面模拟单粒子c
效应试验,试验方法应符合GB/T34955一2017,获取器件截面试验数据6.3.4确定降额因子
根据设备的功能应用特征,确定下列降额因子:a)
资源利用率;
单粒子效应防护/减缓措施降额因子;c)单粒子效应软故障传递率。
6.3.5计算单粒子效应总故障率
根据第5章中航空电子设备单粒子效应故障率计算公式,计算航空电子设备的单粒子效应故障率如下:
航空电子设备单粒子效应软故障率;a)
航空电子设备单粒子效应硬故障率;5
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航空电子设备单粒子效应总故障率。4输出
输出航空电子设备的单粒子效应故障率计算报告,报告目录如下:概述
计算方法
计算程序
计算结果
航空电子设备基本信息
大气中子辐射应力
单粒子效应敏感器件清单
航空电子设备单粒子效应率
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A.1计算案例概述
附录A
(资料性)
计算案例
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某机载卫星导航接收机(以下简称导航接收机),无完余,其主要功能是接收导航卫星信号,经过下变频处理、数字基带处理、软件解算,实时给出导航接收机的位置和速度信息。本案例给出导航接收机在大气中子辐射影响下单粒子效应故障率的计算过程与计算结果。计算过程如下。输入
导航接收机单粒子效应故障率计算需要的主要输人信息如下。a)
导航接收机器件清单。
该设备使用的器件包括1个DSP、1个SRAM和2个SRAM型FPGAb)飞行航线(高度、纬度、经度),是否考虑太阳极端事件。参照附录B.1典型值法,假设飞行航线为高度为12.2km,纬度为北纬45°。不考虑太阳极端事件。
指标要求。
指标要求见本文件规范性引用文件,并引用导航接收机的设计要求。A.3计算步骤
确定敏感器件清单
依据输人,通过参考表B.1常见器件大气中子单粒子效应敏感特性,进行器件单粒子效应敏感性分析,获得该导航接收机设备使用的1个DSP、1个SRAM和2个SRAM型FPGA的敏感器件清单。参照表B.2单粒子效应敏感器件清单模板,填写导航接收机单粒子效应敏感器件清单信息,如表A.1所示。
表A.1导航接收机单粒子效应敏感器件清单器
板2FPGA
板3FPGA
类型/
cm\/bit
cm2/dev
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cm\/dev
cm2/devcm*/dev
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