JB/T 7061-1993
基本信息
标准号： JB/T 7061-1993
中文名称：电力半导体器件用硅圆片
标准类别：机械行业标准(JB)
英文名称： Silicon wafers for power semiconductor devices
标准状态：现行
发布日期：1993-10-08
实施日期：1994-01-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：1590130
标准分类号
中标分类号：电工>>输变电设备>>K46电力半导体期间、部件
关联标准
出版信息
页数：6 页
标准价格：12.0 元
相关单位信息
归口单位：西安电力电子技术研究所
发布部门：西安电力电子技术研究所
标准简介
本标准规定了电力半导体器件用硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输与贮存。 本标准行之有效用于直拉单晶、悬浮区熔单晶、中子嬗变惨杂晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。 JB/T 7061-1993 电力半导体器件用硅圆片 JB/T7061-1993 标准下载解压密码：www.bzxz.net
标准图片预览
标准内容
中华人民共和国机械行业标准
JB/T 7061 -1993
电力半导体器件用硅圆片
1993-10-08发布
中华人民共和国机械工业部
1994-01-01实施
中华人民共和国机械行业标准
电力半导体器件用硅圆片
1主题内容与适用范围免费标准bzxz.net
JB/T7061-1993
本标准规定了电力半导体器件用硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输与贮存。本标准适用于直拉单晶、悬浮区熔单晶、中子嫂变掺杂单晶经切割、双面研磨制备的国形硅片。2引用标准
GB1550
GB1555
GB2828
GB6615
GB6618
GB6619
GB11073
GB12962
硅片分类
硅单晶导电类型测量方法
硅单晶晶向光图测量方法
逐批检查计数抽样程序及抽样表硅片电阻率的直排四探针测试方法硅片厚度和总厚度变化的测试方法硅片弯曲度的接触式测试方法
硅片径向电阻率变化的测试方法硅单晶
3.1导电类型及硅片类别
硅片按导电类型分为N型和P型，按硅单晶类别分为直拉、悬浮区熔和中子嬉变掺杂三类硅片。3.2牌号
硅单晶切割片和研磨片的牌号为：-Msi
CS(LS)
一电阻率范围(n·cm）
硅片直径尺寸(mm）
-CS表示切割片
LS表示研磨片
一硅单晶导电类型
硅片类别
硅片类别中CZ表示直拉法，FZ表示悬浮区熔法，NTD表示中子嬉变掺杂法。例如：FZ-MsiN-LS
51~60-60~80表示悬浮区熔N型硅单晶研磨片，直径为51~60mm，电阻率为60~80m.cm
4技术要求
机械工业部1993-10-08批准
1994-01-01实施
JB/T7061-1993
硅片的导电类型、电阻率、少子寿命、位错、晶向偏离度等物理参数应符合GB12962的规定。非等径硅片的技术参数应符合表1的规定，硅片厚度按用户要求。
产品名附
切割片
研磨片
技术参数
厚度偏差
总厚度变化
弯曲度
厚度偏差
总厚度变化
弯曲度
>40~50
直径范围
>50~60
等径硅片的技术参数应符合表2规定，硅片厚度根据用户要求。
产品名所
技术参数
直径偏差
厚度偏差
切割片
研磨片
总厚度变化
湾曲度
直经偏差
厚度偏差
总厚度变化
寄曲度
未例角
≤0. 005
>40~50. 8
0~-0.20mm。
套因片的直径偏差：（
硅片的晶向偏离度；≤3°。
表面质量
直径范围
>50.8~63.5
± 0. 020
≤0. 007
>63.5~76.2
>60~80
>80~100
>90~100
硅片崩边径向延伸符合表1、表2的规定，周边长不大于2mm，每片硅片朗边总数不超过二个。套圆片的崩边只允许单面存在，深度不超过片厚的0.5倍，数量不得超过三个。套圆片沿径向延伸的崩边长度不得大于0.3mm。非等径硅片沿径向延伸的缺口长度不得大于1mm，每片硅片的缺口不得超过二个。切割片允许其表面有呈正常弧状条纹的刀痕，刀痕深度不得大于0.01mm。研磨片应看不出划道。
硅片不允许有裂缝。
研磨片表面应无沾污和异常色彩斑点。2
试验方法
JB/T 7061 -1993
硅片导电类型测量按GB1550的规定进行，硅片电阻率测量按GB6615的规定进行。硅片径向电阻率变化测量按GB11073的规定进行，硅片晶向测量按GB1555的规定进行。硅片直用精度为0.02mm游标卡尺测量。硅片厚度和总厚度变化测量按CB6618的规定进行。硅片弯曲度测量按GB6619的规定进行。裂纹：8W荧光灯下目测，
8W荧光灯下目测。
缺口：
刀痕：8W荧光灯下目测或用刀痕深度测试仪测量。崩边：8W荧光灯下目测或用直尺测量。划道：8W荧光灯下目测。
对表面质量有争议时，用4～6倍故大镜目测。检验规则
每批硅片按表3进行检验。
抽样检验不合格批的硅片，可按加严方法检验，但只能追加一次。表
检验项目
电阻率范
径向电阻率变化
晶向偏离度
厚度偏茎
总厚度变化
弯曲度
直径偏差
引用标准
GB6615
GB11073
GB1555
GB6618
GB6618
GB6619
标志、包装、运输与贮存
检验方法
直排四探针法
直排四探针法
激光定向仪法
0.01mm千分尺
0.01mm千分尺
三球面支座夸曲度测试仪
0.02mm游标卡尺
在8W荧光灯下目测
在8W荧光灯下目测
在8W荧光灯下目测
在8W荧光灯下目测
在8W荧光灯下目测深度剩试仪
在8W荧光灯下目测
检验要求
合格判据
GB12962表2、表3、表4
GB12962表2、表3、表4
表1、表2
表1、表2
表1.表2
表2、4.4条
抽样方案【
mm、个表1、表2、4.6.1.4.6.2,4.6.3个
包装箱应标有“小心轻放”及“防腐、防潮”字样或标记并注明：1.0
硅片名称；
硅片重量；
供方名称、地址及邮政编码。
包装盒上应注明：
供方名称；
硅片名称及牌号；
硅片数量、重量；
包装日期，
JB/T7061-1993
包装盒内应附有硅片合格证，合格证上应注明：供方名称；
硅片名称及牌号；
掺杂元索；
是向；
晶体编号：
炉号；
少子寿命；
位错：
厚度：
片数或重量；
检验员及厂检验部门印记；
本标准编号；
检验日期。
硅片先装入洁净的塑料袋中，再装入相应规格的盒子中，然后将盒子装入包装箱。包装应具有防碎、防损伤、防沾污措施。特殊的包装要求由供需双方商定，7.3运输
硅片在运输过程中应轻装轻卸，严禁抛，采取防震、防潮措施。7.4贴存
硅片应贮存在洁净、干燥环境中。4
晶向：晶体结晶方向。
JB/T7061-1993
（补充件）
晶向偏离度：硅片法线与晶体结晶方向编离角度。硅片厚度：硅片中心厚度值。
厚度偏差：硅片中心点厚度的测量值与公称值之差、直径偏差；硅片直径的测量值与直径的公称值之差。总厚度变化：硅片五点厚度（中心一点和距边缘6mm处间隔90°的四点）间的最大值与最小值之差。弯曲度：硅片中线面的中心点处凸或凹形变的度量。缺口：
硅片边缘穿透两面的缺损。
崩边：7
硅片边缘不穿透两面的破损。
裂纹：硅片表面或穿透两面的破损。刀痕：硅片在切割时进刀与退刀和刀刃片磨擦引起的痕迹。划道；硅片在研磨时，引起的表面划伤。硅片圆周经加工倒出的圆弧状。倒角：
经滚磨或套圆加工有直径偏差的硅片，等径硅片：
非等径硅片：不进行直径滚磨或套圆的硅片。批量范围
91~150
151280
281~500
501~1200
1201~3200
3201~10000
祥品量
JB/T7061 -1993
附录B
AQL抽样表
(补充件）
合格判定数，Re：2
表中Ac：
不合格判定数。
附加说明：
本标准由机械工业部西安电力电子技术研究所提出并归口。3
本标准由上海电器公司上海整流器总厂、上海电子器材厂负责起草。本标准主要起草人孙国范、王寿璞、董剑华、时俭新。1. 5
中华人民共和
机械行业标准
电力半导体器件用硅圆片
JB/T 7061 - 1993
机械科学研究院出版发行
机械科学研究院印刷
（北京首体南路2号
开本880×1230
19XX年XX月第X版
印数1-XXX
邮编100044）
字数XXX,XXX
印张X/X
19XX年XX月第X印刷
定价XXX.XX元
XX-XXX
机械工业标准服务网：http://www.JB.ac.cn661190
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JB/T 7061 -1993
电力半导体器件用硅圆片
1993-10-08发布
中华人民共和国机械工业部
1994-01-01实施
中华人民共和国机械行业标准
电力半导体器件用硅圆片
1主题内容与适用范围免费标准bzxz.net
JB/T7061-1993
本标准规定了电力半导体器件用硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输与贮存。本标准适用于直拉单晶、悬浮区熔单晶、中子嫂变掺杂单晶经切割、双面研磨制备的国形硅片。2引用标准
GB1550
GB1555
GB2828
GB6615
GB6618
GB6619
GB11073
GB12962
硅片分类
硅单晶导电类型测量方法
硅单晶晶向光图测量方法
逐批检查计数抽样程序及抽样表硅片电阻率的直排四探针测试方法硅片厚度和总厚度变化的测试方法硅片弯曲度的接触式测试方法
硅片径向电阻率变化的测试方法硅单晶
3.1导电类型及硅片类别
硅片按导电类型分为N型和P型，按硅单晶类别分为直拉、悬浮区熔和中子嬉变掺杂三类硅片。3.2牌号
硅单晶切割片和研磨片的牌号为：-Msi
CS(LS)
一电阻率范围(n·cm）
硅片直径尺寸(mm）
-CS表示切割片
LS表示研磨片
一硅单晶导电类型
硅片类别
硅片类别中CZ表示直拉法，FZ表示悬浮区熔法，NTD表示中子嬉变掺杂法。例如：FZ-MsiN-LS
51~60-60~80表示悬浮区熔N型硅单晶研磨片，直径为51~60mm，电阻率为60~80m.cm
4技术要求
机械工业部1993-10-08批准
1994-01-01实施
JB/T7061-1993
硅片的导电类型、电阻率、少子寿命、位错、晶向偏离度等物理参数应符合GB12962的规定。非等径硅片的技术参数应符合表1的规定，硅片厚度按用户要求。
产品名附
切割片
研磨片
技术参数
厚度偏差
总厚度变化
弯曲度
厚度偏差
总厚度变化
弯曲度
>40~50
直径范围
>50~60
等径硅片的技术参数应符合表2规定，硅片厚度根据用户要求。
产品名所
技术参数
直径偏差
厚度偏差
切割片
研磨片
总厚度变化
湾曲度
直经偏差
厚度偏差
总厚度变化
寄曲度
未例角
≤0. 005
>40~50. 8
0~-0.20mm。
套因片的直径偏差：（
硅片的晶向偏离度；≤3°。
表面质量
直径范围
>50.8~63.5
± 0. 020
≤0. 007
>63.5~76.2
>60~80
>80~100
>90~100
硅片崩边径向延伸符合表1、表2的规定，周边长不大于2mm，每片硅片朗边总数不超过二个。套圆片的崩边只允许单面存在，深度不超过片厚的0.5倍，数量不得超过三个。套圆片沿径向延伸的崩边长度不得大于0.3mm。非等径硅片沿径向延伸的缺口长度不得大于1mm，每片硅片的缺口不得超过二个。切割片允许其表面有呈正常弧状条纹的刀痕，刀痕深度不得大于0.01mm。研磨片应看不出划道。
硅片不允许有裂缝。
研磨片表面应无沾污和异常色彩斑点。2
试验方法
JB/T 7061 -1993
硅片导电类型测量按GB1550的规定进行，硅片电阻率测量按GB6615的规定进行。硅片径向电阻率变化测量按GB11073的规定进行，硅片晶向测量按GB1555的规定进行。硅片直用精度为0.02mm游标卡尺测量。硅片厚度和总厚度变化测量按CB6618的规定进行。硅片弯曲度测量按GB6619的规定进行。裂纹：8W荧光灯下目测，
8W荧光灯下目测。
缺口：
刀痕：8W荧光灯下目测或用刀痕深度测试仪测量。崩边：8W荧光灯下目测或用直尺测量。划道：8W荧光灯下目测。
对表面质量有争议时，用4～6倍故大镜目测。检验规则
每批硅片按表3进行检验。
抽样检验不合格批的硅片，可按加严方法检验，但只能追加一次。表
检验项目
电阻率范
径向电阻率变化
晶向偏离度
厚度偏茎
总厚度变化
弯曲度
直径偏差
引用标准
GB6615
GB11073
GB1555
GB6618
GB6618
GB6619
标志、包装、运输与贮存
检验方法
直排四探针法
直排四探针法
激光定向仪法
0.01mm千分尺
0.01mm千分尺
三球面支座夸曲度测试仪
0.02mm游标卡尺
在8W荧光灯下目测
在8W荧光灯下目测
在8W荧光灯下目测
在8W荧光灯下目测
在8W荧光灯下目测深度剩试仪
在8W荧光灯下目测
检验要求
合格判据
GB12962表2、表3、表4
GB12962表2、表3、表4
表1、表2
表1、表2
表1.表2
表2、4.4条
抽样方案【
mm、个表1、表2、4.6.1.4.6.2,4.6.3个
包装箱应标有“小心轻放”及“防腐、防潮”字样或标记并注明：1.0
硅片名称；
硅片重量；
供方名称、地址及邮政编码。
包装盒上应注明：
供方名称；
硅片名称及牌号；
硅片数量、重量；
包装日期，
JB/T7061-1993
包装盒内应附有硅片合格证，合格证上应注明：供方名称；
硅片名称及牌号；
掺杂元索；
是向；
晶体编号：
炉号；
少子寿命；
位错：
厚度：
片数或重量；
检验员及厂检验部门印记；
本标准编号；
检验日期。
硅片先装入洁净的塑料袋中，再装入相应规格的盒子中，然后将盒子装入包装箱。包装应具有防碎、防损伤、防沾污措施。特殊的包装要求由供需双方商定，7.3运输
硅片在运输过程中应轻装轻卸，严禁抛，采取防震、防潮措施。7.4贴存
硅片应贮存在洁净、干燥环境中。4
晶向：晶体结晶方向。
JB/T7061-1993
（补充件）
晶向偏离度：硅片法线与晶体结晶方向编离角度。硅片厚度：硅片中心厚度值。
厚度偏差：硅片中心点厚度的测量值与公称值之差、直径偏差；硅片直径的测量值与直径的公称值之差。总厚度变化：硅片五点厚度（中心一点和距边缘6mm处间隔90°的四点）间的最大值与最小值之差。弯曲度：硅片中线面的中心点处凸或凹形变的度量。缺口：
硅片边缘穿透两面的缺损。
崩边：7
硅片边缘不穿透两面的破损。
裂纹：硅片表面或穿透两面的破损。刀痕：硅片在切割时进刀与退刀和刀刃片磨擦引起的痕迹。划道；硅片在研磨时，引起的表面划伤。硅片圆周经加工倒出的圆弧状。倒角：
经滚磨或套圆加工有直径偏差的硅片，等径硅片：
非等径硅片：不进行直径滚磨或套圆的硅片。批量范围
91~150
151280
281~500
501~1200
1201~3200
3201~10000
祥品量
JB/T7061 -1993
附录B
AQL抽样表
(补充件）
合格判定数，Re：2
表中Ac：
不合格判定数。
附加说明：
本标准由机械工业部西安电力电子技术研究所提出并归口。3
本标准由上海电器公司上海整流器总厂、上海电子器材厂负责起草。本标准主要起草人孙国范、王寿璞、董剑华、时俭新。1. 5
中华人民共和
机械行业标准
电力半导体器件用硅圆片
JB/T 7061 - 1993
机械科学研究院出版发行
机械科学研究院印刷
（北京首体南路2号
开本880×1230
19XX年XX月第X版
印数1-XXX
邮编100044）
字数XXX,XXX
印张X/X
19XX年XX月第X印刷
定价XXX.XX元
XX-XXX
机械工业标准服务网：http://www.JB.ac.cn661190
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