中华人民共和国机械行业标准 JB/T 7061-1993 电力半导体器件用硅圆片 1993-10-08 发布 1994-01-01 实施 1 范围 本标准规定了电力半导体器件用硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输与贮存。本标准适用于直拉单晶、悬浮区熔单晶、中子嬉变掺杂单晶经切割、双面研磨制备的硅片。 2 引用标准 GB1550, GB1555, GB2828, GB6615, GB6618, GB6619, GB11073, GB12962 3 硅片分类 3.1 硅单晶导电类型及硅片类别 硅片按导电类型分为N型和P型，按硅单晶类别分为直拉、悬浮区熔和中子嬉变掺杂三类硅片。 3.2 牌号 硅单晶切割片和研磨片的牌号为：-Msi，CS（LS） 电阻率范围（n·cm）：CS表示切割片，LS表示研磨片；硅片类别：CZ表示直拉法，FZ表示悬浮区熔法，NTD表示中子嬉变掺杂法。 例如：FZ-MsiN-LS 51~60 60~80表示悬浮区熔N型硅单晶研磨片，直径为51~60mm，电阻率为60~80Ω·cm。 4 技术要求 4.1 硅片的导电类型、电阻率、少子寿命、位错、晶向偏离度等物理参数应符合GB12962的规定。非等径硅片的技术参数应符合表1的规定，硅片厚度按用户要求。 表1 非等径硅片技术参数 | 产品名 | 切割片 | 研磨片 | |----------|----------|----------| | 厚度偏差 | ±0.015 | ±0.010 | | 总厚度变化 | ≤0.015 | ≤0.005 | | 弯曲度 | ≤0.015 | ≤0.010 | 表2 等径硅片技术参数 | 产品名 | 切割片 | 研磨片 | |----------|----------|----------| | 直径偏差 | ±0.3 | ±0.3 | | 厚度偏差 | ±0.015 | ±0.010 | | 总厚度变化 | ≤0.015 | ≤0.010 | | 弯曲度 | ≤0.015 | ≤0.020 | 4.2 等径硅片的技术参数应符合表2的规定，硅片厚度根据用户要求。 4.3 硅片的晶向偏离度不应大于3°。 4.4 硅片表面质量应符合标准要求。 5 包装、运输与贮存 硅片的包装、运输与贮存应符合相关行业标准及用户的特殊要求。