GB/T 772-2005.
1范围
GB/T 772规定了高压绝缘子瓷件的技术要求,试验.包装和标志的一般要求。
GB/T 772适用于标准电压高于1 000 V,频率不超过100 Hz的交流系统的架空电力线路、电气装置和设备上使用的绝缘子瓷件。
GB/T 772不适用于在有破坏瓷及釉的介质(气体或液体)中工作的瓷件。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T 191- 2000包装储运图示标志(eqv 1sO 780;1997)
GB/T 775.1绝缘子试验方法第1部分:一般试验方法GB/T 775.2绝缘子试验方法第⒉部分:电气试验方法GB/T 775.3 绝缘子试验方法第3部分:机械试验方法
GB/T 1182—1996形状和位置公差﹑通则、定义﹑符号和图样表示法(eqv ISO 1101:1996)GB/T 2900.8——1995电工名词术语绝缘子(eqv IEC 60471)
JB/T 3384 --1999高压绝缘子抽样方案
JB/T 5896- 1991常用绝缘子术语
3术语和定义
GB/T 2900.8、JB/T 5896和GB/T 1182确立的以及下列术语和定义适用于本标准。
3.1
斑点freckles
熔化在瓷件表面上的杂物(如铁质、石膏等)所形成的异色斑点。
3.2
杂质inclusions
粘附在瓷件表面上的钵屑﹑砂粒、石英粉等颗粒。
3.3
烧缺imperfection
坯体内杂物烧去后所形成深入瓷件上的凹陷。
3.4
气泡bubbles
因杂物分解在瓷体表面所形成的泡。

ICS29.080.10
中华人民共和国国家标准
GB/T772—2005
代替GB772-1987
高压绝缘子瓷件
技术条件
Tecrnical specifications of porcelain element for highvoltage insulators
2005-08-26发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
2006-04-01实施
060529000380
GB/T772-2005
....tt.Ee......t
2规范性引用文件
......
3术语和定义
4技术要求
包装与标
.......
本标准代替GB/T772—1987《高压绝缘子瓷件技术条件》。本标准与GB/T772—1987相比主要变化如下：GB/T772—2005
结构和编写规则按GB/T1.1一2000《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写规则》：修改了壁厚偏差的规定（1987年版的2.1.1.3，本版的4.1.3）；修改了圆度公差的规定（1987年版的2.2.1，本版的4.2.1.3）；一删去了“超声波探测检查”的规定（1987年版的2.9）。本标准由中国电器工业协会提出。本标准由全国绝缘子标准化技术委员会归口。本标准起草单位：西安电瓷研究所、大连电瓷厂、南京电气集团有限责任公司、唐山市高压电瓷厂、西安西电高压电瓷有限责任公司、NGK唐山电瓷有限公司。本标准主要起草人：李大楠、刘树横、林荣伟、房子章、杨明、贺建苍、董刚。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：GB772—1965、GB772—1977、GB/T772—1987。1范围
高压绝缘子瓷件技术条件
本标准规定了高压绝缘子瓷件的技术要求、试验、包装和标志的一般要求。GB/T772—2005
本标准适用于标准电压高于1000V、频率不超过100Hz的交流系统的架空电力线路、电气装置和设备上使用的绝缘子瓷件。
本标准不适用于在有破坏瓷及釉的介质（气体或液体）中工作的瓷件。规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否川使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T191-2000包装储运图示标志（egvISO780：1997）GB/T775.1绝缘子试验方法第1部分：一般试验方法GB/T775.2绝缘子试验方法第2部分：电气试验方法GB/T775.3绝缘子试验方法第3部分：机械试验方法GB/T1182—1996形状和位置公差通则、定义、符号和图样表示法（eqvISO1101：1996）GB/T2900.8—1995电工名词术语绝缘子（eqvIEC60471）JB/T3384--1999高压绝缘子抽样方案JB/T5896-1991常用绝缘子术语
3术语和定义
GB/T2900.8、JB/T5896和GB/T1182确立的以及下列术语和定义适用于本标准。3.1
斑点freckles
熔化在瓷件表面上的杂物（如铁质、石膏等）所形成的异色斑点。3.2
杂质inclusions
粘附在瓷件表面上的钵屑、砂粒、石英粉等颗粒。3.3
烧缺imperfection
坏体内杂物烧去后所形成深人瓷件上的凹陷。3.4
气泡bubbles
因杂物分解在瓷体表面所形成的泡。3.5
粘釉glazestick
在熔烧时，由于瓷件相互之间或与外物粘连而损坏釉面或瓷体的缺陷。GB/T772—2005
碰损chippings
坏件或瓷件相互之间或与外物相碰击而伤及釉面或瓷体的缺陷。3.7
缺釉spotswithoutglaze
瓷件规定应上釉的表面上露出的瓷件无釉部分。3.8
釉面针孔pinholes in the glaze瓷件釉面上呈现的不深人瓷体的、直径在1mm以下的小孔。3.9
堆釉stacked glaze
高出正常釉面的积釉部分
折痕folds
坏泥折选在坏件表面上面而开裂的痕迹3.11
刀痕scratches
由于坏件加工不首在表面上造成的细条痕迹。3.12
文waviness
由于坏件加工不
在表面上造成的不平痕迹
有限结构 limiferdesign
影响瓷件装配降件的部位。
gunlinifeddesign
无限结构
瓷件不装配附件的部
4技术要求
4.1尺寸偏差
4.1.1瓷件一般尺寸偏差
瓷件一般尺寸偏差应符言表！的规定。表1瓷件一般尺寸偏差
瓷件公称尺寸
45<≤60
607090有限结构
充许确差
无限结构
瓷件公称尺寸
110125140155170185d200
200d250
250300
300d350
350400d450
450d<500
500<60
表1(续）
有限结构
o15d+5)
注：表中“瓷件公称尺寸\为被测量部位的长（高）度或直径4.1.2爬电距离偏S
充许偏差
GB/T772—2005
无限结构
±（0025d+5)
爬电距离的测量样上规定的设计尺寸有关，即使这个尺寸可能大于买方原先规定的值。爬电距离的偏差值规定如下：
以公称值（包括最小公称值）规定时，最大偏差为：±（0.04L+1.5m
4为公称爬电距离，mm）
以最小值规定时，爬电命高的测量值不得小于此值4.1.3壁厚偏差（未研磨瓷套
瓷套壁厚偏差应符合表2的规定。表2壁厚偏差
公称壁厚
10≤15
20≤25
25≤30
30≤<40
壁厚允许偏差
+a/—3.0
GB/T772—2005
公称壁厚t
40≤<55
55≤70
注1：α由下式确定：
式中.y为内径d和外径d的公差。注2：公称壁厚
4.1.4瓷件磨削部位的直径尺寸偏差表2（续）
壁厚允许偏差
+a/—5.0
瓷件磨削部位的直径尺寸偏差应符合表3的规定。如无偏差等级要求应按表1的规定。表3瓷件磨削部位的直径尺寸充许偏差直径
250≤D315
315400偏差等级
4.1.5瓷件不上釉部位的尺寸偏差血级
500630D≤800
800瓷件不上釉部位的尺寸偏差不应超过土5.0mm.或由供需双方协议，4.2形位公差和表面粗糙度
4.2.1瓷件的形位公差
偏差等级
4.2.1.1瓷件两端面平行度不应超过0.026Dmm（D一般指直径或端面尺寸，mm）。4.2.1.2瓷件轴线的直线度不应超过（0.8%H+1.5）mm（H为瓷件长度或高度，mm）。当瓷件主体长度H与直径D的比值H/D>6时，瓷件轴线的直线度由供需双方协议。mm
由于轴线的弯曲可能引起瓷件伞裙的倾斜而影响瓷件两端与金属附件的装配时，瓷件两端伞裙倾斜不应使Hx-Hmm>（O.032D十3）mm（H为伞裙至端面的最大距离，Hmtn为伞裙至端面的最小距离，D为瓷件端部伞裙直径，单位均为mm）。4.2.1.3瓷件的圆度应符合下列公差：当D≤300时.0.04D+1.5）mm：
当D>300时.（0.025D+6）mm
这里，D为瓷件直径，mm。
当D为瓷套内径时，应为（0.025D+1.5)）mm。当未测量瓷件的圆度而测量瓷件圆截面的直径差时，其最大直径与最小直径差值的一半不应超过如下值：
当D≤250时.（0.01D+2.5）mm
当D>250时.0.02Dmm。
4.2.1.4盘形悬式绝缘子和针式绝缘子瓷件的伞缘变形度，不应超过0.02Dmm(D为瓷件伞裙直径，mm）。伞的变形不应导致正常使用情况下在伞的上表面产生积水现象。4
4.2.2瓷件经磨削后的形位公差及表面粗糙度4.2.2.1瓷件两端面平行度不应超过：等级I
等级Ⅱ
等级Ⅲ
式中：D
瓷件直径，mm。
4.2.2.2瓷件的上下端同轴度不应超过：等级I
等级Ⅱ
等级Ⅲ
式中：H
瓷件长（高）度，mm。
4.2.2.3瓷件端面的粗糙度不应大于表4的规定。表4磨削端面粗糙度
表面粗糙度Ra
适用范围
无密封要求，只是
由于制造上的原因需
要磨削时
油密封面
气体密封面
GB/T7722005
特殊要求的光滑面
注：检查时，一般可采用试品与标样（瓷）凭目力观测的方法进行比较·必要时采用仪器进行测量4.3瓷件的外观质量
4.3.1瓷件应按图样在规定的部位均匀地上一层光滑、发亮并坚硬的釉，釉面应无裂纹和影响其良好运行性能的其他缺陷。釉不应有显著的色调不均现象，但因釉较薄而颜色较浅是允许的，例如在半径较小的边缘部位的釉面。
4.3.2瓷件表面缺陷不应超过表5的规定，且不应影响瓷件的安装和连接。表5瓷件表面缺陷最大允许值
瓷件分类
HXD≤5000
500040000100000300000750000HXD>1500000
斑点、杂质、
烧缺、气泡等直径
单个缺陷
粘釉或碰损面积
注1：表中，H为瓷件高度或长度，mmD为瓷件最大外径，mm。缺釉
内表面
外表面
注2：内表面（内孔及胶装部位，但不包括悬式头部胶装部位）缺陷总面积不作规定。注3：括号内数值适用于线路针式和悬式绝缘子的瓷件。深度或
外表面缺陷
总面积
GB/T772—2005
4.3.3当耐污型产品的L/H>2.2时（L为爬电距离，H为瓷件高度），其允许的缺陷总面积，不应大于表5中规定的外表缺陷总面积乘以2。L
4.3.4瓷件主体部位外表面单个缺釉面积不应超过25mm2。4.3.5釉面缺陷不能过分集中。釉面针孔在任一500mm2面积范围内应不超过15个。总针孔量不应超过50+DXL/1500个（D为瓷件直径，L为瓷件的爬电距离，单位均为mm）。积聚的杂质（例如砂粒）应算作单个缺陷。
4.3.6堆釉，折痕的高度或深度应不超过表5的规定，刀痕和波纹的深度不超过0.5mm·这些缺陷不计算面积
4.3.7瓷件焙烧支承面不上釉部位不算缺陷，但其不上釉高度不应超过表6的规定，超过部分按缺釉计算其面积。磨削部位表面不算作缺釉表6瓷件焙烧支承面不上釉高度
瓷件类别
不上釉高度
4.3.8线路绝缘子瓷件不充有裂纹。24
电器和配电装置用餐件般不允许有裂纹。作为主绝缘用的及承受较大击机械负荷的瓷件，允许在距离主体（包括电极）
以外的表面上有裂纹
位10mm以外的伞棱表面上有裂纹，其他瓷件充许在距离电极部位10mm以上裂纹的宽度不应超过0.5mm，单个长度不应超过10mm，裂纹总长不应超过9
外表面缺陷总面积
4.3.9瓷件表面缺过本标准规定时，缺陷的修补应由供需双方协议。4.4孔隙性试验要在
瓷件剖面应均质致密，经孔隙性试验后不应有任何渗透现象。孔隙性试验的压力木低于20×106Pa，压力（Pa）与时间
4.5温度循环试验票
瓷件应能耐受
瓷件类型
B型瓷件
A型瓷件
乘积不应低于
款温度循环试验而不损坏，其试验温度差按表7的规定。表7温度循环试验温度差
瓷件尺寸/mm
最大外
400600高（长）度H
H<1000
0001200厚度d
50d<120
120温度差
注1：当瓷件的直径、高度或厚度（或杆径）分别与按表中确定的温度差不同时，应取最小温度差作为瓷件温度循环试验的温度差。
注2：厚度定义按GB/T775.1的定义确定注3：瓷件循环试验时在冷或热水中停留时间的规定见GB/T775.1。4.6瓷件（瓷套、瓷管）壁厚工频击穿电压瓷件（瓷套、瓷管）壁厚工频击穿电压不应低于表8的规定。壁厚工频击穿电压
工频击穿电压
kV（有效值）
注：当瓷件壁厚介于表中的中间数值时，其击穿电压按线性插人法确定。逐个电气试验要求（仅对B型瓷件或空心瓷件）4.7
GB/T772—2005
作主绝缘用的B型及空心瓷件，应能耐受连续5min的工频火花电压试验而不击穿、损坏或异常发热。
作非主绝缘用的瓷件，其瓷壁应能耐受连续5min的工频电压试验而不击穿，其试验电压值为表8规定值的1/2。对于小型瓷件或出禾结构上的原因试验时可能要发生闪络的瓷件，试验电压值应为该瓷件发生闪络时的电压值的
4.8机械强度
瓷件应符合产品标准或图样规定的机械强度要求，并按产品标准进行机械破坏或耐受试验。5试验1
5.1试验分类
瓷件的试验项目为逐个试验、抽样试验和型式试验。S
5.2逐个试验
出厂的每一只
求，则此瓷件不符合
应按表9规定的顺序进行逐个试验，如有瓷件不符合表9中规定的任何一项要标准要求。
逐个试验项目
试验项目名称
外观检查
尺寸检查
形位公差检
工频火花电压
瓷壁耐压试验
逐个机械负荷试验
试验根据
本标准第4.3条及6.2条
本标准第4.1条
标准第4.2条
本标准第4.7条
本标准第4.7条
本标准第4.8条
注1：尺寸及形位公差检查的项目应由产品标准规定。GB775
试验方法
注2：用整体成型方法制造的瓷套，瓷重耐压试验允许按验收批量进行抽样试验·如不合格则应进行逐个试验。5.3抽样试验
5.3.1抽样规则
瓷件应按批进行验收，以同一工艺方法制成的同一型号（或代号）的瓷件算作一批，大型及特大型瓷件（指表5中5类及以上瓷件）批量不应超过500只，小型瓷件不应超过3200只。瓷件应按批进行抽样试验，抽样试验在逐个试验合格后的批中随机抽取试品进行，抽样规则按JB/T3384的规定。
1）第5、6章的条款仅适用于以“瓷件”为产品出厂的情况。7
GB/T772—2005
批量与样本容量（每项试验的试品数）字码关系按表10的规定。检查水平
表10批量与样本容量字码
注1：表中字母A，对于特大型产品，允许样本容量为\1\。s-1
大型瓷件（指表5中5~6类）：
特大型瓷件（指表5中7类）：
一般瓷件或有重要要求的瓷件
注2：如无特殊规定，检查水平按下列规定C
计件抽样方案的判定准则见表11。批量N
91~150
151~500
501~1200
1201~3200下载标准就来标准下载网
b)S-2-
表11判定准则
样本容量
样本字码
判定数
接收判定数。第一次抽样的接收判定数为Al，第二次抽样的接收判定数为A2。拒收判定数。第一次抽样的拒收判定数为R，第二次抽样的判定数为R2。1
-次抽样的样本容量或二次抽样的第一次抽取的样本容量0
二次抽样的第二次抽样的样本容量。8
抽样试验项目及试验顺序规定见表12。nz
注：A
抽样试验项目及试验顺序
项目名称
尺寸及形位公差检查
温度循环试验
机械破坏负荷试验
孔隙性试验
表12抽样试验项目
试验根据
本标准第4.1及4.2条
本标准第4.5条
本标准第4.8条
本标准第4.4条
试验方法
GB/T775.1
GE/T775.1
GB/T775.3
GB/T 775.1
注1：尺寸及形位公差检查的项目（包括爬电距离）应由产品标准规定注2：大型及特大型瓷件经温度循环试验合格的试品，可以提交用户使用。GB/T772—2005
试品数量
按抽样方案规定抽出总数的
经项丨试验后的全部
按抽样方案规定并经项2
与抽样方案规定的试品数目
相同的瓷块·但不得少于3块
注3：进行机械破坏负荷的种类山产品标准规定.但机械破坏负荷试验有两种或若干种时其试品数量应为检查水平规定数量的两倍或若干倍
注4：孔隙性试验用的试块，可以选取机械破坏负荷试验后的瓷块或用相同工艺制造的同等厚度的试块进行。试验采用计件二次抽样方案（当样本容量为“1”时.采用计件一次方案）.其判定程序如下：如果第一次样本n，中，不合格品数d,≤A·则接收该批。如果d≥Rt·则拒收该批。如果A.5.4型式试验
新产品试制定型或正常产品修改结构、改变原材料配方及工艺方法时，必须进行型式试验。每项试验的试品数量大型及特大型瓷件为3只（对于破坏性试验项目允许抽1只）.小型瓷件为5只。型式试验在逐个试验合格后按表13的规定进行。试验时，即使有一只试品不符合表13中规定的任何一项要求，则型式试验不合格。表13型式试验项目
项目名称
尺寸及形位公差检查
温度循环试验
机械破坏负荷试验
壁厚工频击穿电压试验
孔隙性试验
试验根据
本标准第4.1及4.2条
本标准第4.5条
本标准第4.8条
本标准第4.6条
本标准第4.4条
试验方法
GB/T775.1
GB/T775.1
GB/T775.3
GB/T775.2
GB/T775.1
注1：尺寸及形位公差检查的项目（包括爬电距离）应由产品标准规定全部
试品数量
经项1试验后的全部
经项2试验后的全部
经破坏试验后的瓷块，每只试
品取一块
经破坏试验后的瓷块，每只试
品取一块
注2：孔隙性试验和壁厚工频击穿电压试验时.如瓷件试品仅只时，则应选取三块瓷块进行。注3：进行机械破坏负荷的种类由产品标准规定，若机械破坏负荷试验有两种或若于种时，其试品数量应为规定数量的两倍或若干倍
6包装与标志
6.1瓷件的包装必须保证在正常运输途中不致因包装不良而损坏瓷件。有特殊要求的瓷件应保持瓷件表面清洁干净，密封表面应严加防护。9
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