YS/T 1053-2015电子薄膜用高纯钴靶材

ICS 77.150.70 H62 YS 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T 1053—2015 电子薄膜用高纯钴靶材 High-purity cobalt sputtering target used in electronic film 2015-04-30发布 中华人民共和国工业和信息化部发布 2015-10-01实施 前言 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）提出并归口。 本标准负责起草单位：宁波江丰电子材料股份有限公司、有研亿金新材料有限公司。 本标准主要起草人：王学泽、李勇军、郑文翔、罗俊锋、袁海军、熊晓东、陈勇军、刘丹、陆彤、袁洁、张涛。 1 范围 本标准规定了电子薄膜用高纯钴靶材（以下简称高纯钴靶）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯钴溅射靶材。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 GB/T 1804 一般公差 未注公差的线性和角度尺寸的公差 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6394 金属平均晶粒度测定方法 GB/T 8651 金属板材超声板波探伤方法 GB/T 14265 金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则 YS/T 837 溅射靶材—背板结合质量超声波检验方法 YS/T 1011 高纯钴化学分析方法 杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 3 术语和定义 3.1 靶材（target） 溅射沉积技术中的阴极部分，在带正电荷的离子轰击下，以分子、原子或离子的形式从靶材表面溅射并沉积到基底表面。 4 要求 4.1 产品分类 4.1.1 高纯钴靶按纯度分为4N5（99.995%）和5N（99.999%）两个级别。 4.1.2 按焊接方式分为钎焊靶和非钎焊靶。 4.2 化学成分 高纯钴靶的化学成分及杂质元素含量应符合相关表格规定。钴含量为100%减去杂质元素实测总和（不含C、H、N、O、S）。 杂质元素包括Ag、Al、As、B、Ca、Cd、Cl、Cr、Cu、Fe、K、Li、Mg、Mn、Mo、Na、Ni、Pb、Sb、Si、Sn、Th、Ti、U、V、W、Zn、Zr等。 气体杂质包括C、H、N、O、S，其含量随纯度等级提高而降低，高纯级别控制在极低水平。 4.3 晶粒尺寸 高纯钴靶晶粒尺寸要求如下： 4N5级晶粒平均值≤100 μm，晶粒分布均匀；5N级未完全再结晶状态，晶粒大小无严格限制。 4.4 透磁率 高纯钴靶透磁率要求如下：4N5级约70%，5N级约30%～60%。 4.5 内部质量 高纯钴靶内部不应存在分层、疏松、夹杂及气孔等缺陷。 4.6 焊接质量 焊接质量要求如下： - 钎焊靶焊接结合率≥95%； - 非钎焊靶焊接结合率≥98%； - 单个未焊合间隙面积占比≤2%。 4.7 尺寸要求 靶材尺寸、规格及结构形式应根据溅射设备及用户需求确定，并以图纸为准。