本标准规定了电子薄膜用高纯钴靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯钴靶。
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。
本标准负责起草单位:宁波江丰电子材料股份有限公司、有研亿金新材料有限公司。
本标准主要起草人:王学泽、李勇军、郑文翔、罗俊锋、袁海军、熊晓东、陈勇军、刘丹、陆彤、袁洁、张涛。
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1804 一般公差 未注公差的线性和角度尺寸的公差
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T6394 金属平均晶粒度测定方法
GB/T8651 金属板材超声板波探伤方法
GB/T14265 金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则
YS/T837 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法
YS/T1011 高纯钴化学分析方法 杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法

ICS 77.150.70
中华人民共和国有色金属行业标准YS/T1053—2015
电子薄膜用高纯靶材
High-purity cobalt sputtering target used in electronic film2015-04-30发布
中华人民共和国工业和信息化部发布
2015-10-01实施
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草言
本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)提出并归口。YS/T1053—2015
本标准负责起草单位：宁波江丰电子材料股份有限公司、有研亿金新材料有限公司。本标准主要起草人：王学泽、李勇军、郑文翔、罗俊锋、袁海军、熊晓东、陈勇军、刘丹、陆彤、袁洁、张涛。
1范围
电子薄膜用高纯钻靶材
YS/T1053—2015
本标准规定了电子薄膜用高纯钻靶材（以下简称高纯钻靶）的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同)内容本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯钻靶2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T1804一般公差未注公差的线性和角度尺寸的公差GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T6394金属平均晶粒度测定方法GB/T8651金属板材超声板波探伤方法GB/T14265金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则YS/T837溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法YS/T1011高纯钻化学分析方法杂质元素含量的测定辉光放电质谱法3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。靶材
ftarget
溅射沉积技术中的阴极部分。该阴极材料在带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子或离子的形式脱离阴极而在阳极表面沉积。
4要求
4.1产品分类
高纯钻靶按纯度分为4N5（99.995%）、5N（99.999%）两个级别。4.1.2高纯钻靶按焊接方式分为钎焊和非钎焊。4.2
化学成分
高纯钻靶化学成分及杂质元素要求应符合表1的规定。4.3晶粒尺寸
高纯钻靶的晶粒尺寸应符合表2的规定。需方如有特殊要求时，由供需双方商定，并在订货单（或合同)中注明。
高纯钻靶的透磁率应符合表3的规定。需方如有特殊要求时，由供需双方商定，并在订货单（或合5N
高纯钻钴靶的内部不应有分层、疏松、夹杂和气孔等缺陷5
表1高纯钴靶化学成分
YS/T1053—2015
透磁率
同)中注明。
5内部质量
Co质量分数/%，不小于
非气体杂质含量/×10-4%，不大于2
气体杂质含量/×10-4%，不大于表1（续）
杂质总含量/%，不大于（不包含C、H、N、O、S)4N5
注：高纯钻靶的Co含量为100%减去表中杂质实测总和的余量（不含C、H、N、O、S）)。表2
4N5(99.995%）
5N(99.999%）
4N5（99.995%）
5N(99.999%)
焊接质量
高纯钴靶晶粒尺寸
微观结构
YS/T1053—2015
晶粒平均值≤100um，晶粒分布均匀未完全再结晶，晶粒大小无要求高纯钻靶透磁率要求
透磁率/%
焊接质量应符合表4的规定，需方如有特殊要求时，由供需双方商定表4高纯钴靶焊接质量要求
焊接方式
非钎焊
几何尺寸
焊接结合率
≥95%
单个未焊合间隙面积/总面积
高纯钻靶的尺寸、规格及结构方式与需方使用的溅射机台类型有关，一般根据需方提供图纸确定，几何尺寸及允许偏差应由供需双方协商确定并在订货单（或合同)中具体注明。如果客户未提供允许偏差，则高纯钻靶尺寸允许偏差应符合GB/T1804要求。4.8
外观质量
高纯钻靶表面应清洁光滑，无指痕、油污和锈蚀，应无拉伸润滑痕迹、颗粒附加物和其他沾污，应无凹坑、划伤、裂纹、凸起等缺陷。3
YS/T1053—2015
5试验方法
高纯钻靶中的非气体杂质成分的分析方法按照YS/T1011的规定进行，气体杂质成分的分析方5.1
法按照GB/T14265标准执行。
5.2高纯钻靶的晶粒尺寸检验方法按照GB/T6394的规定进行高纯钻靶的透磁率的测试方法采用附录A的方法进行，或由供需双方协商确定5.3
5.4高纯钻靶的内部质量按GB/T8651的规定进行。5.5高纯钻靶的焊接质量按YS/T837的规定进行。5.6
高纯钻靶的几何尺寸通过三维坐标测定仪（CMM），按照加工图纸标识尺寸进行测定。高纯钻靶的外观质量用目视检查，如发现异常现象，用放大镜或数码显微镜进行鉴别。6检验规则
检验和验收
6.1.1产品应由供方检验部门进行检验，保证产品质量符合本标准及订货单（或合同）的规定，并填写质量证明书。
6.1.2需方应对收到的产品按本标准及订货单（或合同)的规定进行复验。如复验结果与本标准及订货单（或合同)的规定不符时，应在收到产品之日起90日内向供方提出，由供需双方协商解决。如需仲裁，仲裁取样应由供需双方共同进行。6.2组批
产品应成批提交验收。每批应由同一生产批、同一级别和规格的产品组成。6.3检验项目、取样位置和取样数量高纯钻靶出厂前必须进行全面检测。检验项目、取样位置、数量应符合表5规定。表5高纯钴靶检测项目、取样及数量检验项目
化学成分
晶粒尺寸
透磁率
内部质量
焊接质量
几何尺寸
外观质量
检验结果判定
取样规定
焊接前
焊接后
取样数量
1个/锭
GB/T2828.1
GB/T2828.1
化学成分检测不合格时，判该批靶材不合格要求章条号
试验方法章条号
晶粒尺寸、透磁率检测合格，判该批产品全部合格：检测不合格时，再从同批产品中加倍抽样进4
行复验，若复验全部合格，判该批其余产品合格；若复检不合格，则判整批产品不合格6.4.3内部质量、焊接质量、几何尺寸和外观质量检测不合格时，判该件产品不合格。7标志、包装、运输、购存、质量证明书7.1标志
在检验合格的靶材上，将公司标志、成分及生产批号刻在产品指定位置。7.1.2在每个外包装上贴纸质标贴，包括以下内容：制造厂名厂址；
公司标志；
产品名称；
级别；
客户名称；
订单编号；
生产批号；
出厂日期。
2包装
7.2.1内包装
YS/T 1053—2015
高纯钻靶的清洗、干燥及内包装应在干级及以上洁净间内进行。靶材经过全面清洗，真空干燥后每片单独真空包装，真空袋封口要平整无贯通，真空袋无漏洞。7.2.2外包装
外包装采用纸盒或中空盒包装。包装盒内各个方向填充珍珠棉，珍珠棉厚度在1cm以上，采取足够的防震措施，并事先经过需方的认可方可使用。将质量证明书塑封袋装后粘贴于包装盒上。同一客户同批的产品可集中木箱包装，每个木箱规格及包装量视产品量而定。7.2.3包装产品应保存于清洁的环境中。7.3
运输与贮存
运输及贮存过程中，应注意防震、防潮、防压，防止二次污染质量证明书
每批产品应附有质量证明书，并注明以下内容：a)
供方名称、地址、电话、传真；b）产品名称；
级别；
客户名称；
订单编号；
客户编号；
生产批号；
分析检测结果和品质部门负责人签名；h）
出厂日期。
YS/T1053—2015
订货单（或合同）内容
订购本标准所列产品的订货单（或合同)内应包括下列内容：a)
产品名称；
靶材级别；
化学成分、晶粒尺寸、透磁率、焊接质量、等特殊要求；规格、几何尺寸；
数量；
标准编号；
其他。
A.1范围
附录AbZxz.net
（资料性附录）
高纯钴靶透磁率的测定
本方法规定了高纯钻靶透磁率的测定方法霍尔效应法
本方法适用于高纯钻靶透磁率的测定，测定范围如表A.1所示。表A.1透磁率要求
4N5(99.995%）
5N(99.999%)
工作原理
范围/%
30～~60
YS/T1053—2015
霍尔效应的基本原理如图A.1所示。在y方向通以电流I，并在方向施加磁感应强度为90Gs的磁场，那么载流子在方向受到洛仑兹力作用而在两端产生霍尔电动势EH。根据霍尔效应制造的霍尔器件是具有一定形状的半导体薄片，其霍尔电动势按式（A1)计算：IB。
式中：
与材料有关的霍尔系数；
霍尔器件的厚度；
—一流过霍尔器件的电流；
B。——外磁场的磁感应强度。
对一个霍尔器件而言，在电流I恒定的情况下,EH与外磁场B。成正比，设比例系数K=RH。因此，对于不同的霍尔传感器，可以通过改变工作电流I，使其具有相同的比例系数。B
霍尔效应原理图
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