ICS 77.040 H21 YS 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T 26—2016 代替 YS/T 26—1992 硅片边缘轮廓检验方法 Test methods for edge contour of silicon wafers 2016-07-11发布 中华人民共和国工业和信息化部发布 2017-01-01实施 前言 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替YS/T 26—1992《硅片边缘轮廓检验方法》。与YS/T 26—1992相比，主要变化如下： 增加了规范性引用文件、术语和定义、干扰因素等内容；增加了非破坏性检验方法B、方法C。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）提出并归口。 本标准起草单位：洛阳单晶硅集团有限责任公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司。 主要起草人：田素霞、李战国、苗利刚、焦二强、安瑞阳、邵成波、王文卫。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为：YS/T 26—1992。 1 范围 本标准规定了硅片边缘轮廓（包含切口）的检验方法。 本标准适用于倒角硅片边缘轮廓（包含切口）的检验，砷化镓等其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照执行。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期版本适用；凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有修改单）适用。 GB/T 14264 半导体材料术语 3 术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 方法提要 本标准规定方法A、B、C三种测试方法，其原理如下： 方法A：沿硅片径向划开形成剖面，利用光学比较仪或投影显微镜获得边缘剖面聚焦图形，并与模板坐标图比较判定合格性。本方法为破坏性检测，限于圆周离散点检测，常用于直径不大于150 mm硅片参考面倒角边缘轮廓检测。 方法B：将硅片置于平行光路下成像，边缘轮廓投影至显示屏，并与模板坐标图比较判定合格性。本方法为非破坏性检测，可检测除参考面和切口外的全部边缘轮廓点，适用于直径不大于200 mm硅片。 方法C：在光源照射下，通过CCD相机采集硅片边缘或切口轮廓图像，并由专用软件分析处理后在显示屏显示结果，同时可测量轮廓尺寸。本方法为无接触、非破坏性检测，适用于各种尺寸、夹角和形状硅片的边缘轮廓检测，适用于过程控制、设备调试及进出厂检验。 5 干扰因素 5.1 光路中的外来物质、硅片边缘附近的大颗粒或异物可能导致错误轮廓或掩盖真实轮廓。 5.2 硅片不同位置测量可能导致测试数据差异。 5.3 方法C中设备设置不同会导致测试结果明显差异。 6 仪器设备 6.1 方法A所需设备： 光学比较仪或投影显微镜（放大倍数≥100倍）；用于固定硅片的夹具；硅片边缘轮廓模板坐标图（由合格透明区域和半透明限制区域组成，其特征点坐标及尺寸见图3和表1）；量块或精密棒（与硅片厚度相同，用于校准放大倍数）；150 mm直尺（最小刻度0.5 mm或更小）。 6.2 方法B所需设备： 平行光源及可视系统（含投影仪、镜头和显示器，放大倍数≥100倍，显示器可显示1 mm×1 mm区域）；硅片固定夹具；硅片边缘轮廓模板坐标图；量块或精密棒；150 mm直尺。 （后续图2、图3及表1为模板结构及特征点坐标示意内容）