ICS 77.040 H21 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 8760-2020 代替 GB/T 8760—2006 砷化镓单晶位错密度的测试方法 Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide 2020-09-29发布 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 2021-08-01实施 前言 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 8760—2006《砷化镓单晶位错密度的测量方法》。与2006版相比，主要技术变化如下：修改了标准范围中的规定内容和适用范围；增加了规范性引用文件；删除了位错及位错密度术语定义，增加引导语“GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件”；删除方法原理中“采用择优腐蚀技术显示位错”内容；增加试剂纯度及用水电阻率要求；修改氢氧化钾、硫酸、过氧化氢要求；修改抛光液要求；仪器设备增加铂埚或银埚；修改试样制备要求；增加显微镜视场面积及测试点选取要求；增加腐蚀坑重叠计数方法；修改计算公式符号；增加精密度技术要求。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会及材料分技术委员会共同提出并归口。 本标准起草单位：有研光电新材料有限责任公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、中国电子科技集团第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、雅博拓（福建）新材料有限公司等。 本标准主要起草人包括：赵敬平、林泉、于洪国、惠峰、刘淑凤等。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为：GB/T 8760—1988、GB/T 8760—2006。 1 范围 本标准规定了砷化单晶位错密度的测试方法。 本标准适用于[100]、[111]面砷化单晶位错密度的测试，测试范围为0 cm^-2 ~ 100000 cm^-2。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期版本适用；凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用。 GB/T 14264 半导体材料术语 3 术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 方法原理 砷化单晶中位错周围晶格发生畸变，当用化学腐蚀剂腐蚀晶体表面时，位错露头处腐蚀速度较快，从而形成特定形状腐蚀坑。在显微镜下观察并统计腐蚀坑数目，单位视场面积内腐蚀坑个数即为位错密度。 5 试剂 除非另有说明，测试分析中仅使用分析纯及以上试剂，所用水电阻率不小于12 MΩ·cm。 5.1 氢氧化钾（KOH），质量分数不小于85%。 5.2 硫酸（H2SO4），质量分数95%~98%。 5.3 过氧化氢（H2O2），质量分数不小于30%。 5.4 抛光液：硫酸、过氧化氢、水混合液，体积比（2~3）：1：1，现用现配。 6 仪器设备 6.1 金相显微镜：放大倍数100倍~500倍。 6.2 加热器：用于将氢氧化钾加热至熔融澄清状态。 6.3 铂埚或银埚。 7 试样制备 7.1 定向切取 对待测砷化单晶定向后，垂直于晶体生长方向切取厚度不小于0.5 mm试样片，晶向偏离度不大于1°。 7.2 研磨 7.2.1 手工研磨试样时，用粒度30 μm金刚砂或氧化铝粉水浆研磨，使表面平整。清洗后再用6.5 μm金刚砂水浆研磨，使表面光洁，无目视可见的机械划痕，清洗并吹干。 7.2.2 研磨机研磨试样时，用6.5 μm金刚砂水浆研磨，使表面平整光洁，无目视可见