SJ 20640-1997
基本信息
标准号： SJ 20640-1997
中文名称：红外探测器用锑化铟单晶片规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
英文名称： Specification for Indium Antimonide Single Crystal for Infrared Detectors
标准状态：现行
发布日期：1997-06-17
实施日期：1997-10-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：455913
标准分类号
中标分类号：>>>>L5971
关联标准
出版信息
页数：11页
标准价格：15.0 元
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标准简介
SJ 20640-1997 红外探测器用锑化铟单晶片规范 SJ20640-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5971
SJ20640-97
红外探测器用锑化铟单晶片规范Specification for indium antimonide singlecrystal slices for use in infrared detector1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电行业军用标准红外探测器用锑化单晶片规范
Specification for fndium antimonide singlecrystal slices for use in infrared detector1范围
SJ20640-97
1.1主题内容
本规范规定了军用光伏型红外探测器用锑化单晶片的要求，质量保证规定，交货准备及有关规则，
1.2适用范围
本规范适用于军用光优型红外探测器用掺碲按(211)晶底生长的梯化钢单品片。1.3产品型号
产品型号按GB11296-89《红外探测材料型号命名方法>的规定为IS4。2引用文件
GB 3505—83
GB 11296—89
GR 11297.6—89
GB 11297.7--89
GJB179—86
GJR 129--91
ZRN30003—88
3要求
3.1合格鉴定
表而粗糙度术语、表面及其参数红外探测材料型号命名方法
锑化钢单晶位错蚀坑的腐蚀显示及量方法锑化铟单晶电阻率及尔系数的测试方法计数妞样检套程序及表
微电路生产线认证用试验方法和程序光学零件包装
按本规范提交的产品应是经鉴定合格或定型批准的产品。3.2特性
3.2.1短轴尺寸
短轴：≥25mm
3.2.2晶而与定向
a，品面为（111).定向精度±1°h.定向偏差<111)≤±1°。
3.2.3位错腐蚀坑密度
中华人民共和国电子工业部1997.06.17发布1997-10-01实施
TYKAOKAca-
EPD<100 个/cm2。
3.2.4A和B原子面
a.晶面（111)A原子面为铟面；
b，晶面(111)B原子面为锑面。
3.2.5导电类型
晶片在77K时为N型。
3.2.6载流子的浓度（n）
SJ20640-97
77K 时, n = 3 ×1014 ~2 ×1015cm~13.2.7覆尔迁移率（）
77K时，±≥1.0×10°cm*/v*s
3.2.8表面粗糙度（Ra)
a.(111)A面:R≤0.1μm)
b.(111)B面;Ra≤5μm。
3.2.9抛光片厚度与表面质量
送，抛光片厚度510±25mm
b.与亮点参考样品图比较符合第三等以上的要求。4质量保证规定
4.1检验责任
除合同或订单中另有规定外，承制方应负责完成本规范规定的所有检验。必要时，订购方或上级鉴定机构有权对本规范所述的任一检验项目进行检查。4.1.1合格责任
所有产品必须符合本规范第3章和第5章的所有要求。本规范中规定的检验应成为承制方整个检验体系或质量大纲的个组成部分。若合同中包括本标准未规定的检验要求。承制方还应保证所提交验收的产品符合含同要求。质量一致性检验不允许提交明知有缺陷的产品，也不能要求订购方接收有缺陷的产品。4.2检验分类
本规范规定的检验分为：
鉴定检验；
b.质量一致性检验。
4.3检验条件
除另有规定外，应按下列环境条件进行各种检验：环境温度：15～35它；
相对湿度：45%~75%；
大气压力：86～106kPac
4,4 鉴定检验
鉴定检验在产品投产前进行，当原材料或制造工艺发生重大变化，有可能影响鉴定检验结果时,也应进行鉴定检验。
4.4.1 检验地点
鉴定检验应在有关主曾部门认可的试验室进行。2—
4.4.2检验样品
SJ 20640—97
样品应为生产中通常使用的设备和工艺制造的产品，鉴定检验的样品应从提交的鉴定检验样品总数中随机抽联。
4.4.3检验
鉴定检验的项日、检验顺序，受试样品数量及不合格品数应按表1的规定。表1鉴定检验
检验项目
短轴尺寸
晶面与定问
导电类型
载流子浓度
截耳迁移率
位错腐蚀坑密度
A和B原子面
表面粗锰度
抛光片厚度与表面质鼠
4.4.4不合格判定
要求的章条号
检验方法章条号
受试样品数量
充许不拿格品数
若受试样品通过表1中列举的各项检查检验，则鉴定检验合格：若其中一项或一项以上检验超过表1规定的允许不合格品数，则不授于鉴定合格资格。4.4.5鉴定合格资格的保持
鉴定合格资格是通过质量一致性检验来保持，根据需要，应由承制方每年一次向上级鉴定机构提交质量一致性检验记录的副本。4.5质量一致性检验
4.5.1检验批的组成
检验批应由相同设备和相同工艺坐产的按[211]方向生长、按(111)晶面定向，晶面偏差应等于或小于三1的单晶，按第3.2.1条的要求切刺的单晶片组成。4.5.2A组检验
4.5.2.1抽样方案
质量一致性检验的A纽检验按CJB179，般检验水平IⅡ，可接收质量水乎2.5，一次正常抽样方案。序号3.4抽取样品量的1/3进行检验，其余序号1、2、5、6、7.8抽取样品量的2/3进行检验。
4.5.2.2检验项国
A组检验项目按表2规定进行。
HTTKAONKAca-
检验项百
快兴片厚度
品面与定向
位错腐蚀坑密度
A和13源-面
导电类型
载流子浓度
霍耳迁移率
表面粗蜡度
4.5.2.3不合格
SE20640---97
装之我维将验据
要求的章杀导
检验方法章条号
如果某一检验批被拒收，承制方可以将不合络品剔除，重新组批检验，样品数量应为正常检验的两倍，并应清楚地标明“重新检验批”。4.5.3R组捡验
B组检验为100%检验，B组检验在A检验合格后接表3规定进行。表3B组检验项目
检验项目
表亚质量
4.6包装检验
用目检方法进行第5.1条和5.2.3条锐装和保志验验4.7检验方法
4.7.1 外形尺寸
a.淳度测量
检验方法章条号
别分辩率为1um的测量仅器对晶片的四剧对称点和自然中心点进行测量，五点平均值符合3.2.9条的要求；
b.短轴测量
用分辩率为0.02mm的卡尺直接测属靠片的短辅尺应符合3.2.1条的要求。4.7.2晶南与定向偏差
4.7.2.1原理摄要
符合GTR1209中的方法1520旗理。4.7.2.2设备及要求
X射线衍射仪要求：
a.（111)晶面的衍射角：9=11°54；b，工作电流：2.0mA。
c。灵敏度±2\。
4.7.2.3测试结果评定
SF2064097
被测晶面的定向偏差即悬计算出的6角与鼎向布拉格角之差，应符合3.2.2条的要求。4.7.3位错腐蚀坑密度
按照GB 11297.6的测量方法进行。4.7.4A和B原子面免费标准bzxz.net
4.7.4.1原理概要
锑化铟单晶体为闪锌矿结构，在(111)晶面的和锑两层离子构戒电偶极层，[111]方向的铟原子指向锑原子的方向，由手铟原子与原子间的键合数目之比为1:3,因此铟、锑原子的键能大结台牢固，因此在化学腐蚀时（111）晶面显露总是原子带正电荷，而在（讯i品面总是锑原子带负电荷，利用（111）晶闻的位错蚀坑莱判定A和B原子面，…般（1110最面的位错排皇现白色正三角形的为B原子面，呈现正三角形四面体的为A原子面，本方法用 CP.4腐蚀剂进行A原子面判定。
4.7.4.2结果判定
按4,7.4.1 条给出的依据,判定(111)B原子面和(111)A原子面。4.7.5导电类型
4.7.5.1测试方法
按 GB 11297.7 进行。
4.7.5.2样品的推备及处理
在晶面的边缘焊上四个对称电极，每个电极间相差90，并保证焊点的欧姆接触。4.7.5.3结果判定
利用范德堡法测量晶片的霍耳系数，其和电位值为负值者即为型。4.7.6载流子浓度
按 GB 11297.7 进行。
4.7.7耳迁移率
按 GJB 1297.7 进行。
4.7.8表面粗糙度
按GB3505的2.9条要求，用分辩率为0.02m的台阶仪，在抛光片的中心区域的任意两点进行测量，对于A面的取样长度0.08mm,对于B面的取样长度2.00mm。4.7.9抛光片表面质量
4.7.9.1原理概要
对抛光片表而的亮点和划道的要求是较为重要的，本法是通过100倍的显微镜下观察有无明显划道和大的密集亮点，并以参考图片相比较来选取的。4.7.9.2设备与要求
a.显微镜（x100)：
b，暗场下摄取的参考样品亮点图共5种。s
HTTKAONTKAca-
SJ2064097
图11级参考样品充点图
图22级签考样品亮点图
SI20640-97
图33级参考样品亮点图
图44级签考伴品充点图
KAOKAca-
S120640-97
图55级参考样品亮点图
4.7.9.3受试样品的准备与处理
经过4.7.1～4.7.8条检验格单晶片进行磨抛处理后，立即用去离子水清洗干燥备用。4.7.9.4试验条件
用正置金相显微镜在100倍暗场下观测抛光片表而质量，外缘3mm以内选五点即中心点和十字交叉对称四点测量。
4.7.9.5结果评定
与参考样品亮点图比较晶片的表面质量，其三点以上不超过3级参考样品图要求为合格。5交货准备
5.1包装和装箱
5.1.1包装
抛光片漫入医用凡士林熔化液中，装入特制的塑料包装盒内。在包装盒内应装入晶片编号，在包装盒外贴上内包装标志。5.1.2装箱
将特制塑料盒按一定量装入外包装箱内，并用填充物填实，外包装箱应备有产品合格证和检测报告。
5.2运输和存
5.2.1运输
产品可用任何运输工具运输，但应采用防冲击，防振动，防挤压的措施，以避免由于跌落、碰撞引起的损伤。
5.2.2贮存
SJ20640-97
产品应在洁净、干爆无腐蚀性环境中贮存。5.2.3标志
5.2.3.1内包装
在锑化铟单晶片的专用包装盆上注明下列内容：a，产品名称和型号：
b.军用标记\J\；
c。制造年、月；
d.产品编号和生产批号；
e.数量；
f.承制方名称。
5.2.3.2外包装
在锑化钢单晶片的外包装箱面上应按ZBN30003第5章的要求标志。说明事项
6.1预定用途
本规范规定的锑化铟单晶片预定用于军用光伏型红外探测器。6.2订货文件内容
合同或订单中应载明下列内容：a本规范的名称和编号：
b.型号；
心。外形尺寸和晶面；
d.数量；
e.其他。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所起草。本规范主要起草人李兆瑞、刘筠。计划项目代号：B55002。
TTKAONKACa-
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SJ20640-97
红外探测器用锑化铟单晶片规范Specification for indium antimonide singlecrystal slices for use in infrared detector1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电行业军用标准红外探测器用锑化单晶片规范
Specification for fndium antimonide singlecrystal slices for use in infrared detector1范围
SJ20640-97
1.1主题内容
本规范规定了军用光伏型红外探测器用锑化单晶片的要求，质量保证规定，交货准备及有关规则，
1.2适用范围
本规范适用于军用光优型红外探测器用掺碲按(211)晶底生长的梯化钢单品片。1.3产品型号
产品型号按GB11296-89《红外探测材料型号命名方法>的规定为IS4。2引用文件
GB 3505—83
GB 11296—89
GR 11297.6—89
GB 11297.7--89
GJB179—86
GJR 129--91
ZRN30003—88
3要求
3.1合格鉴定
表而粗糙度术语、表面及其参数红外探测材料型号命名方法
锑化钢单晶位错蚀坑的腐蚀显示及量方法锑化铟单晶电阻率及尔系数的测试方法计数妞样检套程序及表
微电路生产线认证用试验方法和程序光学零件包装
按本规范提交的产品应是经鉴定合格或定型批准的产品。3.2特性
3.2.1短轴尺寸
短轴：≥25mm
3.2.2晶而与定向
a，品面为（111).定向精度±1°h.定向偏差<111)≤±1°。
3.2.3位错腐蚀坑密度
中华人民共和国电子工业部1997.06.17发布1997-10-01实施
TYKAOKAca-
EPD<100 个/cm2。
3.2.4A和B原子面
a.晶面（111)A原子面为铟面；
b，晶面(111)B原子面为锑面。
3.2.5导电类型
晶片在77K时为N型。
3.2.6载流子的浓度（n）
SJ20640-97
77K 时, n = 3 ×1014 ~2 ×1015cm~13.2.7覆尔迁移率（）
77K时，±≥1.0×10°cm*/v*s
3.2.8表面粗糙度（Ra)
a.(111)A面:R≤0.1μm)
b.(111)B面;Ra≤5μm。
3.2.9抛光片厚度与表面质量
送，抛光片厚度510±25mm
b.与亮点参考样品图比较符合第三等以上的要求。4质量保证规定
4.1检验责任
除合同或订单中另有规定外，承制方应负责完成本规范规定的所有检验。必要时，订购方或上级鉴定机构有权对本规范所述的任一检验项目进行检查。4.1.1合格责任
所有产品必须符合本规范第3章和第5章的所有要求。本规范中规定的检验应成为承制方整个检验体系或质量大纲的个组成部分。若合同中包括本标准未规定的检验要求。承制方还应保证所提交验收的产品符合含同要求。质量一致性检验不允许提交明知有缺陷的产品，也不能要求订购方接收有缺陷的产品。4.2检验分类
本规范规定的检验分为：
鉴定检验；
b.质量一致性检验。
4.3检验条件
除另有规定外，应按下列环境条件进行各种检验：环境温度：15～35它；
相对湿度：45%~75%；
大气压力：86～106kPac
4,4 鉴定检验
鉴定检验在产品投产前进行，当原材料或制造工艺发生重大变化，有可能影响鉴定检验结果时,也应进行鉴定检验。
4.4.1 检验地点
鉴定检验应在有关主曾部门认可的试验室进行。2—
4.4.2检验样品
SJ 20640—97
样品应为生产中通常使用的设备和工艺制造的产品，鉴定检验的样品应从提交的鉴定检验样品总数中随机抽联。
4.4.3检验
鉴定检验的项日、检验顺序，受试样品数量及不合格品数应按表1的规定。表1鉴定检验
检验项目
短轴尺寸
晶面与定问
导电类型
载流子浓度
截耳迁移率
位错腐蚀坑密度
A和B原子面
表面粗锰度
抛光片厚度与表面质鼠
4.4.4不合格判定
要求的章条号
检验方法章条号
受试样品数量
充许不拿格品数
若受试样品通过表1中列举的各项检查检验，则鉴定检验合格：若其中一项或一项以上检验超过表1规定的允许不合格品数，则不授于鉴定合格资格。4.4.5鉴定合格资格的保持
鉴定合格资格是通过质量一致性检验来保持，根据需要，应由承制方每年一次向上级鉴定机构提交质量一致性检验记录的副本。4.5质量一致性检验
4.5.1检验批的组成
检验批应由相同设备和相同工艺坐产的按[211]方向生长、按(111)晶面定向，晶面偏差应等于或小于三1的单晶，按第3.2.1条的要求切刺的单晶片组成。4.5.2A组检验
4.5.2.1抽样方案
质量一致性检验的A纽检验按CJB179，般检验水平IⅡ，可接收质量水乎2.5，一次正常抽样方案。序号3.4抽取样品量的1/3进行检验，其余序号1、2、5、6、7.8抽取样品量的2/3进行检验。
4.5.2.2检验项国
A组检验项目按表2规定进行。
HTTKAONKAca-
检验项百
快兴片厚度
品面与定向
位错腐蚀坑密度
A和13源-面
导电类型
载流子浓度
霍耳迁移率
表面粗蜡度
4.5.2.3不合格
SE20640---97
装之我维将验据
要求的章杀导
检验方法章条号
如果某一检验批被拒收，承制方可以将不合络品剔除，重新组批检验，样品数量应为正常检验的两倍，并应清楚地标明“重新检验批”。4.5.3R组捡验
B组检验为100%检验，B组检验在A检验合格后接表3规定进行。表3B组检验项目
检验项目
表亚质量
4.6包装检验
用目检方法进行第5.1条和5.2.3条锐装和保志验验4.7检验方法
4.7.1 外形尺寸
a.淳度测量
检验方法章条号
别分辩率为1um的测量仅器对晶片的四剧对称点和自然中心点进行测量，五点平均值符合3.2.9条的要求；
b.短轴测量
用分辩率为0.02mm的卡尺直接测属靠片的短辅尺应符合3.2.1条的要求。4.7.2晶南与定向偏差
4.7.2.1原理摄要
符合GTR1209中的方法1520旗理。4.7.2.2设备及要求
X射线衍射仪要求：
a.（111)晶面的衍射角：9=11°54；b，工作电流：2.0mA。
c。灵敏度±2\。
4.7.2.3测试结果评定
SF2064097
被测晶面的定向偏差即悬计算出的6角与鼎向布拉格角之差，应符合3.2.2条的要求。4.7.3位错腐蚀坑密度
按照GB 11297.6的测量方法进行。4.7.4A和B原子面免费标准bzxz.net
4.7.4.1原理概要
锑化铟单晶体为闪锌矿结构，在(111)晶面的和锑两层离子构戒电偶极层，[111]方向的铟原子指向锑原子的方向，由手铟原子与原子间的键合数目之比为1:3,因此铟、锑原子的键能大结台牢固，因此在化学腐蚀时（111）晶面显露总是原子带正电荷，而在（讯i品面总是锑原子带负电荷，利用（111）晶闻的位错蚀坑莱判定A和B原子面，…般（1110最面的位错排皇现白色正三角形的为B原子面，呈现正三角形四面体的为A原子面，本方法用 CP.4腐蚀剂进行A原子面判定。
4.7.4.2结果判定
按4,7.4.1 条给出的依据,判定(111)B原子面和(111)A原子面。4.7.5导电类型
4.7.5.1测试方法
按 GB 11297.7 进行。
4.7.5.2样品的推备及处理
在晶面的边缘焊上四个对称电极，每个电极间相差90，并保证焊点的欧姆接触。4.7.5.3结果判定
利用范德堡法测量晶片的霍耳系数，其和电位值为负值者即为型。4.7.6载流子浓度
按 GB 11297.7 进行。
4.7.7耳迁移率
按 GJB 1297.7 进行。
4.7.8表面粗糙度
按GB3505的2.9条要求，用分辩率为0.02m的台阶仪，在抛光片的中心区域的任意两点进行测量，对于A面的取样长度0.08mm,对于B面的取样长度2.00mm。4.7.9抛光片表面质量
4.7.9.1原理概要
对抛光片表而的亮点和划道的要求是较为重要的，本法是通过100倍的显微镜下观察有无明显划道和大的密集亮点，并以参考图片相比较来选取的。4.7.9.2设备与要求
a.显微镜（x100)：
b，暗场下摄取的参考样品亮点图共5种。s
HTTKAONTKAca-
SJ2064097
图11级参考样品充点图
图22级签考样品亮点图
SI20640-97
图33级参考样品亮点图
图44级签考伴品充点图
KAOKAca-
S120640-97
图55级参考样品亮点图
4.7.9.3受试样品的准备与处理
经过4.7.1～4.7.8条检验格单晶片进行磨抛处理后，立即用去离子水清洗干燥备用。4.7.9.4试验条件
用正置金相显微镜在100倍暗场下观测抛光片表而质量，外缘3mm以内选五点即中心点和十字交叉对称四点测量。
4.7.9.5结果评定
与参考样品亮点图比较晶片的表面质量，其三点以上不超过3级参考样品图要求为合格。5交货准备
5.1包装和装箱
5.1.1包装
抛光片漫入医用凡士林熔化液中，装入特制的塑料包装盒内。在包装盒内应装入晶片编号，在包装盒外贴上内包装标志。5.1.2装箱
将特制塑料盒按一定量装入外包装箱内，并用填充物填实，外包装箱应备有产品合格证和检测报告。
5.2运输和存
5.2.1运输
产品可用任何运输工具运输，但应采用防冲击，防振动，防挤压的措施，以避免由于跌落、碰撞引起的损伤。
5.2.2贮存
SJ20640-97
产品应在洁净、干爆无腐蚀性环境中贮存。5.2.3标志
5.2.3.1内包装
在锑化铟单晶片的专用包装盆上注明下列内容：a，产品名称和型号：
b.军用标记\J\；
c。制造年、月；
d.产品编号和生产批号；
e.数量；
f.承制方名称。
5.2.3.2外包装
在锑化钢单晶片的外包装箱面上应按ZBN30003第5章的要求标志。说明事项
6.1预定用途
本规范规定的锑化铟单晶片预定用于军用光伏型红外探测器。6.2订货文件内容
合同或订单中应载明下列内容：a本规范的名称和编号：
b.型号；
心。外形尺寸和晶面；
d.数量；
e.其他。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所起草。本规范主要起草人李兆瑞、刘筠。计划项目代号：B55002。
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