本标准规定了超辐射发光二极管组件光电参数的测试方法。本标准适用于超辐射发光二极管组件(以下简称“组件”)光电参数测试。 SJ 20785-2000 超辐射发光二极管组件测试方法 SJ20785-2000 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5980
SJ 20785—2000
超辐射发光二极管组件测试方法Measuring methods for super luminescentdiode module
2000-10-20发布
2000-10-20实施
中华人民共和国信息产业部批准范围
2引用文件
3定义
一般要求
5详细要求
正向电压
反向电压
微分电阻·
微分辐射功率效率，
总电容
辐射功率·
2002辐射功率的重复性
1000类电特性测试
2000类光特性测试
2003蜂值发射波长和光谱辐射带宽2004光谱调制系数
2005偏振消光比…
3000类光电特性测试
脉冲响应特性
3002小信号截止频率
3003光谱辐射带宽随工作电流变化特性4000类温度特性试
4001辐射功率随温度变化特性：4002峰值发射波长和光谱辐射带宽随温度变化特性4003制冷电流..
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中华人民共和国电子行业军用标准超辐射发光二极管组件测试方法Measuring methods for super luminescent diode module1范围
1.1主题内容
本标准规定了超辐射发光二极管组件光电参数的测试方法1.2适用范围
SJ207B5--2000
本标准适用于超辐射发光二极管组件（以下简称“组件\）光电参数测试。2引用文件
GB/T15651一1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分光电子器件3定义
除非另有规定，本标准所使用的符号、定义应符合GB/T15651和本标准的规定。3.1超辐射发光.极管SLDSuperluminescentdiode具有光放大但反馈不足以产生激光振荡的发光二极管。3.2超辐射发光二极管组件SLD组件Super Iuminescentdiodemodule由超辐射发光二极管、热稳定装置和/或输出光功率的蓝控装置和尾纤/缆等组成的组件。
3.3正向电压Vforward voltage
通过组件正向电流为规定值时，在SLD两电极间产生的电压降。3.4反向电压Vk reversevoitage通过组件的反向电流为规定值时，在SLD两出极间产生的电压降。3.5微分电阻ra differential resistance在规定的正向工作状态下，在I-V特性的线性区内，SLD两电极之间的电压增量与通过组件的电流增量之比。
3.6 总电容 Ctot total capacitance在规定证向偏压和规定频率下，SLD两端的总电容。3.7偏振消光比$polarized extinction ratio组件输出的辐射功率通过偏振器的透射最大值与透射最小值之比。3.8 光谱调制系数m spectral modulus of modulation在规定的正向工作电流下，组件所测得的法布里一珀罗模式光谱中峰值波长处与其中华人民共和国信意产业部2000~10-20发布2000-10~20实施
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相邻的波谷处的相对辐射功率之差与其之和的比值，3.9光谱辐射带宽随正向电流变化特性A1（1）variationofspectralradiationbandwidth with forward current
在规定的正向电流范圈内，组件光谱辐射带宽随正向电流的变化而变化的特性。3.10辐射功率随温度变化特性p。（T）variationofradiantpowerwithtemperature在规定的正向工作电流和规定的温度范围内，组件辐射功率随温度的变化而变化的特性。
3.11峰值发射波长随温度变化特性A,(T）variationofpeak-emission wavelengthwithtemperature
在规定的正向工作电流和规定的温度范围内，组件峰值发射波长随温度的变化而变化的特性。
3.12光谱辐射带宽随温度变化特性4^（T）variationofspectralradiationbandwidtbwith temperature
在规定的正向工作电流和规定的温度范围内，组件光谱辐射带宽随温度的变化而变化的特性。
3.13制冷电流Ipecoolingcurrent在规定环境温度、正向电流及热沉温度（热敏电阻值）的条件下，组件达到热平衡所需的电制冷器电流IPE。
3.14辐射功率的重复性repeatabilityofradiantpower在规定的測试条件下，组件不同时刻辐射功率的标准差与辐射功率的绝对平均值之比。
4一般要求
4.1测验条件
除非另有规定，组件光电参数的测试应按本标准规定的条件进行。4.1.1标准大气条件
温度：25℃±3℃：
相对湿度：20%～80%：
气压：86kPa~106kPa.
4.1.2仲裁标准大气条件
温度：25°℃±1°℃;
相对湿度：48%~52%：
气压：86kPa~106 kPa.
4.1.3环境条性
a、测试环境应无影响测试准确度的机振动和电磁干扰。b，除非另有规定，组件全部光电参数的测试均应在热平衡条件下进行。C.测试系统应良好接地。
4.2测试系统及仪器设备Www.bzxZ.net
测试用仪器的准确度应符合测试规定要求，经计量部门检定合格，在检定周期内，- 2 -
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按有关操作规程进行测试。
4.2.1温度控制电源
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测试中使用的组件温度控制电源的不稳定度、准确度、输出电流等指标应满足要求。4.2.2直流电流源
测试中使用的直流电流源的纹波系数小于1%，不稳定度及在给定值的范围内的输出电流等指标应满足要求。
4.2.3电流表、电压表
测试中使用的电流表、电压表的量程、分辨率、测量误差应满足要求。4.2.4辐射功率测量仪器
测试中使用的辐射功率的测童仪器可采用光功率计、光电探测装置等，其准确度、分辨率、响应度、光谱范围应满足要求。4.2.5光谱特性测量仪器
测试中使用的光谱特性的测量仪器可采用单色仪、光谱分析仪等，其准确度、分辨率，灵敏度应满足要求。如单色仪的传输系数和光功率计的灵敏度在要求的波长范围内不是常数，则记录值应于修止。4.2.6无应力显微镜
测试中使用的无应力显微镜的内应力及退偏效应应满足要求。4.2.7检偏器
测试中使用的检偏器可采用格兰棱镜等，其偏振消光比应大于50αB，光的透过率应满足要求。
4.2.8脉冲信号发生器
测试中使用脉冲信号发生器的主要要求是：脉冲信号发生器的工作频率、输出脉冲幅度、波形的上升时间、下降时间均应a.
满足组件的测试要求。
b．应有良好的频率稳定度和高的信噪比。4.2.9信号发生器
测试中使用的正弦信号发生器的主要要求是：a.能提供足够的功率电平范围和电平分辨力：b，输出信号应有高的信噪比和低的高次谐波成分：c.输出信号应有高的频谱纯度，在主输出频率±10%的范围内，杂波抑制应小于40dB.
4.2.10时域测试仪器
测试中使用的时域测试仪器可采用示波器，频谱分析仪，其带宽、灵敏度，准确度等指标应满足要求。
4.2.11控温装置
测试中使用的控温装置的温控推确度、灵敏度、控温范围等指标应满足要求。4.2.12万用表
测试中使用万用表、高精度数字表等，其推确度、不稳定度、量程等指标应满足要求。
4.2.13电容仪
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测试中使用的电容仪其准确度、不稳定度、量程等指标应满足要求。5详细要求
本测试方法分为：
a.1000类电特性测试方法
方法1001正向电压
方法1002反向电压
方法1003微分电阻
方法1004微分辐射功率效率
总电容
方法1005
b，2000类光特性的测试方法
方法2001
辐射功率
辐射功率的重复性
方法2002
方法2003峰值发射波长和光谱辐射带宽方法2004偏振消光比
方法2005
光谱调制系数
c.3000类光电特性测试方法
脉冲应特性（上升时间、延迟时间、下降时间）方法3001
方法3002小信号截止频率
方法3003光谱辐射带宽随正向电流变化特性d.4000类
温度特性的测试方法
方法4001辐射功率随温度变化特性峰值发射波长和光谱播射带宽随温度变化特性方法4002
方法4003制冷电流
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SJ 20785—2000
1000类电特性测试
方法1001
正向电压
测试组件在规定正向偏暨电流作用下，在SLD两电极间产生的电压降。2测试电路图
见图1001。
其中：A1—— 被测组件
G1 直流电流源
G2——温度控制电源
P1—电流表
P2—电压表
图1001
3测试步骤
按图1001连接测试系统，并进行仪器预置。3.2调节直流电流源，使直流电流表上的读数为规定值，这时在直流电压表上的读数即为被测组件的正向电压。
4规定条件
应在详细规范中规定下列细节：环境温度、热沉温度或管壳温度：一正向偏置电流。
SJ20785—2000
方法1002
反向电压
测量通过组件的反向电流为规定值时，在SLD两电极之间产生的反向电压降。2测试电路图
见图1002。
其中：Al
被测组件
P——电流表
P2 电压表
GI直流电压源。
图1002
3测试步骤
3.1按图1002连接測试系统，并进行仪器预暨。3.2调节直流电压源，使电流表读数为规定值，这时电压表上的读数为反向电压值。4规定条件
应在详细规范中规定下列细节：一环境温度或管壳温度：
一反向电流。
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1目的
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方法1003
微分电阻
测量组件在正向工作状态下的微分电阻。2测试电路图
见图1001。
3测试步骤
按图1001连接测试系统，并进行仪器预置。3.1
3.2给组件施加规定的正向偏置电流，在组件的I-V特性的线性区域里，调节正向偏置电流分别为,和Iz同时，测出相应的正向工作电压V，和Vrz按公式（1003）计算出微分电阻：
式中：△片=Yp2-VFu，正向偏压，mV;A=IF2-/F1正向偏直电流，mA；
ra—微分电阻，2。
4规定条件
应在详细规范中规定下列细节：一环境溫度、热沉温度或管壳温度；一工作电流范围。
(1003)
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方法1004
微分辐射功率效率
试组件的微分辐射功率效率。
2测试电路图
见图1004。
其中：Al被测组件
GI——直流电流源
G2温度控制电源
B1——光功率计或光电探测装置E1 - 光纤光缆
图1004
3测试步骤
3.1按图1004连接测试系统，并进行仪器预置。B1
3.2给被测组件施加规定的正向偏置电流，使相应的辐射功率符合规定值，读取规定的辐射功率中及对应的 m
3.3改变正向电流为3，读取相应的射功率Φ值。按公式（1004）计算出微分辐射功率效率值：
式中：ned—— 微分辐射功率效率：0
A中=中-p，中。为辐射功率，mw（或μw)：Ap=Iez-m为正向偏置电流，mA。4规定条件
应在详细规范中规定下列细节：一环境温度、热沉温度：
工作偏置电流。
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(1004)
1目的
SJ 20785—2000
方法1005
总电容
测量组件在规定条件下的总电容。2测试步骤
2.1测试方法1
2.1.1测试电路图
见图1005—1。
其中：A［-
，被测组件
P—电容仪
P2—— 电压表
G1- 电压源
Cl—— 隔离电容
LI 电感
2.1.2測试步骤
图1005—1
2.1.2.1按图1005连接测试系统，并进行仪器预置。G
2.1.2.2调节电压源，给组件施加规定的正向偏压和频率，调节电容仪，将电容仪的刻度盘上的读数扣去电容C，等效值即为该组件的总电容。其电容值按公式（1005）计算：
中：C——-电容仪上的电容值，pF：C-隔离电容，pF。
2. 2试方法 2
2.2.1测试电路图
见图 1005—2。
(1005)
其中： A被测组件
F1直读式电容仪
2.2.2测试步骤
sJ 20785--2000
图1005—2
2.2.2.1按图1005-2连接测试系统，并进行仪器预置，A
2.2.2.2给组件施加规定的正向偏重电压和频率，在直读电容仪上读出所测的电容值。3规定条件
应在详细规范中规定下列细节：环境温度或管壳温度：
正向偏置电压；
电容仗提供的频率。
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