本规范规定了半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架的技术要求及检验规则。本规范适用于半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架的研制、生产和采购。 GB/T 16525-1996 塑料有引线片式载体封装引线框架规范 GB/T16525-1996 标准下载解压密码：www.bzxz.net

GB/T16525-1996
本标准非等效采用国际半导体设备与材料组织(SEMI)标准SEMIG27一89塑料有引线片式载体(PL.CC)封装用引线框架》。
本标准与SEMIG27--89相比较，定义部分引用了GB/T1411393半导体集成电路封装术语》；同时，根据我国产品生产的实际需要，增加了产品检验的具体试验项日和抽样水平。本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国集成电路标准化分技术委员会门口。本标雅起草单位，履门永红电子公司、电子工业部标准化研究所。本标准主要起草人：上官鹏、陈裕。..com1范围
中华人民共和国国家标准
塑料有引线片式载体封装
引线框架规范
Specification of leadframes for plastieJeaded chip carrier packagesGB/T 16525—1996
本规范规定了半导体集成电路塑料有引线片式裁体（PLCC)封装引线架（以下简称引线框架）的技术要求及检验规则。
本规范适用于半导体集成电路塑料有引线片式载体(FI,CC)封装引线框架的研制、生产和采购2引用标准
下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。木标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用木标推的各方应探讨使用下列标推最新版本的可能性。GB/T7092—93半导体集成电路外形尺寸GR/T14112-93半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/114113—93半导体集成电路封装术语SJ/Z 9007—87计数检查抽样方案利程序3定文、符号和缩略语
本规范采用的定义，符号和缩略语见GB/T14113的规定。4要求
4.1设计
引线框架的外形尺寸成符合GB/T7092的有关规定，并符合引线框架设计的要求。4.1.1键合区
最小扁平引线键合区，宽度为标称引线宽度的80%，长度为0.635mm。4.1.2精压深度
4.1.2.1最小精压深度为0.013mm+最大精压深度为材料厚度的30%。4.1.2.2图纸1:标明的尺寸为精压前尺寸。4.1.2.3每边最大精压凸出不应超过0.051mml,应受金属间聪要求的限制。4.1.3水平引线间距和位置（引线端部）4.1.3.1可保持的引线间距和引线位置与设计的引线间距和引线宽度有关(见表1)。国家技术监督局1996-09-09批准1997-05-01实施
设计引线宽度
GB/T 16525-1996
设计引线间距
最小引线间距
小下 0. 254 mm的设计引线,其允许偏差应由供需双方协商mm
最小实际位置间直径
4.1.3.2引线数为18～100的引线框架，引线位留的确定应使得在宽度方面以精压引线的标称中心为圆心，直径为0.178mm的圆和在长度方面距引线端点0.152mm的引线部分应全部包括在精底区内，4.2引线框架形状和位置公差
4.2.1内线扭曲不得超过330或每01.251mm引线宽度上最大偏离不得超过0.015mm4.2.2芯片粘接区斜度和平而度
4.2.2.1斜度
在未打凹的情况下,每 2.54 mm长或宽尺寸最大倾斜 0.025 mm，在打凹的情况下：在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mml。测试从角到角进行。4.2.2.2平面度
对下引线数为18~100的引线框架,芯片粘接区上每2. 54 mm长度内,最大编移 0. 005mm。从中心到四个拐角进行测试的平均值,拐角被规定为离每巡(.127 mm处。4.2.3引线框架内部位公差
所有引线框架的特征中心线相对于边框上定位孔中心线实际位置公差必须在0.051 mm之内，4.2.4侧弯
（203.2±50.8）mm标称条长上，侧弯应不大于0.051mm。4.2.5卷曲
在整个标称框条上卷曲应不大于 0. 51 m。4.2.6横弯
横弯尺应符合表2的规定。
横弯（晟大值）
引线数
4.2.7框架扭曲
±o,127 mm
在标称条带长度上架扭曲不超过0.51 um。4.2.8引线共低性和芯片粘接区平面度4.2.8.1引线共面性
±0.152 mm
在卷带或非卷带条件下，引线端点应作7.平面的下列公差内（见表3）装3
引线数
18矩彩
20方形
27.18 mn~31.24 mm
27. 18 mm--37. 34 rritr
42. 42 mm~-47. 5 num
±(1. 251 imtr
那线端点共面性
0.0了hmm
=(. 102 mml
=(, J27 mm
4.2.8.2芯片粘接区平面度
GB/T16525—1996
芯片粘接区应在Z平面的下列公差内（见表4)。表4
引线数
18-~44
4.3引线框架外观
4.3-1毛刺
芯片粘接区平面度
+0. 076mm/ : 0.127 mm
—0.152mm/0.102m
连筋以内的垂直毛刺应不超过0.025mm，连筋以外的垂直毛刺和任何地方的水平毛刺应不超过0.051mm
4.3.2凹坑和压痕
4.3.2.1在功能区和外引线上不应存在压痕,凹坑深度不应超过 0. 008 mm,最大表面尺寸不应趋过0.13 mm.
4.3.2.2在其他区域，凹坑和其他缺陷都不应影响引线框条的强度，这些缺陷的深度不应超过0.05mm,最大表面尺寸不应超过0.13mm，4.3.3表面缺陷
无镀层部位应呈金属材料本色，无锈蚀，发花等缺陷。4.4引线框架镀层
4.4.1镀层厚度
4.4.1.1镀金引线架局部镀金层厚度不小于1μm。4.4.1.2镀银局部镀银,其银层厚度不小于 3.8μm4.4.2镀层外观
镀层表面应致密，色泽均勾呈镀层本色，不允许有起皮、起泡、发花，斑点，沾污异物等缺陷。应无明显污点、脱落或镀层澜镀。
4.4.3镀层耐热性bzxz.net
镀层经高溢试验后应无明显变色，不允许起皮、起泡、剥落、发花、斑点等缺陷。4.4.4镀层键合强度
引线框架引线键合区应易于键合，键合强度人于40 mN。4.5引线框架外引线强度
孕线框架的外引线经驾曲试验后不应出现斯裂，5检验规则
5. 1 检验批的构或
一个检验批可由一个生产批或符合下述条件的几个生产批构成。a）这些生产批是采用相同的材料.工艺、设备等制造出来的：b）每个生产批的检验结果证明材料和工序的质量均能保证所生产的引线框架达到预先规定的质量水平：
c）若干生产批构成·个检验批的时间通常不超过一周,滁非另有规定.最长不得超过一个月。5.2检验项目及要求
引线框架的检验项月及要求见表5。标有(D)的试验为破坏性试验，表5中所引用的试验方法，系指GB/T14112—93附录中规定的方法。AQL抽样方案按SJ/Z9007的规定，抽样数以条为计量单位。检验和试验
形症公差
镜层厚度
镀层耐热性(D)
键合强度(门)
外引线强衰（D）
6订货资料
CB/T 16525-1996
试验片法
用满足谢量准确度的盘具测
盘附录A
X荧光厚仪或其他等效仪器
谢录B中B
谢录B中B2
谢录 中 3
检验要求
按本规范4.3及4.4.2
按本规范4.1
按本规范4.2
按本规范4.4.1
按本规范4.4.3
按本规范4.4.4
按术规范4.5
若无其他规定，订购引线框架时至少需要以下资料：a）产品型专、规格：
b)数量；
c）产品图纸或图弓；
l）材料名称皮规格t
e）任何其他细节(适用时)。
7标志、包装、运输、贮存
7.1 标悲
引线框架包装盒土应有如下标志：a）制造厂名称或商标：
h）产品名称、型号、规格；
c）产品标准编号；
d)数量，
e）生产Ⅱ期：
f）检验批识别代码和检验员代导。7.2包装
为避免正常运输过程中的损坏和泄漏，产品需包装在专门设计和制造的包装箱内，付装箱应防止产品被污染和受潮。
引线框架内包装应采用中性材料包装并密封，以保证产品不受沾污和腐蚀，防止物理损伤。产品的包装应适应任何交通工具的运输。运输
GB/T16525-1996
产品采用任何交通工具运输，在运输过程中应防止雨淋，受潮和破撤。7.4忙存
7.4.1引线框架产品应贮存在坏境温度为10)～35，相对湿度不大于60%，周围无腐蚀气体的库房中.
2自出厂之日起，有镀层的引线框架保存期为三个月，尤镀层引线框架保存期为六个月7.4.2
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