本准则规定了在表示掩模曝光设备的精密度和准确度时应遵循的一般要求。掩模曝光设备的图形曝光精密度和准确度是通过测量制成的掩模来评估的，掩膜制造过程中的工艺条件对它有很大影响。所以，曝光条件应经厂家和用户双方同意。 GB/T 16879-1997 掩模曝光系统精密度和准确度的表示准则 GB/T16879-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

GB/T 16879—1997
本标准等同采用1994年SEM1标准版本“微型构图\部分中的SEMIP2192掩模曝光系统精密度和准确度的表示准则》(Guidelines for precision and accuracy expression for mask writingequiprment)。
SEMI标准是国际上公认的一套半导体设备和材料国际标准。SEMIP21一92《掩模曝光系统精密度和准确度的表示准则》是其中的一项，它将与已经转化的SEMIP1一92硬面光掩模基板》SEMIP2—86硬面光掩模用铬薄膜》、SEMIP390《硬面感光板中光致抗蚀剂和电子抗蚀剂》、SEMIP4—92《国形石英玻璃光掩模基板》SEMIP6—88《光掩模定位标记规范?及SEMIP19—92用于集成电路制造技术的检测图形单元规范》和SEMIP22一93《光掩模缺陷分类和尺寸定义的指南》两项SEMI标准形成-一个微型构图标准系列。
本标准是根据SEMI标准P21一92《掩模曝光系统精密度和确度的表示准则》制定的。在技术内容上等同地采用了该国际标摊。本标准的格式和结构按国标GB/T1.1一1993第一单元第部分的规定编制。本标准从199名年3月1日实施。
本标准由中国科学院提山。
本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准起草单位：中国科学院微电子中心。本标准主要起草人：陈宝钦、陈森锦、廖温初。1范围
中华人民共和国国家标准
掩模曝光系统精密度和准确度的表示准则
Guidelines for precision and aceuracy expressionfor mask writing equipment
GB/T 16879--1997
本准则规定了在表示掩模曝光设备的精御度和准确度时成遵循的一般要求。掩模噪光设备的图形光精密度和准确度是通过测量制成的掩模来评估的掩模制造过程中的工艺条件对它有很大影响，所以，曝光条件应经厂家和用户双方同意。2引用标准
下列标准所包含的条文，通过在本标准中非用而构成为本标准的条文。本标准出版时,所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。SJ/T10152—91集成电路主要工艺设备术语SJ/T1058404微电子学光掩蔽技术术语3精密度和准确度的定义、表示方式、测量方法和要求3.1最小图形minimunpatiern
3.1.1 定义
指最小的线条和透亮的图形,以及可以区分的最小图形。3.1.2表示方式
扫描电子显微镜(SEM)照片。
3. 1.3测量
光刻胶图形或铬膜图形的SEM照片。3.2图形尺寸的精密度和准确度patteinditnension precisionand accuracy3. 2. 1 定义
指制成的掩模图形关键尺寸(CD)相对于设让值的偏差和变化量3.2.2表示方式
实测图形尺寸的平均值相对于设计值的偏差（4：μm)，及其实测倘变化量(3g:um)。应当明确说明被测的区域和抽样点的数量。3.2. 3测量方法
(a）光学 CD 测；
(b）电子束CD测量：
(c）利用掩模曦光设备的白检功能进行CD测量，3.2.4测量要求
国家技术监督局1997-06-20批准1998-03-01实施
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必须测量X方向和Y方向上的长线条图形的宽度。测量图形的类型为孤立的图形,线宽与透亮间隙宽度之间的黑白比设计为1：1或者1：2的图形。不规定应测量的线条宽度，但至少必须测量三种不同线宽的图形。图形实例如图1 和图2 所示。
图1測量图形尺寸精密度的图形实例之一1.5
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5-5 5-1 1-1 1-2 2-2 2-4 3-3 3-6 4-4 6-6 8-8图2测量图形尺寸精密度的图形实例之二3.3套准准确度ovcrlayaccuracy3.3.1定义
掩模燥光设备制成的两块掩模版之间的图形位置相对偏差。3.3.2表示方式
3:um（分别标明X方向和Y方向精密度和推确度）应明确说明被测的区域和描样点的数量。3.3.3测量方法
(a）光学坐标测量：
(b）电子束坐标测量:
(c）利用掩模曝光设备的口检功能进行坐标测量。3.3.4测量要求
测量图形应是字形标志或I形标志。应从测试结果中减测量中的旋转偏差。若测量套准精度时所用的掩模是用不同版架制成的应当明确注明。图3给出个图形实例。
套版图形之一细部
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盘套版阵确度的图形阵列
奔版函形之兰细部
图3测最套版准确度的图形实例
3. 4 图形拼接准确度
Evattein stitr:hing nccuracy3. 4. 1 定义
由掩模噪光设备制造的掩模上的各曝光（扫描）场、条纹和光（束）斑等拼接处边界上的位置偏差。3.4.2表示方式
1平均值：×1+35:μm(分别标明X方向和Y方向准确度）应明确说明被测的区域和拙样点的数量。3.4.3测量方法
（n）光学坐标测量：
(b）电了束坐标测量；
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(c）利用掩模曝光设备的自检功能进行垒标测量；(d）游标尺洲量
(e）用SEM影像进行边界测量。
3.4.4测量要求
为便于坐标测量，应当作拼接边界附近的两侧布置十字形标志或L形标志的图形。若用光学显微镜来测量，应当使用游标尺结构图形。4说明事项
4.1为了对上述的掩模曝光设备精密度和准确度逐项进行评估，用户和厂家应事先对以下的问题达成一致意见。
a）工艺要求；
1）光刻胶材料；
2）涂胶条件
3）爆光条件：
4）显影条件：
5）刻蚀条件：
6）工艺操作饮序；
7）掩模村底材料和铬薄膜材料。h）测试图形，
c）测试方法。此内容来自标准下载网
4.2本准则不包括以下内容，但用广和厂家最好在这些问题上事先达成一致意见。a）图形塑标；
h）图形位置准确度；
c）准确度的长期稳定性
d）材料粒度。
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