本标准规定了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的类型、结构、额定值和特性的术语及通用文字符号。本标准适用于制订标准、编订技术文件、编写和翻译专业手册、教材及书刊。 GB/T 17008-1997 绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号 GB/T17008-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

GBT17008
本标准主要依据下列国际标准或标准草案而制订：音
IEC/TC17（CO)1339绝缘树双极型品体管的概念IEC/TC47(Sec:>1251绝缘册删双极型品休管的新概念和文符号IEC:/TC47(Sec:)1282绝缘栅双极型晶体管的额定值、特性和测试方法IEC747-8第』章场效应晶体管的术语和文字符弓从上述标准中被本标准采纳的术语和文字符号在技术内容上等效。本标准编工规则按等效采用了国际导则的H/T1.1—1993标准化E作导则第1单元：标准的起草与表述规则第1部分：标准编写的基本划定》。
这样,通过我国标准内穿和缩写规则尽可能与国际示致或等同，以尽快适应国际贸易，技术和经济交流以及采用国际标祖飞跃发展的需要。本标准由机械工业部提出。
本标准山全国半导体帮作标准化技术委员会妇口，本标准由机械部西安电力电子技术研究所负责起草本标准主要起草人：秦贤满：
1范围
中华人民共和国国家标准
绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号Terminology and letter symbolsfor insulated-gate bipolur IrartsisinrGR/T 17008---1997
本标准规定了绝缘栅双极型晶体算（1GBY)的类型、结构、额定位和特性的术语及通用文字符号。本标准适用于制订标准、缔订技术文件、编写和翻译专业于册、教材及书刊。2一般术语
2.1源区5urctrcgion
多数载流子流人沟道的起始区域2.2漏区 drainregion
接收从沟道流的多数载流子的区域，2.3蒲注人区drain injeckor rcgion位于场效应结构的漏区和瀚极间并与漏双极性相反的卒导体界面区。1当土电流班动时，通注人区注入谢区的附加少数载流了使漏区电号自强2在实际器许制作中,IGHT 的讨底起痛主人区的作用。2.4栅区atc Iegion
与栅密极连接的，挪极控制电压产生的电场能起作用的汉域。2.5沟道channel
在源区和漏区之间的半导体薄层，流经该游层的电流受栅极电位控制，2.6亚沟道区subchannel region源区和瀚区之间的区城。
半：般，亚沟道区出两个不同擦架部分组成，即形成沟道的轻掺杂部分和流过孜圾品体管结构的集电摄电流的重慈杂部分：
2.7 漏极drain
谢于蒲注人区上的电极。Www.bzxZ.net
2.8集电极端ntlector1erminal
连接漏极的端。
2.9 源被 source
附于源区和部分亚沟道区上的电极，该部分业沟道区流建双极品休管结构的集电极电流。2.10发射极端emitter terminal连接源极的端。
2.11栅极atc
附于栅区上的电极。
国家技术监督局1997-10-05批准1998-08-01实施
2.12榭极端gate terminal
连接榭极的端。
GB/T 17008-1997
2.13耗尽模式工作depletion modc opcration蒲被电流值随栅极-严极也飞从零变为限定值而减少的工作方式。2.14增强模式工作cnhanecmeni mode operation漏极电瀛值随榭极-源极电压从零变为限定值而增大的工作方式。3类型
3.1绝缘栅双极型晶体管（(GkT）insulated-gatebipolartransistor一种绝缘栅场效应品体：
县有\漏注人区”：
源极与场效应结构的亚沟道区连接，使极和源极间形成双极晶体普结构：当主电流流过时，漏注入区的作用如象双极品体管结构的发射极一样向场效应结构的漏区注人少数载流子，从而增强漏区的电导（见图1)。场效应品体管
站元件
滤注人区
亚街道区，
换电设器
双极品体节
酷糊元件
发射区
政莱区
发射极册
图1、N沟道绝缘栅双极型品体管(增强型)的结构3.2N沟道绝缘栅双极型品体管N-channel iasulated-gate bipular transistor其有一个或多个N型导电沟道的种绝缘栅双极型晶体管。3. 3 P 沟道绝缘栅双极晶体管 P-chantiel isulaterd-gate bipolar trinsistor其有·个或多个P型导电沟道的一种绝缘栅双极型品体管。3.4增崛型绝缘棚双极型晶休管enhanccment typc insulaied-ale bipolar Ltarnsisior在栅极-源被电正为零耐，沟道导率接近于零,而施加适当极性的栅极-源极电压,可塔加沟道电导率的一种绝缘栅效整型品体管。3.5耗尽型绝缘栅双极型品体管deplelion Lype insulate-gale bipolar transistor在棚极-源极电压为零时,狗道电导率可观,并随栅极-源极电正极性不同可增大或减小直至为岑的种绝缘栅双极型晶休管。
4额定值
4.1栅极-发射极短路时集电被-发射极毛压（Vc）collectot-emittervoltgewithgale cmittcrshort-circuited
GB/T 17008--1997
在栅极-发射极短路和规定的集电极电流条件下，集巾极端对发射极端的电压：4.2集出极-发射极短路时栅极-发射极电压（Vikx）gate-tmitrrvoliagcwithcolletorcmittorshort-circuited
在集电极·发射极短路和规定的栅极电流条件下.栅圾端对发射极端的中4.3集电极直流电流（1）rontinarus c:rlleiardirec currentIG13T 定全儿通并进人稳态后,流以集电被的直流电流4.4集电极重复峰值电流(leusrcpctitive peek rollertar rurren包括所有重复舞态集电极电流的形脉冲荣应极电流的最人值（峰值），此电流与光温、脉冲宽度和战空比有关。
4.5集电被术重复峰值电流(Icex）non-repeitive prt:ak cslltetror currcnt由电路昇常情况（如放障)引起、并股便结温超过额定值的最人集电极流（峰估）此电流与壳流,脉补宽度有关。
4.6总耗散功率（P.）1atalpowcrdissipation在规定的条行下，由集电极中流和慢极电流产生所耗散功率之动4.7等效结蕴(T:）(virtual) jumrtiou ttmprrature基」半导体器许的热电校准关系，通过电测量得到的结温。4.8壳温管光薇定IGBT的T：）eneteperHtur（foreaseratedIGBFs）在绝象韧效极型品体管管壳现定点测得的温度，4.9忙存度(g）Ktnrage lempcraturc通将值高于或等」最高额定结温、不施加任何电压行放器件的温度，5特性
5.1期极-发射极短路时集电被-发射极击穿电压（Vccs）tulttor-trnitcrbrcakdownvoltagrwithgate-emitter short-rircuitd
在榭板-发射极点路和规定最小集电极中流的条件下，由了裁流子店增效应使增莅接近于：三肉头也级端对发射梭端的电压，
5.2集电慢-发射极饱和电乐(Vcsu,）collecter-cmittr saturation voltage在规定的栅极电压和集电极电流的条件下，集电极端对发射极端的电，5.3栅极发射极网值中压(V.mh：）gate:-eni1leTliresholdvolt2.gt在规定的集电极发射极心正和集非被电流条件下,JGT进人开道初始时的栅极端对发射破端阅压。
5.4集电极-发射极截止电流(lsnlleetol cnicr cutnff cujrent在现定的集也损-发射设息压和栅被发射极短降的条件下，流过出电极的电流，5.5所极-发射极漏电流GB/T 17008—1997
在规定的栅极-发射极电压、开通前集电极-发射极电≤和开通后集电极电流条件下，楞极存在的电荷。
5.11昨通时间（tu）tutni-ontime从施加榭极-发射极电压脉冲初始值至集电极电流达到接近峰值的某一规定值之间的时闻间隔。F通时间由延邀时间和上升时间两部分组成+见图2。Tch
图2IGRT并通特性（阻性负载）
5.12（开通）延退时间（tac）Lurn-0ndelaytime从施加耕极-发射极电压脉冲初始值至集电板电流上升到某一规定值.或至集电极-发射极电压下降到峰值附近某·规定值之间的时间间隔。5.13上升时间(t.）rise time
从延迟时间的终点至集电圾电流达到接近峰慎的某·规定值，或至集电极-发射极电压下蒂到接近饱和电压的某一规定值之间的时间间隔。5.14关断时间（ter）urn-offtimc以椰极-发射极电压反向而下降接近初始值的某一规定值起，至集电极电流下降接近零的某一规定值或至集电极-发射极电压上升到峰值附近的某规定值止的时间间操。关断时间由关断延迟时间和下降时问两部分组成，见函3。Yer. i
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图3IGBT关断特性（阻性负载）
5.15关断延迟时间：购存时间（tecofnst）turn-offdclay time;slorngetine从栅极·发射极电压反向而下降接近初始值的某一规定值起，至集电假电流下降接近初始值的某规定值或至集电极-发射极电压上升接近初始值的某规定值止的时间问隔。5.16下降时间（t）fal！ time
从关断延迟时间的终点至集电极电疏下降接近零的某一规定值，或至集电极-发射极电压上片到峰俏附近的某一规定值之间的时间间隔。5.17尾部时间（t,）lail time
在关断期间，从关断时间的终点至集电极电流继续下降的外推苓点之间的时间间隔，集电极电流外据的零点，通常为尾部电流峰值（Izm）和0.2512M两点连线与时间轴的交点.见≤3.5.18结-管壳热阻（Rih,）junction-case thermal rcsisLanee在热平衔条件下，结温和管壳规定点温度差与产生这两点温度差的耗散功率之比。5.19结-环境热阻（Ruu）junction-ambientthermalresistance在热平衡条件下，结溢和环境规定点温度差与产生这两点温度差的耗功率之批5.20脉冲条件下的结-管壳热阻(R(hxw）junclion-tase thermal resistance under pulsc conditisix矩形脉冲功率产生的最高结温和管壳规定点温度的差与该功率之比。注
1当要求时,主要适用于小功率的 IGBT2R, li-与矩形脉冲的占空比(至少 1/2)和脉冲宽度有关,5. 21 脉冲条件下的结-环境热阻(Rcrhiur) junction-ambient thcrmal resistance under pulse conditions矩形脉冲功率产生的最高结温和环境现定点温度的差与该功率之比，注
当要求时，要适拥小功率的IGBT。2Ruchis与矩形腺冲的点空比(至少 1/2)和脉冲宽度有关、5.22结-管壳瞬态热阻抗（Zthe）jum:tio-:asetransientthermalimpedance在某-时间间隔末，结温和管完规定点的温差变化与引起这一温差变化在该时间间隔初始按阶跃两数变化的耗欺功率之比
5.23缩-环境瞬态热阻抗（Zni）jinetion-ambienttransicntthcrmal impedance在某一时间间未，结温和环境规定点的温差变化与引起这一温差变化在该时间间隔初始按阶妖雨数变化的耗敷功率之比
6文字符号
VE集电极-发射极电压
Ve集电极-发射破他和出压
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Vts集电极-发射极电压.栅极发射极短路时VrURCES集电极-发射极出穿电压，栅微-发射极短路时：极发射极电压
Vesh）栅极-发射极阅值电压
楊极-发射极阅值此压，集电機-发射极短路讨Wars
栅极-发射极峰值电压
发射极棚极电压
发射极-栅极峰值电压
集电极直流中流
集也被峰谊电流
集电极重复峰值心流
集电极不重复蜂修电流
集电板-发射极截止电流.册被发射极短路时Ters
榭极-发射极漏电流、集电极-发射设短路时Is
总耗微功率
F开道柜数功率
关断耗散功率
T站温
T最高结温
Te尧滥
T、环境温度
T，基准点滥渡
T比存温度
t.并通时问
开逛延迟时间
7．上并时间
.关断时间
ai、t。关断延返附间，购存时间t下降时间
1：民部时间
R、R。结·管充热阻
Ru、R，结-环境热函
RoiR咏冲条性下的结-批壳热阻
RrunR脉冲条件下的结管尧释态热阻抗Z、舜态热阻抗
Zh2结-壳解态热阻抗
Z、Z、结-环境瞬态热阻抗
正向跨导
输人电容
输出电容
栅极-发射极之问的比容
集电被-发射极之间的电容
反向传输电容
栅被电街
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(等效)结温
发射极端
反向传输电容
关断时间
关断延遐时间
耗尽模式工作
耗尽型绝缘棚双极型晶体管
集电极不重复峰值电流
集电极重复峰值电流
巢电极端
集电极-发射极饱和电压
集电被-发射被短路时栅极-发射极电压集电极-发射极截止电流
集电极直流电流
结-环境热阻
结-环境瞬态热阻抗
结-笋壳热阳
结-舒壳瞬态热阻抗
绝缘栅双型晶体管
并通时间
(开通)诞迟时间
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汉语索引
浦汪人区
脉冲条件下的结-环境热阻
脉冲条件下的结-管壳热阻
N沟道绝缘双极型品体管
P 沟道绝缘珊双极型晶体肾
栅被电荷
栅被端
栅极发射极短路吋集电极·发射极电压2.3
椰极-发射极短路时集电极-发射极止穿此压5.1栅极-发射极值电压
栅圾-发射极漏电流
上升时间
输出电容
输人电容
尾部时问
下降时间
业道区
增强模试工作
增强型绝缘瓣双极型晶体笋
正向跨导
贴存时阿
射存溢度
总耗散功
cast temperarure
channcl
GB/T17008-1997
英文索
collcctor cmitter hreakdown voltage with gate-emitlex shborl-circuitcdcollector-emitter cut-nff currentcollcctor-emitter saturalion voliagccollectp-enitter volage with gate-enitter short-circuitcdcoilector terminal
rontinuous collector direci curre.depletion mode operation
deplerion type iusulated-gate bipolar transistorcrain
drain injeclor region
drain rcgion
ernitter terminal
erhancement mode operation
enhancement Lype insulated-gate bipolat transistorF
tall timc
Iorwardtiascouductaner
gate charge
gale-emiuer leakage eurrent
galc-cmittcr threshold valtagegate-emittel voltage with collector cimitter short-circuitedgate regiun
gate leruinal
input capacitance
insulated-gate hipolar fransistor4.8
junction-ambient thernal resislaru:GB/T 17008--1997
jm:tinn-anhient thermal resistance under puise conclitiort:jutetion-anbient transicnt thcrimal impcdarceiunction case thermal resistancu- Hincion-casc thctatal itsistrnce under pulee ronditionsjunction-caxse transient thermal impedlancsN
N-channel insulated-gale hipolar tritixistornrm-tepetitive peak collector current0
output cipacirance
-cbannel insul-d-gate bipolar trangistorR
repelilive peak colleclot citrrentreverse transfer cepacitancerise limc
source
soirce region
stnrage temperature
torige time
subchannel region
tail time
lotal Fawer dissipition
turn-ofl deluy tine
turn-ofi tmt
Turn on driry tine
tutn-in riti:
(virtual)iunction tempcratlrc5. 10
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