本标准定义了使用线性记录方法的光记忆卡的光属性和特性。 GB/T 17550.3-1998 识别卡 光记忆卡 线性记录方法 第3部分:光属性和特性 GB/T17550.3-1998 标准下载解压密码：www.bzxz.net

GB/T 17550. 3---1998
本标准等同采用国际标准ISO/IEC11694-3：1995《识别卡线性记录方法bZxz.net
光记忆卡
分：光属性和特性》。
GB/T17550在总标题《识别卡
-第1部分：物理特性；
光记忆卡
—-第2部分：可访问光区域的尺寸和位置：第3部分·光属性和特性；
第4部分：逻辑数据结构。
本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准起草单位：电子工业部标准化所。线性记录方法》下，包括下述部分：本标准主要起草人：冯敬、冯惠、李韵琴、蔡怀忠、陈云峰。第3部
GB/T 17550. 3--1998
ISO/IEC 前言
ISO（国际标准化组织）和IEC（国际电工委员会）建立了世界范围标准化的专门系统。ISO或IEC的国家成员团体通过国际组织建立的各个技术委员会参与制定针对特定技术领域的国际标准。ISO和IEC技术委员会在共同感兴趣的领域合作。其他与ISO和IEC有联系的官方和非官方的各国际组织也参与此项工作。
在信息技术领域，ISO和IEC建立了个联合技术委员会，即ISO/IECJTC1。由联合技术委员会提出的国际标准草案需分发给各成员团体进行表决。作为国际标准发布至少需要75%的成员团体投票赞成。
国际标准ISO/IEC11694-3由联合技术委员会ISO/IECJTC1（信息技术）的分委员会SC17（识别卡及相关设备）制定。
ISO/IEC11694在总标题《识别卡光记忆卡线性记录方法》下包括下述部分：—第1部分·物理特性，
第2部分：可访问光区域的尺寸和位置；第3部分：光属性和特性；
-第4部分：逻辑数据结构。
GB/T 17550. 3--1998
本标准是描述光记忆卡的参数以及如何使用这种卡存储和数字数据交换的系列标准之。本标准认为记录和读光记忆卡信息存在着不同的方法，其特性也随所使用的记录方法而确定，通常，这些不同的记录方法彼被此是不兼容的。因此，本标准采用一种一致的方法来组织，使之适应现存的以及将来的记录方法。
本标准专用于使用线性记录方法的光记忆卡。适用于其他特定的记录方法的特性可以在独立的标准文件中找到。
本标准定义了光属性和特性以及符合、加人和/或不符合此相关的基本文件GB/T17551的范围。131
中华人民共和国国家标准
光记忆卡线性记录方法
识别卡
第3部分：光属性和特性
Identification cards Optical memory cards-Linear recording method-. Part 3:Optical properties and characteristics本标准定义了使用线性记录方法的光记忆卡的光属性和特性。2引用标准
GB/T 17550.3-1998
idt ISO/IEC 11694-3:1995
下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB/T17551--1998识别卡光记忆卡—-般特性（idtISO/IEC11693：1994）ISO/IEC11694-4：1996识别卡光记忆卡线性记录方法第4部分：逻辑数据结构3读/写测试条件
注：除另有规定外，这些测试条件适用于所有的测试。3.1光源
光源应是波长为760nm到850）nm之间的半导体激光二极管。3.2光束直径
光层表面的聚焦光束应在1/e\的点「:测得。每次测试应定义特定的光束直径。3.3读功率
光层表面的读功率应小于0.50mW。3.4缺省测试环境和条件
采用GB/T17551中定义的缺省测试环境和条件参数。4光特性
在本标准中定义的测试条件下，期望达到这些特性。如果测试条件变化了，则在这里定义的光特性也会改变。
4.1最低性能特性
本条内所包含的值均表示为了信息交换可接受的最低程度。因此，除卡的物理损坏之外，在卡的使用寿命期间，这些值衣示了光卡应满足或超过的特性。注：使用寿命的定义因应用而异，因此，将其留给卡的制造者和发行者，为他们特定的实现而做适当的定义。4.1.1背景反射率
所测得的相邻轨迹间的区域的反射率，应在12%～18%之间或27%～48%之间。在一张卡内，背景反射率不得超过平均值的10%。
国家质量技术监督1998-11-05批准132
1999-06-01实施
GB/T 17550.31998
注：这就意味着卡驱动将接受两种媒体反射率范围。4.1.2光迹导轨对比度
垂直下光迹导轨扫描时，与被测的背景信号电平相比较，所测得的预格式化光迹导轨的对比度的最小值应为0.3。
注：光迹导轨对比度是背景信号电平与光迹导轨信号电平之差除以背景信号电平。4.1.3写人数据对比度
写人数据位的对比度与被测的背景信号电平相比较，最小值应为0.3。注：写人数据对比度是背景信号电平与写人数据信号电平之差除以背景信号电平。4.1.4卡表面反射率
卡数据面的人射面上的反射率应小于或等于7%。4.2预格式化数据特性
为了保证兼容性，当扫描包含预格式化数据的可访问光区域的某部分时，低频恢复、幅度比较和信号重叠（S。)除以高频率振幅（AHF）的值都应是可检验的。为了达到预期的结果，应使用规定的光束直径以一种设置的媒体线性速度来扫捕包含特定预格式化数据模式的可访问光区域的一部分。对于实际的测试条件和值见ISO/1EC11694-4：1996的附录A或附录 B。
4.3写数据特性
为了保证兼容性，当扫描包含写人数据的可访问光区域的一一部分时，低频恢复、振幅比较和信号重选（S。）除以高频率振幅（AHP）的值都应是可检验的。为了达到预期的结果，应使用规定的光束直径以一种设置的媒体线性速度、写功率和脉冲宽度来写人和扫描高频和低频数据模式。对于实际的测试条件和值见ISO/IEC11694-4：1996附录A或附录B。4.4光路径长度
光路径长度应在1.036mm～1.431mm范围之内。对任何单个卡或不同批次的卡，其偏差应不超过±15%。
4.5光延迟
通过卡的透明层到达卡内部的光延迟偏差不在本标准中规定。5读特性
在可访问光区域内的相同区中，卡应能经受10000次连续的读操作。然后将卡的方向改变90°，检查该区的反射率，反射率相对变化不应超过士10%。6缺陷
除在本标准之外规定的其他特定缺陷准则，这些缺陷准则均适用。6.1定义
缺陷是一种在位于可访问光区域内截面上超过2.5μm的异常区。假定缺陷横截面是圆形的。注：凹陷和凸起均被认为是缺陷。6.2密度
在整个可访问光区域内原始未校正的缺陷的比率应小于5.0×10。6.3透明层
透明层应没有横截面超过100μm的缺陷。18
低频恢复
幅度比较
GB/T17550.3—1998
低频数据模式的高反射率值(HLE)除以背景反射率(Rr)。高频幅度（AHr）除以低频幅度（ALr）。高频幅度（AHE）
低频幅度（ALF）
信号重叠（S。)-
高频数据模式的高反射率值（HHr)减去商频数据模式的低反射率值（LHr）。低频数据模式的高反射率值(HLF)减去低频数据模式的低反射率值(LLF）。高频数据模式的高反射率值（HHr）减去低频数据模式的低反射率值（LLr）。图1对比度参数
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