本标准规定了在卡上存储数据、从卡上读取数据，以及在信息处理系统中光记忆卡的物理、光学和数据交换能力所必需的信息。本标准定义了光记忆卡的一般特性，包括卡的材料、结构、特性、尺寸和测试环境，这些特性已经被确定为适用于所有类型的光记忆卡且与所使用的记录方法无关。本标准的意图是为对在光记忆卡上编码的数字信息交换感兴趣的卡制造商、发卡者和卡用户提供必要的信息。本标准可作为计划开发使用光记忆卡的设备和系统的厂商和用户的指南。卡的数据内容及其使用依赖于每个工业组织开发的应用。 GB/T 17551-1998 识别卡 光记忆卡 一般特性 GB/T17551-1998 标准下载解压密码：www.bzxz.net

GB/T 17551-1998
本标准等同采用国际标准ISO/IEC11693：1994《识别卡本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准起草单位：电子工业部标准化研究所。本标准主要起草人：冯敬、冯惠、李韵琴、蔡怀忠、陈云峰。光记忆卡
般特性》。
GB/T 17551-1998
ISO/IEC 前言
ISO（国际标准化组织）和IEC(国际电工委员会）建立了世界范围标准化的专门系统。ISO或IEC的国家成员团体通过国际组织建立的各个技术委员会参与制定针对特定技术领域的国际标准。ISO）和IEC技术委员会在共同感兴趣的领域合作。其他与ISO和IEC有联系的官方和非官方的各国际组织也参与此项工作。
在信息技术领域，ISO和IEC建立了个联合技术委员会，即ISO/IECJTC1。电联合技术委员会提出的国际标准草案，需分发给各成员团体进行表决。作为国际标准的发布至少需要75%的成员团体投票赞成。
国际标准ISO/IEC11693由联合技术委员会ISO/IECJTC1信息技术”的分委员会SC17“识别卡及相关设备”制定。
GB/T17551-1998
本标准是描述光记忆卡的参数以及如何使用这些卡存储和交换数字数据的一系列标准之这些标准承认用于记录和读取光记忆卡上的信息存在各种不间方法，光记忆卡的特性对所采用的记录方式来说是明确的。一般而言，这些不同的记录方法不能相互兼容。因此，以一种致的方式制定这些标准来包容现有的和将来的记录方法。本标准是光记忆卡的通用标准，适用于某种特定记录方法的特性将出现在-一些独立的标准文件中，这些文件定义了符合、加入和/或不符合此相关的基本文件的范围。1范围
中华人民共和国国家标准
识别卡　光记忆卡　一般特性
Identification cards-Optical memory cards-General characteristics
GB/T 17551.--1998
idt ISO/IEC 11693:1994
本标准规定了在卡上存储数据、从卡上读取数据，以及在信息处理系统中光记忆卡的物理、光学和数据交换能力所必需的信息。
本标准定义了光记忆卡的一般特性，包括卡的材料、结构、特性、尺寸和测试环境，这些特性已经被确定为适用于所有类型的光记忆卡且与所使用的记录方法无关。本标准的意图是为对在光记忆卡上编码的数字信息交换感兴趣的卡制造商、发卡者和卡用户提供必要的信息。
本标准可作为计划开发使用光记忆卡的设备和系统的厂商和用户的指南。卡的数据内容及其使用依赖于每个工业组织开发的应用。2引用标准
下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB/T14916—1994识别卡物理特性（idtIS0）7810：1985）GB/T16649.1—1996识别卡带触点的集成电路卡第1部分：物理特性（idtISO）7816-1：1987)
GB/T17554-1998识别卡测试方法idtISO/IEC10373:1993）3定义
本标准采用下列定义：
3.1 可访问的光区域 accessible optical area可以由所用光系统的读和/或写光束进行访问的光记忆卡的任何部分。3.2 背景反射率 background reflectivity以特定波长通过位于相邻光迹导轨中间的透明层所测得的可访问光区域的未写、未格式化部分的反射率。
3.3背景透射率background transmissivity以特定波长穿过卡的有效写和/或读位置所测得的可访问光区域的未写、末格式化部分的透射率。3.4光束直径beamdiameter
光层表面上测得的激光束直径的1/e2。3.5双折射birefringence
使不同偏振的入射光波通过材料产生不同的折射波的-种材料属性。在双折射材料中，折射率是各国家质量技术监督局1998-11-05批准138
1999-06-01实施
GB/T 17551 ---1998
向异性的，即光透过这种材料所产生的折射率取决于传播方向和偏振平面。见光延迟。3.6卡驱动card drivc
把信息写进光记忆卡和/或从光记忆卡检索信息的写和/或读机制。3.7 胃码 drop in
存入光记忆卡和/或从光记忆卡检索过程中的·种差错，表现为读出的二进制数字不是先前写入和/或预格式化的。
3.8漏码drop out
存入光记忆卡和/或从光记忆卡检索的一种差错，表现为不能读出先前写入和/或预格式化的二进制数疗。
3.9人射面entry face
读和/或写光束首先照射的卡表面。3.10出射面exit face
读和/或写光束射出的卡表面。
3.11曝光时间exposuretimc
材料被照射或受辐射的时间量。就光记忆卡来说，它是指写每个比特时激光器接通的时问长度3.12格式化format
为在使用卡期间向卡驱动提供参考信息而在使用前写入和/或预先格式化到卡中的信息例如：光迹导轨、光迹导轨地址、扇区地址、地址的差错检测块、时钟相位同步基准，或上述全部。3.13光层optical laycr
位于透明层与保护层之间的光记忆卡的特定层，它包含可以通过光学手段写入和/或返间读出数字数据的特定的材料
3.14光记忆卡optical mcmory card含有使用外部光能可以写入和/或读出数字数据的可访问光区域的卡。3.15光路径长度optical path length1）当通过反射写入和/或读出时：光线从卡表面到光层表面以及返回的实际通路长度乘以透明层的折射率。
2）当通过透射写入和/或读出时：光束在入射面和出射面之间通过的卡的各种成分的物理通路长度与其折射率的积之和。
3.16光延遇optical retardation穿过双折射材料后，与给定传播方向相关的两个相互正交的偏振平面波之间相位上发生的变化。通常以nm为单位。
3.17光延迟，双通路optical retardation.doublepass通过光记忆卡透明层的人射和反射后测得的光延迟。3.18预格式化数据preformatteddata在卡制造过程中所写入的任何数据。3.19保护层protective layer
光记忆卡中，相对于透明层，位于光层的另一侧的一种材料，它能够为光层提供保护和增加机械强度。保护层可能是透明的。
3.20脉冲宽度pulsewidih
在写操作期间，激光器被供电的时间量。见曝光时间。3-21读功率readpower
通常以mW为单位表示的激光功率，它用来从可访问光区域读出数据。3.22最大读功率read power，maximum1.免费标准bzxz.net
GB/T 17551-1998
在保证不损坏可访问光区域的条件下，以特定的波长、光束尺寸和中等线性速率从可访问光区域读出数据的最大读功率。
3.23反射率reflectivity
在光记忆卡上的标准入射角处以特定波长穿过透明层所测得的反射光与入射光之比。通常以百分比表示。
3.24光迹导轨trackguide
预格式化的线，通常反射率低，在它们之间写入数据。3.25透射率transmissivity
在特定写入和/或读出位置以特定波长测得的透射光与入射光的强度比，通常以百分比表示。3.26透明层transparentlayer
光记忆卡中让光束透过它写入和/或读出数字数据的特定层。3.27写功率writepower
以特定波长、光束尺寸和中等线性速率向可访问光区域写入信息所需要的大约激光功率。3.28写人数据的光点大小writtendata spot size光层中因一位的写入而引起光学上变化的区域的有效直径。4结构
4.1卡结构
在GB/T14916中规定。
4.2可访问光区域的横截面
见图1。
透明层
保护层
（可以是透明的）
注：绘图未按比例。
图1在可访问光区域处光记忆卡的横截面5尺寸
5.1卡的高度和宽度
在GB/T14916中规定。
5.2卡的厚度
在GB/T14916中规定。
5.3卡的角
在GB/T14916中规定。
5.4卡的边
在GB/T14916中规定。
6物理特性
GB/T 17551..-1998
注：适用于以下特性的某些特殊测试方法正在研究之中。在这些测试方法成熟的时候，将会加入到本标准中6.1附加物
附加的带触点的集成电路（IC)芯片、分接点、凸印、磁条材料和/或签名条材料应不改变光记忆卡的特性至这样的程度：卡在正常使用过程中，可访问光区域变得不满足本标准规定的特性。6.2变形属性
在GR/T14916中规定。
6.3卡的翘曲
在GB/T14916中规定。
6.4X射线
在GB/T16649.1中规定。
6.5污染
卡不应包含使可访问光区域移动和/或改变至如下所述程度的成分，在卡的正常使用过程中，可访问光区域可能变成不满足本标准对其所规定的特性。6.6可燃性
在GB/T14916中规定。
注：在（3B/T17554中定义的测试方法不适用。特殊的测试方法正在考虑之中。6.7有毒性
在GB/T14916中规定。
6.8紫外线
在GB/T16649.1中规定。
6.9光透射值
本标准中规定了涉及各种应用所要求的光透射值。6.10弯曲属性
在GB/T16649.1中规定。
6.11耐化学性
在GB/T 14916中规定。
6.12大气要求
当卡处在下列环境中仍能根据本标准工作：1）S)H2S或NO的气体浓度低于0.1×102）盐（NaCl)的浓度低于2.7ug/m6.13耐用性
在GB/T14916中规定。
6.14在温度和湿度片面尺寸稳定性和翘曲度在GB/T14916中规定
6.15缺省试验环境和条件
GB3/T17554以及下列条件适用：大气压力：75kPa~105kPa；
冷凝结磷：不允许。
6.16附加特性
加的物理特性可以根据所使用记录方法适用于光记忆卡。详见特定记录方法的标准。7可访问光区域的大小和位置
GB/T 17551—1998
光记忆卡中的可访问光区域的大小和位置根据所用记录方法可以改变。详见特定记录方法的标准。8光属性和特性
光记忆卡的光属性和特性依据所用记录方法可以改变。详见特定记录方法标准。9逻辑数据结构
在光记忆卡上存储信息所使用的逻辑数据结构定义了在卡上组织和安排信息、如何编码数据、使用什么样的差错检测和纠错方案（如果有的话）、使用什么样的标记结构来限定这些数据，以及使用什么样的信道编码等等的方法。
为了正确地将写入光记忆卡的数据编码和将从光记忆卡读出的数据解码，了解这些结构是必要的。所使用的结构与所使用的记录方法的类型是密切相关的。一般情况下，不同的记录方法是彼此不兼容的。详见特定记录方法的标准。1.12
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