JB/T 7826.2-1996MTQ(MFQ)系列晶闸管单相桥模块

JB/T 7826.2-1996 MTQ(MFQ)系列晶闸管单相桥模块 前言 本标准是为适应晶闸管模块的生产、开发和应用，积极采用国际标准而制定的。本标准的技术要求和参数指标采用国外同类产品的一般水平。本标准检验项目的设置，根据晶闸管模块的性能要求，参照国家标准GB 4940《普通晶闸管》并作了部分增减。 本标准采用的测试方法，除按JB/T 7625-94《晶闸管模块测试方法》外，有关分立器件的测试方法按GB 4024《半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法》执行。为确保晶闸管模块的产品质量，本标准规定了每半年至少作一批温度变化检验。本标准的附录A、附录B均为标准的附录。本标准由机械工业部西安电力电子技术研究所提出并归口。 本标准起草单位：扬州四菱电子有限公司、无锡无线电元件五厂、北京椿树整流器厂、襄樊仪表元件厂、阜新晶体管厂。 本标准起草人：孙福民、曾桃英、董大勇、时俭新、查满荣、戴永祥、郭兰琼。 1 范围 本标准规定了MTQ(MFQ)系列晶闸管单相桥模块的外形尺寸、技术要求、检验规则以及包装、贮运。本标准适用于由四个普通晶闸管管芯或两个普通晶闸管管芯和两个普通整流管管芯构成的单相桥模块（以下简称模块）。 2 引用标准 下列标准包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。在标准出版时，所示版本均为有效，所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨、使用下列标准最新版本的可能性。 GB 2423.4-81 电工电子产品基本环境试验规程 GB 4024-83 半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法 GB 4937-85 半导体分立器件机械和气候试验方法 GB 4938-85 半导体分立器件接收和可靠性试验方法 JB/T 2423-91 电力半导体器件型号命名方法 JB/T 6306-92 电力半导体模块外形尺寸 JB/T 7625-94 晶闸管模块测试方法 3 型式、尺寸 3.1 电联结型式 （详见标准图表） 3.2 型号说明 MT(F)Q系列型号含义： - MT(F)：表示晶闸管或晶闸管与整流管混合模块； - Q：单相桥代号； - X：序号； - VDRM(VRRM)：电压级别； - A：平均输出电流值（单位：A）。 3.3 外形尺寸 外形尺寸应符合JB/T 6306的3.3.4规定。 4 额定值和特性值 4.1 参数级别 4.1.1 断态重复峰值电压（VDRM）和反向重复峰值电压（VRRM）的级别按表1规定（电压、电流均为单个管芯的数值，以下同）。 表1 VDRM、VRRM级别 级别 | VDRM、VRRM (V) 2 | 200, 900 3 | 300, 1000 4 | 400, 1200 5 | 500, 1400 6 | 600, 1600 4.1.2 通态电流临界上升率(di/dt)的级别按表2规定。 表2 di/dt级别 级别 | di/dt (A/μs) A | 25 B | 50 C | 100 4.1.3 断态电压临界上升率(dv/dt)的级别按表3规定。 表3 dv/dt级别 级别 | dv/dt (V/μs) (根据原文整理) | 500, 1400等级别 4.2 额定值 最大额定值（极限值）应符合表4规定，并适用于整个工作温度范围。 表4 额定参数汇总（部分提取） 参数类型 | 额定数值参考 通态（正向）平均电流 It(AV) [A] | 5, 12, 18, 25, 35, 45, 55, 65, 80, 100 通态（正向）方均根电流 It(RMS) [A] | 25, 40, 55, 70, 90, 110, 130, 160, 200 通态（正向）浪涌电流 Ip(RMS) [A] | 140, 250, 400, 600, 560, 700, 800, 1000, 1240 通态电流临界上升率 di/dt [A/μs] | A, B, C