本标准规定了作温度和辐照度修正应遵循的方法，仅适用于修正晶体硅光伏器件的实测I—V特性。本标准规定了晶体硅光伏器件的I—V实测特性的温度和辐照度修正方法，包括测定温度系数、内部串联电阻和曲线修正系数。这些方法在测试所用辐照度的±30%范围内都能适用。 GB/T 6495.4-1996 晶体硅光伏度器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法 GB/T6495.4-1996 标准下载解压密码：www.bzxz.net

GB/T 6495. 4—1996
本标准等同采用IEC891：1987《品体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修止方法》及其第1号修改单1992)。
国际电工委员会第82技术委员会：太阳光伏能源系统，于1987年至1989年问，先后发布了光伏器件”方面的四项国际标准。除标滩外,还有：TEC:904-1：1987光伏器件第1部分：光伏电流电压特性的测量TF904-2:1989光伏幕件第2分：标准太阳电池的要求1EC:904-3:1989光伏器件第3部分，地面用光伏器件的测原理及标准光谱辐照度数据这四项国际标雅的主要内穿在原海家标准GB6493--86《地用标准太附电池》和GB6495--86多地雨用尽阳电池电性能测试方法中已不同程度地包含。为了尽快适应国际贸易、技术利经济交流的需要，等同采用这四项国际标准，转化为我国标雅是完全有基础的也是适时的。本标准由中华人民共和国屯了工业部提出。本标准出全国太附光伏能源系统标准化技术委员会归口。本标准起草单位：西安交通大学。本标准主要起草人：黄点像等
GB/T6495.4—1996
IFC前
1)IEC(国际电工委员会)在技术问题上的正式决议或协议，是由对这些问题特别关切的医家委员会参加的技术委员会制定的，对所涉及的问题尽叫能地代表「国际上的一致意见。2）这些决议或协议，以推荐标准的形式供国际上使用，并在此意义上为各国家委员会所认可。3）为了促进国际上的统“，IFC希望各国家委员会在本国条作可能的情况下，采用IEC标准的文本作为其国家标准。IEC标准与相应国家标准之间的差异，应尽可能在国家标准中指明。本标准由IFC第82技术委员会：太阳光伏能源系统制定本标准文本以下列文件为依据：六个月法
82(cO)3
表决报告
82(CO)7
表决批准本标准的详细资料可在上表列出的表决报告中查阅。中华人民共和国国家标准
晶体硅光伏器件的I.V实测
特性的温度和辐照度修正方法
Procedures for temperature and irradiancecorrections to mcasured I-V churacteristicsof crystalline silic phulvoltaic devicesGB/T 6495.41996
idt IEC 891: 1987
代 1 8
本标准规定了作温度和辑照度修正应遵循的方法，仅适用于修正晶体硅光伏器件的实测I-V特1范围
本标准规定了品体硅光优器件的I-V实测特性的温度和输照度修正方法，包括定温度系数、内部申联电阻和曲线修正系数。这些方法在测试所用辐照度的二3%范围内都能适用，江
1这些方法仅适用于绿性器件.
2光代幕件包括单作太阳电池，太阳电泄组合或平板式矩停。苔种不可的数括适用干各种器件：虽燃线件（或力池合)的温度系数可通注测量单体电池计算出米，但应注意，对组件或电池组合应分别测基其内部中联电阻和也线修正系数
3 术诺\试样\米表示这类器件的任·种。2修正方法
实测的电流电压持叫应接照以下公式修正到称测试条件或与外选定的温度和辑照度值。= Is
1+ a(T,-T)
V.=V, -R(I) -KI,(T,T,)+(T,-T)式中：11,V，—.实测软性点的垒标；.VwwW.bzxz.Net
修正特性对成点的垒标：
试样的实测短路电流：
标准太阳起池的实测短路电流-在测量T时，如有必要应对标雅电池的温度作修正：1%一-标准太阳电池在标准的或其他想要的辐照度下的短电流；试样的实测温度；
标雅温度，或其他想要的温度；试样在标准的或其他想要的辐照度下，以及在关心的温度范国内的电流和电压虚系数(1为负值)：
试的内部串联电阳，
曲线修正系数。
国家技术监督局1996 0709批准
1997.01-01实施
1.上式中所有参数的单位应当统。GB/T6495.4—1996
2在1EC第27号标准电工技术中使用的文符号》中所作的一般规是均适川。若在本标准中给出不同的规定，则应以本标准为准，
3在IEC 第27号标中-建议V仅作为备用符号,本标准建议川V作为点示电压及其导出量的另一个主要符号,原因是很多匡家在光伏器件及电子学领域中国经如此硬用。4偏若在一次测书中，标准尽潮电池的温度T和标定条件下的温度之差大于2℃，则1s应按下式修正：Igh Tghue(Tht Tu)
标准太阳电池在标定条件下的短路电流：武中sau
标准太阳池的电流温度系数
5α和仪表示纠件的温度系数，的果组斗本身有--个串联二极管，则电的温度候正应排除此二极管的温衰特性。如果该二极管是不易受影响的，叫应供供它的作为温度两数的特性曲线。3温度系数的测定
电流温度系数和电压温度系数3随辐照度而改变，而H.也随温度的不同而略有变化。温度系数的测定，最好是在由1EC标准规定的模拟太阳光（该标推正在制定中)下进行，至少要测基二个具有代表性的，其面积和结构特征与相应的组件完全相同的太附电池。1组件内电池间的任何失配，将对组件1-V特性的修止准确度带来不良影响，2来用脉冲式模拟器是较好的选样，医为这种模拟器在诞量过程中所产生的附加热量很小，不足以对测址产生影府。
测量步骤如下：
3.1用一个适当的温度传感器紧贴丁被测电池，务使温度测册的准确度能达到10.5（。3-2将被测电池以良好的热接触安装在温控部件上，并利用紧贴在其上的传感器提供控制信号。3.3将被测电池和一个适当的标准太阳电池尽可能靠近放笠。其有效面都应在测试平面内，被测屯池和标准电池的法线都应和光束的中心线相互行，偏差小丁士5℃。3.4把测试平而上的辐照度调节到能使标准太阳电池（在25℃三5℃)产生短路电流标定值的水平。3.5当被测电池稳定在，或接近于所关心的温度范围的最低点吋，测量短路电流1和开路电所Vcc。注：在低于环境激度情死下,须注意防被测电池和标准太阳电的有效丧面上形赋冷避物。作为预防措施，可以在有效表而上吹过干躁的氮，或把电池密用在真空率内，3.6使被测电池的温度稳定在比前一温度约高10℃的水平，重复测最短路电流1a利开路电压mr然后每增高约10C就作-次重复测量，古到所关心的温度范围的最高点为止3-7对其余每个被测电池均采3.1～3.6条规定的步骤重复测量，3.8把1sc利Vx作为温度的函数逐点描绘下来，并贯穿每-组数据绘制条最小“乘方拟合翻线。3.9根据电流和电压温度曲线的斜率，在所关心的温度趋围的最高点、最低点以中间点处.计算单体电池的温度系数比科
3.10对于组件，或电池的其他组合，可按下式计算温度系数 — n ad
β = +
式中.p是并联的电池数.儿是串联的电池数，4内部串联电阻的测定
事联电阳，可按下连步凝在模拟太阳光下测定：！见图1）sc
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图1的测定
4.1在空温下，用两种不同的辐照度（不必知道数值）来测量试样的电流电特性曲线。在两次测壁中电池的漏差应不大于2℃：
4.2在较高的一条特性帕线.正咯高于V处选择点,测基P点的电流与f之差△I，4.3在较低的条特性曲线t焕定--点Q-使该点的电流等于Iscs—A1。4.4洲量F和Q点之间的电压差AV。4.5按下式计算Rs:：
式，r、分别为两欲测量的短路电流。A
Isci —— Isc2
4.6在相同的温度下再取第.个辐照度值，再测尺：“条曲线。将第三条曲线和前两条曲线中的每一条和配合,重复4.3～4. 5条.确定出Rs2和 Rs:Rs是R、R和R的平均值。5曲线修正系数的测定
曲线修正系数K的测定，可按下述步骤在模拟太附光下进行，5.1测量试样的电流-电压待性曲线时-辐照度要在选用值的三30%范围以内；温度要在所关心的，不小s0r的范围内取个不同的点（T，注：测至组件的特性时,应注意确促电池温度均习.并存质是值的一2心范展内。（例如+把组件密闭在具有透明闭1.1的温控箱内！。
5.2设定个K值（例如，晶体硅电池的典型值圾：1.25×10°0/C，用下式把度T，下测得的电流、电压换克到温度T：
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I I + α(T, -T,)
V: V, KI(T,— T,) — β(T- T,)温度为：时,特性曲线1点的坐标；温度为T,时特性曲线「对应点的坐标。5.3如果换算后，对应于T，的特性曲线和实测特性曲线的重合程度达到所需的准确度，可捕入不同的K值，重复执行5.2条，直到由换算所得的，对应丁T,的特性线和实测特性前线相重合为止，5.4确定了一个适\的K值后-将T、,T,的特性序贯地分别换算到与T:特性相匹配,如果换节所得的特性与实测特性不重合，应换用略微不同的K值再重复换算，直到这个K值适用于每种情况为止，5取个K值的平均值作为K的测定值。55
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