本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验硅单晶单面抛光片表面质量的方法。本标准适用于硅抛光片表面质量检验。 GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T6624-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国国家标准
硅抛光片表面质量测检验方法
Standard method for measuring the surface qualityof polished silicon slices by visual inspection1主题内容与适用范围
GB/T6624-1995
代替GB6624—86
本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验硅单晶单面抛光片（以下简称抛光片）表面质量的方法。
本标准适用于硅抛光片表面质量检验。2引用标准
GB/T14264，半导体材料术语
3、方法原理
硅抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可产生光的漫反射，且能目测观察，据此可目测检验其表面缺陷。
目测检验的光照条件分成二类：直射汇聚光和大面积漫射光。目测检验的缺陷包括单晶的原生缺陷和抛光片制备及包装过程中所引入的缺陷。4设备和器具
4.1高强度汇聚光源：钨丝灯。离光源100mm处汇聚光束斑直径20~40mm，照度不小于16000lx。4.2大面积漫射光源：可调节光强度的荧光灯或乳白灯，使检测面上的光强度为430～6501x。4.3.净化台：大小能容纳检测设备，净化级别优于100级，离净化台正面边缘230mm处背景照度为50~650 lx。
4.4真空吸笔：吸笔头可拆卸清洗，抛光片与其接触后不留下任何痕迹，不引入任何缺陷。4.5照度计：应可测到100~2200lx。5试样
按照规定的抽样方案或商定的抽样方案从清洗后的抛光片中抽取试样。6检测程序
6.1、检测条件
6.1.1在100级净化台内，用真空吸笔吸住抛光片背面，使抛光面向上，正对光源。光源、抛光片与检测人员位置如图所示。光源离抛光片距离为50~100mm。α角为45°±10°，β角为90°±10°。国家技术监督局1995-04-18批准1995-12-01实施
6.1.2检测光源分别为
GB/T 6624-1995
50 ~100mm
真空吸
现察者
用高强度汇聚光检测硅片的正面的示意图高强度汇聚光：照度≥16000x。大面积散射光：照度430~650x。6. 2检测步骤
6.2.1用真空吸笔吸住抛光片背面，使高强度汇案光束斑直射抛光片表面（如图所示）。晃动撼影片，改变入射光角度，目测检验整个撼光片正面的缺陷：沾污、雾、划道、题粒。6.2. 2将光源换成大面积散射光源,自测检验地光片正面的缺陷;边缘碎裂、枯皮、鸦爪、裂纹、槽、波纹、浅坑、小丘、刀痕、条纹。6.2.3°用真空吸笔吸住抛光片背面；使背面向上,在大面积漫射光照射下目测检验抛光片背面的缺陷：边缘碎裂、沾污、裂纹、刀痕等。6.2.46.2.1~6.2.4条中的术语应符合GB/T14264的规定7 检测结果计算免费标准bzxz.net
7.1计算和记录观察到的颗粒数。7.2估计和记录沾污或缺陷面积占硅片总面积的百分数精确到10%)。7.3记录划道根数及长度（精确到10%）。7.4计算和记录所观到边缘碎裂、瓣坑、波纹、小丘、浅坑数。7.5记录抛光片裂纹，鸦爪和条纹数7.6估计和记录桔皮、未抛光部分的面积占抛光片总面积的百分数（精确到10%）。7.7记录槽的根数和累计长度(以直径为单位,精确到10%)。7. 8估计和记录抛光片的刀痕、退刀痕长度(精确到 1 mm)。8试验报告
8.1检测报告应包括以下内容：
硅抛光片批号，
硅抛光片生产单位，
检测条件，
d检测结果，
本标准号；
检验者签章；
检测日期。
附加说明：
GB/T6624—1995
本标准由中国有色金属工业总公司提出。本标准由上海第二冶炼厂负责修订。本标准主要修订人陆梓康、杨、严世权、曹彩华。本标准等效采用美国材料与试验协会标准ASTMF523一88《硅抛光片目测检验规程》。95
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