本空白详细规范制定了制订“单结晶体管”详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。 GB/T 13066-1991 单结晶体管空白详细规范 GB/T13066-1991 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国国家标准
单结晶体管空白详细规范
Blank dctail specificatlon for unijunction transistorsGB/T 13066—91
本空自详细规范规定广制订“单结晶体臂\详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范--致。
本空白详细规范是与GB4589.1&半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB12560《半导体器件分立器件分规范》有关的·--系列空白详细规范中的一个。要求资料：
下列所要求的各研内容，应列入首页规定的相应空栏中。详细规范的识别
（1）授权发布本详细规范的国家标准机构名称(2）TECQ详细规范号
（3）总规范号和年代号
（1）详细规范号、发布日期和国家体系要求的任何更多的资料器件的识别
（5）器件类型的简略说明
（6）典型结构和应甲资料
如果设计一种器件满足若十应用，则应在详细规范中明确指出。这些应用的特性、极限值和检验要求均应予以满足，
（7）外形图相（或)引用有关的外形标准（8）质整评定类别
（9）能在器件独弓之间比较的最重要特性的参考数据[避个空白规范中，在方括号内给出的内容仅供指导制订详细规范时用，而不包括在详细规范中。个极限值和特性的“数值”栏中，“义”表示在详细规范中应给出的具体值国家技术监督局1991-07-06批准1992-03-01实施
国家技术监督局
评定器件质量的根据：
GB/T13066—91
［详细规范号及发布日期]
GB4589.1半导体器件分立器件和集成电路总规范》
GB12560半导体器件分立器件分规范》详细规范：[有关器件的型号]
订货资料：见本规范第7章
机械说明
外形标准，
GB7581半导体分立器件外形尺寸》外形图：
[可以转到本规范的第10章给出详细外形图］引出端识别：
【图形所示电极的规定包括图示符号]标志，字母和图形或色码[如果可能详细规范应规定在器件上需标记的内容」
［见GB4589.1的2.5条和<或)本规范的第6章］[极性识别，如果采用特殊方法］简略说明
单结晶体管
半导体材料.[硅.]
封装：[空腔或非空晾，金属、塑料、额定方式：[环境/管壳}(给出具体温度）用途：双稳态线路、电压偏置线路、时间线路、点火和振荡线路
3质量评定类别
【根据GB4589.1的2.6条］
参考数据
按本详细规范鉴定合格的幕件的有关资料，见合格产品一览表(8)
极限值(维对最人额定值)
GB/T13066--91
除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。[只置复使用带有标题的条文号，任何附加值应在适当的地方给出，但没有条文号。【曲线最好在本规范的第10章给出。］条文号
电特性
工作环境温度
或管壳温度
存温度
最高基极电压
最高有效(等效)结温和功率耗
散的绝对极限值
检验要求见本规范的第 8 章。
最小值
最大值
[以重复使用带标题的条文号，任何附加特性应在适当的地方给出，但没有条文号。］当在向一详细规范中规定了几种规格的器件时，有关的值应以连续方式给出，以避免相同值的重复
［特性曲线最好在本规范的第10章给出，］条文号
6标志
特性和条件
除非另有规定T./T.=25C
分压比(规定基极间电压）
基极间电阻（规定基极间电压和发射极开路）发射极与第二基极间反向电流（规定发射极与第二基极间电压）
饱和电压（规定基极间电压和发射极电流）调制电流（规定基极间电压和发射板电流）峰点电流（规定基极间电压）
裕点电流（规定基极间电压）
谷点电压（规定基极间电压）
最小值
最大值
［除广前面（7)栏和（或>GB4589.1的2.5条所给出的外，任何其他特殊资料应在本章给出。］7订货资料
［除非另有规定，订购一种具体器件至少带以下资料：一准确的型号（如果要求，给出标称电压值）：一当有关时，带版本号和（或）日期的IECQ详细规范标准；一由GB4589.1的2.6条规定的质量评定的类别，一任何其他的细节。」
8试验案件和检验要求
GB/T 13066--91
[在下表中给出试验条件检验要求，其中所用的数值和确切的试验条件应按照给定型号和要求及按GB4937&半导体分立器件机械和气候试验方法\，GB4938&半导体分立器件接收和可靠性》的有关规定
[填写详细规范时，应选定替换试验或试验方法。］【当在同一详细规范中包括儿种规格的器件时，有关的条件和（或)数值应以连续方式给出，其中尽可能避免相同的条件和（或）数值的重复。在本章中除非另有规定，引用的条文号对应于GB4589.1的条文号。［抽样要求，按照适用的类别，参照或重述GB4589.1的3.7条的数值。］［对于A组，在详细规范中应选定AQL或LTPD方案。]A组-—逐批
全部试验都是非破坏性的（3.3.6)检验或试验
A1分组
外部目检
A2a分组
（不工作器件）
A2b分组
分压比
基极间电
发射极与第二基极间
反向电流
发射极与第一基极间
的恼和电压
调制电流
峰点电流
谷点电流
谷点电压
引用标准
4. 2. 1. 1
除非另有规定,Tm/Tcm
规定基极间电压：本标准附录A3规定基极间电压和发射概电流
本标准附录A7
规定发射极和第二基极间（B2)
电压，本标准附录A8
规定基极间电压和发射极电流：本标准附录 A4
规定基极间电压和发射极电流：本标附录A4
规定基极间电压，本标准附录A5规定基极间电压：本标准附录A6规定基极间电压;本标准附录A6
检验要求极限值
极性颠倒；
GB/T 1306691
B组一
一逐批
只有标明D)的试验是破坏性的（3.3.6)检验或试验
B1分组
B3分组
结蝴强度
(适用时)弯曲(D)
B1分组
可焊性
B5分组
温度变化
继之以：
交变湿热(D)
(对非空腔器件)或密封
(对空腔器件）
最后渺试：
B8分组
电耐久性
最后测试：
分压比
基极间电阻
发射极与第.基极间凤
向电流
发射极与第一基极间饱Vrm1下载标准就来标准下载网
和电压
调制电流
B9分组
高温存
最后测试：
接8分组
CRRL分组
引用标准
LSL=规范下限 1
USL=规范上限，
根据A组
检验要求极限值
除非另有规定，T../T.c=25℃
GB 4937 中 2. 1. 2
力=[见GB 4937的2. 1. 2]
GB4937中2.2.1
【按规定·优先采用焊槽法］
GB4937中3.1
GB2423
GB4937中3.7.4
T= C.T,- C
循环次数一
严格度，55℃，周期数=[取决于封装］
[在详细规范中具体规定，取决于封装】
在详细规范中具体规定
3B4938\中2.3.2【按规定】
按A2b分组
按A26分组
按A2b分组
按A2b分组
按A26分组
GR 4937 中 3. 2
T=150℃
时间=168 h
按B8分组
见本标准第1章
无损坏
润湿良好
就B3.B4、B5.B8和B9分组提供计数检查结果注：1）CB4038半导体分立器件接收和可靠性》。USL
标明(D)的试验是破坏性的(3.6.6)检验或试验
c1分组
C2a分组
电特性（设计参数）
C3分组
C4分组
耐焊接热(D)
最后测试：
分压比
基摄间电阻
发射极与第二基极间反
向电流
调制电流
C6分组
机械冲击或
变频据动
继之以：
恒定如速度
最后测试：
发射极与第二基极间凤Ia20
向电流
分压比
C8分组
电耐久性
GB/T 13066—91
C 组——周期
引用标准
LSL一规范下限 1
根据A组
USL=规范上限
检验要求极限值
除非另有规定，Tb/T—25℃
在详细规范中具体规定
GB 4937中2. 1. 1［按规定]
［按规定］
按A2b分组
按 A26b 分组
按A26 分组
按 A 2b 分组
GB 4937 中 2. 4
GB 4937 中 2. 3
GB 4937 中 2. 5
【按规定］
按A2h分组
按A2分组
GB4938或附录B1000h;P.
见本规范第 1章
无损伤
检验或试验
同B8 分组
c9分组
高温贮存
最后测试：
发射极与第二基极间反
向电流
基极间电阻
分玉比
发射极与第一基极间饱
和电压
调制电流
cl1分组
标志的耐久性
CRRL分组
检验或试验
电耐久性试验
【仅对环境额定的器件］
最后测试：
CRRL 分组
GB/T 13066—91
引用标准
除非另有规定,Tmb/T=25℃
GB4937
时间：1000h
Tmb=150℃
按A2b分组
按A2b分组
按 A2b分组
按 A2b分组
按 A2b 分组
GB4937中4.2按规定
检验要求极限值
标志应保持清晰
C2、C3,C4,C6 和 C9 分组提供计数检查结果,提供 C8 分组试验前后的计量检查结果
9附加资料(.不作检验用)
引用标准
GB1938
鉴定批准试验
IVD一各个器件的初始值
除非另有规定,Tb/T，
=25℃
工作寿命，笔少3000h
按 B8 分组
检验要求极限值
记录 D组试验前后 I、R、的测试结果[只要规范租器件使用需要，就应给出附加资料，例如：-与极限值有关的温度降额曲线；一测量电路或补充方法的完整说明，一详细外形图。1
特性曲线
A2图形符号
A3分压比测试电路
GB/T 13066-91
附录A
特性曲线和测试电路
（补充件）
单结晶体管静态发射极特性曲线B2
图A2单结晶体管图形符号
——分压比。由下式定义：”
Vp- Ve
分压比测试电路(直流测试>图
图A3a
GB/T 13066-
图A3b分压比测试电路(交流测试)图A4发射极饱和压降和基极间调制电流测试电路VeBl
发射极饱和压降，在规定的发射极电流和基极电压条件下，在发射极和第一基极（B1）之间测得的直流电压。
基极间调制电流，在规定的发射极电流和基极间电压下测得的第二基极（B2)电流。图A4
发射极炮和压降和基极间调制电流测试电路图发射极峰点电流，在规定的基极电压条件下，使为最大值时的发射极电流。A5发射极峰点电流测试电路
图A5发射极峰点电流测试电路图A6发射极谷点电流测试电路
一发射极谷点电流，在规定的外加基极电压和第二基极电阻(B2)条件下，1s大于I，时，使VFs为最小值的发射极电流。
A7基极间电阻测试电路
GB/T 13066—91
图A6发射极谷点电流测试电路图R邮—基极间电阻,在规定基极间电压(Vax)和发射极开路的条件下,第一基极(B1)和第二基极(B2)之间的电阻。
由下式定义,Re 一
图A7基极间电阻测试电路图
AB发射极反向电流测试电路
I2n——B1 开路时,在规定的 V2条件下，发射极反向电流。A9B1 峰值脉冲电压测试电路
B1单结晶体管老化线路
GB/T 13066-91
图A8发射极反向电流测试电路图图A9B1峰值脉冲电压测试电路图附最B
单结显体管老化线路
（补充件）
示滤器
加说明：
GB/T 13066—91
单结晶体管老化线路图
本标准由中华人民共和国机械电子工业部提出。本标准由机械电子工业部电子标准化研究所负资起草。本标准主要起草人于志贤。
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