本规范规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架的技术要求及检验规则。本规范适用于双列(DIP)冲制型引线框架，单列冲制型引线框架亦可参照使用。 GB/T 14112-1993 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 GB/T14112-1993 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国国家标准
半导体集成电路
塑料双列封装冲制型引线框架规范Semiconductor integrated circuitsSpecificatlon for stamped leadframes of plastle DIP主题内容与适用范围
GB/T 14112—93
本规范规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架（以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。
本规范适用于双列(DIP)冲制型引线框架，单列冲制型引线框架亦可参照使用。2引用探准
GI34719半导体集成电路新产品定型鉴定的程序规则GB7092半导体集成电路外形尺寸GB/T14113半导体集成电路封装术语IEC410计数检查抽样方案和程序3技术要求
3.1引线框架尺寸
引线框架的尺寸应符合GB7092的有关规定，并符合引线框架设计图纸的要求。3.2引线框架形状和位置公差
3.2.1侧弯小于0.05mn/150mm（见本规范附录A1)。3.2.2卷曲小于0.5mm/150mm（见本规范附录A2）。3.2.3横弯小」标称条宽的0.5%（见本规范附录A3)。3.2.4框架扭曲小于0.5mm（见本规范附录A4)。3.2.5可线扭曲不超过3°30，即在距离内引线端点0.25mm处测得扭曲值不大十0.02mm（见本规范附录 A5)。
3.2.6在保证精压宽度不小于引线宽度80%的条件下，精压深度不大于材料厚度的30%（见本规范附录AG）
3.2.7材料厚度为0.25mm：，相邻两精压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的间隔大 0.15mm(见本规范附录 A7)。
3.2.8材料厚度为0.25mm时,精压区共面性(见本规范附录A8)应符合表1的规定。表1
引线框架条宽
国家技术监督局 1993-01-21批准精压区共面性
1993-08-01实施
引线框渠条宽
25. 4 ~~50. 8
GB/T 14112—93
精压区共面性
3. 2.9受压芯片粘接区的斜度小于 0. 02mm/mm,不受正芯片粘接区的斜度小于 0. 01mrm/mt1(见本规范附录A9）
3.2.10芯片粘接区下陷以下陷的标称值计算，最大公差为士0.05mm（见本规范附录A10）。3.3引线框架外观
3.3.1功能区
3.3.1.1划痕最大尺寸×h×h：0.050mm×0.025mm×0.010mm，数量不超过1个。3.3.1.2垂直毛刺最大为0.025mm，水平毛刺最人为0.050mm（见本规范附录A11）。3.3.1.3凹坑深度不应超过0.008mm，最大表面尺寸为0.013mm3.3.2其地区域
3.3.2.1划痕最大尺寸1×h×h:0.150mm×0.075mm×0.030mm，数量不超过3个。3.3.2.2垂直毛刺最大为0.025mm，水%毛刺最大为0.050mm（见本规范附录A11）。3.3.2.3凹坑深度不应超过0.05mm，最大表而尺寸为0.13mm3.3.3无镀层部分应无锈蚀、发花等缺陷。3.4引线框架镀层
3.4.1镀层厚度
3.4.1.1局部镀金引线框架，其镀金层厚度不小于0.7μm（平购值)，任意点不小于0.6μm3.4.1.2局部镀银引线框架，其镀银层厚度不小于3.5μm（均值）,作意点不小于2.5μm。3. 4. 1. 3全部镀银引线框架,其镀银层厚度在功能区部分不小于 3. 5μm(平均值),任意点不小于2.5um，其他区域不小十1um。
3.4.2镀层外观
3.4.2.1镀层表面应致密，色泽均勾并呈金属木色。不允许有划伤、斑点、异物、起皮、起泡、沾污、水迹、锈蚀等缺陷，
3.4.2.2全部镀银的轨条部分允许有不明显的发花，3.4.3镀层耐热性
镀层经高游试验后应无明成变色。不允许有起皮，起泡，剥落，发花，斑点。其试验方法见本规范附录 B1。
3.4.4健合强度
引线框架精压区应易于键合,键合强度大于 40mN。其试验方法见本规范附录B23.5引线框架外引线强度
引线框架的外引线经弯曲试验后不应出现断裂。其试验方法见本规范附录B3。4检验规则
4.1检验批的构成
-个检验批可由一个生产批构成，或由符合下述条件的几个尘产批构成。这些生产批是采用基本相向的材料、工序.设备等制造出来的：b，每个生产批的检验结果表明，材料和工序的质量均能保证所生产的引线框架达到预先规定的质量要求；
、若下个生产批构成一个检验批的时间通带不超过一周。除非另有规定,但也不得超过-一个月。4.2鉴定批准程序
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4. 2.1新产品定型鉴定时应参照 GB 41719的各项规定。4.2.2定型鉴定后的引线框架必须按本规范4.3条的规定进行质量一致性检验。4.2.3监定重新核实
对于已鉴定的引线框架，当发生以下任情况时，应进行鉴定的重新核实。a.
修改了引线框架设计图纸；
产制造技术改变(包括生产场地的改变)：停止生产半年以上（如果该生产线生产另一种已鉴定的引线框架，且主要工艺未作改变，则可以认为生产是连续的)。
鉴定重新核实时，必须进行A组、B组和C组检验。在检验没有结果之前，这些引线框架不得交付使用。
4.3质垫一致性检验
质基 -致性检验由 A 组,B 组和 C组检验组成。4.3.1A组检验
A组检验应逐批进行，其检验中的分组见表 2。表 2A组检验
检验或试验
引线框架外观
引线握架外观
镀层外观
4.3.2R组检验
试验方法
毛刺检验按本规范附录A11,其他用满足测量精度的量具或工具进行测肿
B组检验应逐批进行,其检验中的分组见表 3。表 3B组检验
检验或试验
引线框尺寸
引线框架形状和位查公差
引线框架形状和位暨公差
镀层厚度
镀层耐热性
4.3.3C组检验
试验方法
用满足测量精度的量具或工具进行猴画
按本规范附录 A 中 A1~A
按本规范附录 A 中 A5~A10
用x荧光测厚仪或其他镀层测厚仪测试
按本规范谢录 B 中 B1
检验要求
按本规范第 3. 3. 1 条
按本规范第3.3.2~3. 3.3条
按本规范第 3.4. 2 茶
检验要求
按本规范第 3.1 条
按本规范第 3, 2. 1 ~ 3. 2. 4 条按本规范第 3. 2. 5 ~ 3. 2. 10 条按本规范第 3. 4.1 条
按本规范第3,4,3条
C组检验为周期检验，应每三个月进行一次，其捡验中的分组见表4。表 4 C组检验
检验或试验
键合强度
外引线度
4.3.4检验要求
试验方法
按本规范附录 R 中 B2
按本规范附录 B 中 B33
检验要求
按本规范第3.4. 4条
按木规范第3.5条
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A组检验采用AQI抽样方案。B组和C组检验采用LTID抽样方案。抽样以条为计数单位，A 组检验的抽样要求见表 5。
表 5 A组检验的抽样要求
B组和C组检验的抽摧要求见表6。IL
表6B组和检验的抽样要求
B2a,B2b
采用AQL抽样方案时，应根据IEC110确定抽样片案；采用LTPD抽样方案时，应根据本规范附录C确定抽样方案。
AQL(和检查水平)及LTPD 值是对整个分组而言,而不是对其中某一单项试验而j言。逐批检验的样品应从该检验批中抽取。周期检验的样品应从通过了A组和B组检验的一个或几个检验批中抽取。
4.3.4.1批拒收判据
不符合 A组或 B组检验要求的批为不合格批。如果引线框架在质量一致性检验中不能符合某一分组中的一项试验要求，将使该批引线框架被拒收，质基致性检验即可停止。如果一检验批在质量一致性检验中不符合A组或B组要求，而且未被重新提交，则该批即判为拒收批。4.3.4.2重新提交的批
如果技术上可能，对于初次提交的不符合A组或B组检验要求的批，可经返.工后重新提交。重新提交的批应只包括原批中的那些引线框架。每个检验组（A组和B组）只能重新提交次。重新提交的批应与其他批分开，并清楚标明为重新提交的批。重新提交的批对初次提交的全部不合格试验分组，应架用加严检验，随机地重新抽样。B组检验不合格而軍新提交时，应包括A组检验。4.3.4.3试验设备故障或操作人员失误时的程序如果确认引线架失效是出于试验设备故障或操作人员失误引起的,应将失效记入试验记录。质量管理部门应决定是否可从同一检验批中抽取别的引线框架代替样品中被损坏的引线框架，替代的引线架应进行规定的全部试验。
4.3.4.4周期检验不合格的程序
如果周期检验不合格，且不是由于设备故障或操作人员失误所引起，则质量管理部门和生产技术部门应执行下述规定：
立即停止引线框架的放行，
调查不合格的原因，并根据调查结果对以后的生产批实施解决质量问题的措施；b.
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c.从以后各检验批中逐批抽取样品进行周期检验中不合格分组的全部试验。试验合格的批可以放行。只有连续三个检验批通过这些分组的检验后，才能恢复正常的周期检验。4.3.5放行批证明记录
制遗单位应编写放行批证明记录。质量管理部门应对记录的准确性负责。放行批证明记录的内容应包括：制造单位名称、商标和地址；
引线框架的型号和规格；
放行批证明记录周期的起止月期；所做的试验项且及试验结果,
当引线架的使用单位要求时，制造单位可提供有关放行批证明记录的副本。放行批证明记录十所含资料为制造单位所有，未经制造单位同意，任何人不得泄露。5订货资料
若无其他规定，订购引线框架至少需要以下资料：型号、规格；
b，设计图纸的编号：
c数量。
6标志、包装、运输、贮存
6.1标志、包装
6.1.1包装中应有检验合格证.标明制造单位名称、产品型号和规格、数录、批号及检验批代码。6.1.2内包装应采用化学中性的防潮纸包裹，芹保证产品不受损坏和沾污。6.1.3外包装应保证产品在此存、运输过程中不受损伤，不变形。其上注明“闭潮”、“防震\字样。6. 2 运输、存
6.2.1产品在运输过程中应防止雨淋，受潮6.2.2产品应存在环境温度为10～35C相对湿度小于60%，周用无腐蚀性体的库房内。6.2.3自生产日期起算，镀金引线框架保存期为六个月，镀银引线概架保存期为三个月。A1 侧弯
A1.1日的　
测量引线框架侧面的直线度。
A1.2概述
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附录A
引线框架机械测量
(补充件）
用满足测量精度的盘具或工具进行测量，其测量部位见图A1最大值部位条长
谢离值
A2卷曲
A2.1日的
测量引线框架长度方问的平面度。A2.2概述
用满足测量精度的量具或工具进行测量，其测域部位见图A2。基信图
崧画值
基准险
A3横弯
A3.1日的
情正面
精压面
测量线框架宽度方向的平面度。A3.2概述
带曲值
基准园
卷曲值
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用满足测量精度的量具或工具进衍行测量.其测量部位见图A3。录克
姜推面
A4框架扭曲
A4.1日的
测量引线框架的翘曲度。
A4.2概述
情弯值
用满足测量精度的量具或工具进行测量，被测端的一边扭面时，测量部位见图A41：被测端的两边扭曲时，测量部位见图A4b。
图A4a
A5引线扭曲
报菌值
测量别线框架内引线的扭曲量。A5.2概述
因春曲儿起的框架扭曲值=A—B
图A4b
将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与X，Y移动轴平行；把引线架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定乙面；h.
把显微镜聚焦在内引线精压表面的边缘上，在距内引线端点0.25TnI1处对内引线进行测量。应确保在精压平面1：聚焦，而不是在轧制边上。记下焦点高度为A；GB/T14112—93
转动测微计的轴，使平面移至规定的距离，并重新调节显微镜焦距，确保两个焦点均在精压平d.
而工，而不在轧制边上·测出焦点商度，其与焦点高度A之差即为引线扭曲值。图A5
A6精压深度
A6.1百的
测量引线框架键合区的精压量。A6-2概述
用满足测量精度的量具或工具进行测量，其测量部位见图A6a和图A6b。精压充度
精压宽度
金属间的间隔
A7.1 H的
图A6b
测量引线框架精压区端点间，精压区端点与芯片粘接区间的间隔距离。A7.2概述
a。用投影仪的零中心线对准如图A7“1\处的端点边，记录在零线的数据。再用投影仪的零中心线对准如图A7\2\处的端点边，测微计读数之差即为相邻两精压区端点间的间隔：用同样方法测图A7\3”处的端点边与芯片粘接区“4\处间的间隔。h.
A8精压区共面性
A8.1目的
GB/T14112--93
测甚引线框架精压区是否处丁同一平面。A8.2概述
将夹具在仪器分辩率范围内与镜片垂直，并与X、Y移动轴平行！电
b．把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在火具的底座轨条上唇确定Z平面；把显微镜聚焦在如图A8 引绒连筋1处的巾点，焦点高度为零。再将焦点移至另-引线连筋2
处的相应点上，并重新聚焦。两个焦点高度的平均值为基准高度；d、将焦点移至精压区3处，并在距端点0.254mm处重新聚焦，记录相对于基准高度的高度差，减去已知的精压探度，即得出实际的精压这共面性数值；用同样方法依次对每个精压区进行测量，准确记录每个读数的正（十)或负(一)值。3
基准面
引连筋一
A9芯片粘接区斜度
A9.1日的
测量引线框架芯片粘接区的倾斜程度。A9.2概述
将火具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与X、Y移动轴平行，把引线框架按引线平面朝上放置，作固定在夹具的底座轨条上后确定么平面；b.
测试点应在距芯片粘接区切割边缘0.127tmm处。把显微镜焦在如图A9的日标1处，其焦点高度为零，
转动测微计的轴使其移至日标2处，重新调节显微镜焦距，测出焦点高度即为芯片粘接区的斜d
用同样方法分别测量月标 3 和4,得出心片粘接区的最人斜度。A10芯片粘接区下陷
410.1 目的
GR/T14112
测量引线框架芯片粘接区受压下陷的程度。A10.2概述
芯片帖接区
将夹具在仪器分辨率范用内与镜片乘直，并与X,Y移动轴平行；把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底坐轨条上后确定Z平面；b.
把显微镜聚焦在如图A10的日标1处，焦点高度为零。再将焦点移至日标2处，并重新聚焦。两个焦点的高度差即为芯片粘接区下陷值：d.
用同样疗法测量月标3和4处的芯比粘接区下陷值。芯片帖接区连临，
芯片粘接这
引圾连陷
A11毛刺
A11.1 日的
定位范用
图A10
测基引线架边缘垂直和水平方向多余的母体材料的高度和长度。411.2概述
A11.2.1垂直毛刺
GB/T 14112—93
把显微镜聚焦在如图A11的A点，焦点商度为零；b．将显微镜移至毛刺尖部B点，乐重新聚焦，焦点的高度差即为重直毛刺值。A11.2.2水平毛刺
调节显微镜的零中心线，使其对准如图A11的C点，记录读数；a.
水平移动显微镜的载物台，对准毛刺尖1点，该横向移动量即为水毛刺值。b.
C水平君虹
图A11
附录B
引线框架高温和机械试验
(补充件）
B1镀层高退试验
B1.1目的
评定引线框架镀层经受高温应力的能力。B1.2概述
将镀层表面质合格的受试引线框架放入450±10℃的试验箱内保持2min；取出引线架，在正常大气条件下恢复到室温后进行目测检验。b.
B2键合强度试验
B2.1日的
确定引线柜架镀层能否符合规范规定的键合强度的要求。B2.2概述
从每条受试引线捆架中任选2个单元框架，每个单元框架任取2个精压区：a.
用金丝球焊机将$25um金丝与精压区谜压后，在与框架平行方向用测力计测试。b.
B3外引线强度试验
B3. 1月的
确定引线框架外引线经受弯曲力的能力。B3.2概述
用测试台上的来钳夹紧受试引线框架的引线连筋（见图B1a）：a
将重量为230g的夹夹在离引线根部一半处。灾具至少夹任L/2引线长（见图B1b），h
c。调节测试台每2～5s循环一次，每次循环规定米回90°弯曲，共循环3次后取下引线框架进行日测检验。
试验州
C1摄述
图B31a
引线框架
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附录C
批允许不合格品率（LTPD）抽样方案（补充件）
本附录中规定的程序适用于所有的质量一致性检验要求。C7.1样品的抽取
住引级的谛位
应从检验批或子批中随机抽取样品。在连续牛产的情况下，只要符合检验批的构成要求，制造单位可在生产期间按确定的周期方式抽取样品。C1.2不合格
一个样品在一个分组的项或几项试验中不合格，则应判为一个不合格品。C2抽样方法
量致性检验数据(样品量和发现的不合格品数）应从单个检验批中累计，从而证明该批器件是否符合各分组的要求。免费标准bzxz.net
C2.1样品虽
每个分组的样品域根据规定的LTPD值由本附录的表C1中查得。制造单位可以选取多-规定的样品基，但允许不合格品数不得超过表C1中与所规定的样品量相应的合格判定数C2.2合格判定程序
第一次抽样时，选定个合格判定数，根据规定的1.TPI)值确定相应的样品基并进行试验。如果样品中出现的不合格数不超过预先选定的合格判楚数，则判为该检验合格。如果出现的不合格数超过预选的合格判定数.可确定一个追加样品量，使总的样品符合本附录（2.1的规定，表C1适用于给定检验批给定分组的第一次抽样，也适用于包括追加样品量在内的总样品基的确定。C3追加样品
制造单位可在原右样品的基础上追加一定的样品量·但每一检验分组只能追加-次，凡迫加的样品应经受该分组所包括的全部试验。总的样品量（最初的加上追加的样品量）应根据表心1中选定的新的合格判定数确定。
C4多重判据
如果一组样品有一个以上的合格判拼，则这-组样品中的全部样品应受约于这-分组的全部判据。
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