GB/T 14119-1993
基本信息
标准号： GB/T 14119-1993
中文名称：半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器 空白详细规范(可供认证用)
标准类别：国家标准(GB)
标准状态：现行
发布日期：1993-01-21
实施日期：1993-08-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：431666
标准分类号
标准ICS号：电子学>>31.200集成电路、微电子学
中标分类号：电子元器件与信息技术>>微电路>>L56半导体集成电路
关联标准
采标情况：IEC TC 47A(CO),REF
出版信息
出版社：中国标准出版社
书号：155066.1-10052
页数：平装16开， 页数：14， 字数：24千字
标准价格：12.0 元
出版日期：2004-08-22
相关单位信息
首发日期：1993-01-21
复审日期：2004-10-14
起草单位：集成电路标委会
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
发布部门：国家技术监督局
主管部门：信息产业部（电子）
标准简介
本规范规定了编制半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器详细规范的基本原则。本规范是半导体集成电路一系列空白详细规范中的一个，它应与GB 4589.1《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB 12750《半导体集成电路分规范》一起使用。 GB/T 14119-1993 半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器 空白详细规范(可供认证用) GB/T14119-1993 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
中华人民共和国国家标准
半导体集成电路双极熔丝式可
编程只读存储器
空白详细规范
Blank detail specification for semiconducter integrated circuitfusible-llnk programmable bipolar read-only memories（可供认证用）
GB/T 14119—93
本规范规定了编制半导体集成电路双极熔丝式可缩程只读存储器（以下简称器件）详细规范的基本原则
本规范是半导体集成电路一系列空白详细规范中的一个，它应与GB4589.1≤半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB12750《半导体集成电路分规范（不包括混合电路）-起使用。要求的资料
空白详细规范首页[1]～[9]各栏应填写与下列各项相对应的内容。详细规范的识别
[1]发布详细规范的国家标准化机构名称。[2]
详细规范的IECQ编号。
[3]总规范和分规范编号及版本号。［4]详细规范的国家编号，发布日期及国家标准体系需要的资料。器件的识别
[5]主要的功能和型号。
[6］典型结构<材料、主要王艺)和封装。如果器件有多种派生产品，应当给出相互之间的差别。例如，以对照表的形式列出各自性能的特点。详细规范应给出包括下述内容的简要说明：·工艺(TTL.ECL 等);
·结构(字×位)
三态)+
■出电路的类型（例如
·主要功能。
[7]外形图、引出端识别、标志和(或)外形有关的参考文件。[8］质量评定类别（按GB4589.1第2.6条)。[9] 参考数据。
【本规范中，方括号所列内容仅供指导编写详细规范使用，不必在详细规范中列出。］［本规范中，电特性或额定值表格中的“×\表示在详细规范中必须填写的值；“一”表示无内容可写。
国家技术监督局1993-03-18批准1993-08-01实施
评定器件质量的依据：
GB4589.1半导体器件
总规范》
GB/T14119—93
分立器件和集成电路
GB12750半导体集成电路分规范（不包括混合电路)》
【器件型号、名称详细规范
订货资料:见本规范 1. 2 条
机械说明
外形依据:GB7092&半导体集成电路外形尺寸外形图：
[可在本规范第 8 章给出详细资料]引出端排列：
[画出引出端排列图，包括引出功能符号］标志：字符、图形］
【详细规范应规定器件上标志的内容］［按GB 4589. 1第2. 5条和(或)本规范第1. 1条]简要说明
应用：
功能：熔丝式可编程双极只读存储器典型结构[硅、单片，双极」
封装：[空封或非空封］
注意：静电敏惠器件
质量评定类别
［按GB 4589.1第2.6条］
梦考数据
[能区别不同型号的最重要性能数据］按本规范鉴定合格的器件，其制造单位的有关资料可在合格产品目录中查到1标志和订货资料
1.1标志
见 GB 4589. 1 第 2. 5 条。
详细规范应给出有关型号的标志，如字符和或)代码。当标志不同于GB4589.1的第2.5条规定时，如制造厂内部使用的标志，应当加以说明。如果所有的标志都已出现在首页的[7]栏里，则应指明这点。1.2订货资料
若无其他规定，订购器件至少带要下述资料：准确的型号（以及需要时的标称电压值），
详细规范的国家编号及有关详细规范的IECQ编号，版本号和（或）发布日期；[2]
GB12750第9章中规定的质量评定类别，以及需要时的GB12750第8章中规定的筛选顺序。交货用的包装！
e.其他特殊资料。
2应用说明
GB/T 14119—93
[在详细规范中应简要说明该器件在设备或线路中的应用以及与关联器件的关系下述特性也应在详细规范给出。
标称电源电压：
标称功耗流：
维持功耗电流；
熔断工艺；
工作模式：
电兼容性（如果适用）：
[应说明该器件与其他集成电路或集成电路系列是否兼容，或者是否需要特殊的接口。]g
总体框图：
编程条件[在详细规范的附录里说明］。3功能规范
3.1功能框图
[框图应足够详细，以使存储器内的单个功能单儿能够通过它们主要的输入、输出通道及其外部连结标患(片允许,地止译码.)而加以识别。如果适用,应采用GB 4728.12电气图用图形符号二进制逻辑单元的符导表示法。]3.2引出端的功能和识别
所有的引出端都应在框图上标明（电源端、输入端、输出端、输入/输出端）。引出端功能应按下表格式给出。」
引出耀
3.3功能说明
引出端
「本条应给出下述特性：]
存储容量：存储电路中能够存储的信您总位数」存储结构存储电路中能够存储的每个毕的位数：取址方式：例如：多路选择、锁存等；片选”，
輪出允许\，
维持方式：
引出端功能
输入/输出识别
真值表[该表应给出输出状态与地址输入和选择输入之间不同组态的关系]。注，1）片选和输出允许应加以区别。3.3.2编程（内容的写入）
该产品应为电编程。编程操作包括：a.
熔化金属丝:或者
输出串路形式
熔断绪：
GB/T 14119—93
缩程操作可使初始逻辑状态变为编程遵辑状态（此步骤是不可逆的）。一状态改变，该单元的输就被永久生地编程.
必须规定整个存储器的初始避辑状态。可对未被编程单元的存储内容作进步修改，存储器的常规功能操作不改变存储内容。编释方法和杀件在详细规范里规定。
每种器件的编程参数在详细规范的附录单说明，编径参数可用结构图或编程序列表示。编程所需的各种信弓图和逻辑电平也应子以说明。3.3.3功能互换性
同一个详细规范里的全部产品在编程后是可立换的。不同的产品可以有不同的编程方法：但每种编程方法都应在详细规范的附录里加以说明。极限值（绝对最大额定值）
若无其他规定，这些值适用于企工作温度范围。【若无其他规定，应给出的极限值如下表所列。另外，还包括：a.
某个集成电路的注意事项。例如：编释与读操作极限值之间的区别；应规定极限值的相互关系；
应说明极限值所适用的全部条件；如果允许瞬时过载，应规定过载的大小和持续时间：应说明最小值与最火值在编程期间是否有所不间。]所有的电压都以设计的基准端为参考点,数
电源电压
输入电压
输出电压
蔽止态电压1
输出电流
输入电流
1.作温度
此行泓度
[注：1）适州时，
Tn和(或)Te
2）应规定时间、频率、温度、装配方法等添件。3）该表给出的值与编程条件无关。」最小
最大”
推荐工作条件
电源电压
输入低电平电压
输入商电平电压
工作温度
GB/T 14119-- 93
注，1）适用时,在持条件下也应采用这些值6电特性
若无其他规定，这些特性适用于全工作温度范围，最小
[如果所规定的电特性在整个工作温度范围内是不同的,则应在25℃,最高工作温度和最低工作温度下规定输入，输出电压以及相应的电流值。每一种不同类型功能的翰入和（或）输出端都应给出电流和电压值
对持殊的电特性和时序要求应加以规定6.1静态特性
所有的电止都以段计的基难端为参考点特性
电源电流
输入位电压
输出高电平电压5
输出低电半电压
输入高电平电流
输入高电平电液
（适用时）
输入低电平电流
输入低电平电流
输出高电平电流5
输出低电平电流5！
输山高电平电流\
输出低电子电流3
兰态输出时输出
高电平泽屯流
（适用时）
Ve最大
Va:最小,fik[按规庭」
V最小,TOHA
Vx最小，lA
Vec最人Vim
Ver最人Vua
Vec最大，Vu.A
Vce最大,ViL
Vex最小，Vunn
VL最大,VoLa
Vee最大Vona
Vu最大，VoLa
Vo最大.VoB
iur c2)
最小值
最大值
三态出时出
低电漏电流
（瑄用时）
输出短略电流”
[：1适用时’
Vx:最大,Vin.a
Vo最大,Vu0
CB/T 14119—93
最小值
最大值
2）IoHx和fox仅适用十有集电极开路输山的电路。这种情况下且可替代Ium和1en.F3）应规定持续时间，
4）这些条件应加以规定，以保证在最坏情况下进行有关电特性的测；5）测量这些特性，可要求器件编程。在适用时，还应当规定下述内容：在某些端既可作输入也可用作输出时，则应给出这两种条件下的电持性。6.2动态特性
电特性
地址存取时间
片允许存取时间
片禁止
注：1）必须规定测试条件和负载电路。6.3时序图
tar(s)
最小值
戒大值
「应当给出能表示该电路每一种操作方式的全套信号时序图。为保证存储器正确操作而需要让用户知道的任何时间间隔都应予以规定，例如维持条件和脱离维持条件的操作周期。并目，时序图上应给出第 6.2条中的全部参数。
6.4电容
輪入电容
输止电容(如适用）
7编程
[本章应给出下述内容；]
符國号國
7.1所来用的编程方法（系统编程urganigram等）。7.2说明编程顺序的时序图。
7.3编程步骤。
7.4输出负载（适用时)
7.5满足最低编程率时的编程特性表。[适用时，应给出下表中的内容。最小值
最大值
编程电源电压
控查电源电压
检查刚值电压
缩程电源电流
输入高电平电压
输入低电平电压
输入高电平电流
·输入低电平电流
强制输出电压
强制输出电流
CE 输入商电平电压
CE人低电平电压
输出脉冲土上升时间
E编程脉冲宽度
脉冲序列延退
CE检壳脉冲宽度
地址编程检查周期
存储编程检查周期
实现最低编率，每根熔丝的试验饮数
最低编程率
GB/T 14119—93
[适用时，还应选择下表中的参数加以规定。特
输入上升时间
输入下降时间
编程脉冲或编程允许信号前的地址建立时间允许信导前的编程脉冲或编程允许号的建立时间编崔脉冲或编程允许信号前的允许信号的建立时间编程脉冲或编程允许借号结束后的地址保持时间允许信号结束后编程脉冲或编程允许信号的保持时间编程脉冲或编程允许信号结束后的允许信号保持时间每个单元的总编程时间
ferPvy
最小值
最大值
最小殖
最大值
B机械和气解试验方法
见GB12750第12.2条。
9加资料
GB/T 14119—93
[可任选下述附加资料作为起码的设计数据,这些数据是不检验的。a热阻
[可用该数据来确定最高丁作温度，这个温度是根据推荐的最坏使用条件，在规定的耗散条件下，器件表面基准点上所允许产主的最高温度。h噪声容限(输入，电源电压等)；c.电源电压：
[适用时，应提供电源电流(或电源电压)在规定的控制信号频率(包括适用时的脉冲电源）范围内的典型变化曲线。
d、负载规定，
[应提供输出负裁能力的资料，]e.需要时的输入或输出电路的电原理图。10筛选（适用时）
见 GB 12750 第8章。
【老化条件应作如下规定：]
环境温度：[若无其他规定应为最高.工作温度]：bh．电源电压［若无其他规定应为标称电压]颠率：
线路图和条件。
质量评定程序
下述两个程序均可采用。
11.1鉴定批准程序
见GB4589.1第3章和GB12750第5.1条，11.2能力批准程序
在考虑中。
12结构相似性程序
见GB 12750第6章。
[当详细规范采用结构相似性规则时,应指明所采用的结构相似性规则和每种试验所采用的有关结构相似件。
13试验条件和检验要求
13.1抽样要求和检验批构成
13.1.1抽样要求
见 GB 4589. 1 第 3. 7 条和 GR 12750 第 9 章。13. 1. 2A 组检验
采用 AQL 抽样方案。
13.1. 3检验批构域
GB/T 14119—93
见GB12750第5.1.1条。如果采用结构相似器件，则按GB12750第6章。13.2检验表
表1A组检验(逐批)
外部月检
检验或试验
25℃下功能验证
（不适用于「类）
最高工作温度下动能验证\
【不适用于1类》
最低工作温度下功能检证1
25C下静态特性
最高工作温度下静态持性\
敏低工作温度下静态待性”
25%下的动态特性
（4适用于1类）
最商T作温度下动态待性
最低工作温度下动态特性
试验条件
见GB4589.1第4.2.1.1条
本规范第 3弃中的常规功能操
同A2分组
同A2分组
见本规范第 6. 1 条
同A3分组
T's-Tamh mx
间A3分组
Tmb=Tant mi-
见本规范第6.2条
[输入信号和输出波形的电压、
时序及其组态按规定的控制时
序图。还成规定基术的定时茶件的相应值和输出负载。
同A4分组
Taml=Tcms x
同A4分组
Thns -Thll un
检验要求极限值
「按详细规范规定］
同A2分组
同A2分组
按本规范第6.1条
「可与A3分红不同」
「可与 A3 分组不同
按本规范第6.2条
[可与 A1 分组不可
[可与 A4 分组不同]
注：1）如果制造厂能定期证明两个极限温度下的试验结果与25下的试验结果相，则制造厂可以使用25℃下的试验结果。在选择该方法时，应采用25℃下有关试验分组的抽样方案。表 2B组检验(逐批)
(1类器件见GB4589.1第2.6条）
可焊性
检验或试验
孟度快速变化
空器件
亚用标准
GB 1589.」第 4. 2. 2 条附录
G4590%平导体集成电露
机械和气候试验方法》第
按方法b
（循焊法）
检验要求极限值
按本规范第 2 页的
没润良好
控验或试验
温度快速变化，接者
.电测试
(从 A2、A3 中选择)
.细检漏
.粗检漏
b)非空封和环氧封的空封
温度快速变化，接着
.外部目检
，稳态龈热
，电测试
(从A2,A3 中选择)
可编程性此内容来自标准下载网
电谢试
电耐久性
电谢试
GB/T 14119—93
续表2
引用标准
GR4590第3.1条
(F13 4590第 3.12条
GB 1590第 3. 13条
CB459门第3.2条
GB 4589. 1 第 4. 2. 1. 1 条
GR 4590 条 3. 7 条
见本规范第14章
G 12750 第 12. 3 茶
就B4,B5、E&a.B8b提供计数检查资料系作
1次循环
同A2.A3分组
1接规定」
「按规是」
10次循环
严格度1,24h
同A2、A3分组
见,本规范第 14 章器件应
按规楚的形编程，二率
少应选挥两种图形即果
用折扑图形互补的棋盘
校验板，使每个单元编程
一次！
同A2.A3分组
168h，条件按（B12750
第 12. 3 条和适用时的第
同42、A3、A5分组
丧3组检验(周期)
检验或试验
环境温度下的电待性
引线强度
耐焊接热
温度快速变化
a)空封器件
温度快速变化，接誉
.电测试
（从A2、A3中选择）
.细检
·粗检漏
b)非空封和环氧封的空过器件
温度快逆变化，接善
.外部目检
引用标准
FB 4589. 1 第 4. 2. 2 条、谢录 B本规范第 6. 4 条
C3 4590第2.1条、第2. 2 条
GB 4590 第 2. 6 条
GB 4590 第 3, 1 条
GE 4590 第 3. 12 条
GH 4590 第 3. 13 条
GR 1590 第 3. 2 条
GB4589.1第4.2.1.1承
接规定』
［鞍规定】
,［接规胞］
10次循环
. 按 A2.A3分维
「接规定］
「按规定］
50n次循环
检验要求极限值
：A3分组
同A2.A3 分组
A2.A3分组
同A2、A3、A5分组
检验要求极限值
［接规定】
无辅伤
同 A2,A3分组
检验或试验
，稳态湿
.电测试
（从 A2,A3 中选择）
稳态加速度
（空封器件）
稳态湿热
a)空封器件
b)非空封及环氧封的空封器件
电测试(同 A2.A3分组)
电耐久性
高蕴贮存
标志耐久性
人电容
输出电容(适用时)
GB/T 1411993
续表 3
引川标准
GB 4590第 3. 7 条
GB 4590 第 2. 10 条
GB 4590 第 3. 6 条
GB4590第3.7茶
GB 12750 第 12. 3 条
GB 4590 第 3. 3条
GR 4590条 1. 3条
就C3,C4,C5.C6.C7,C8C9和C11分组提供计数稳查资料表 4 D 组检验
检验或试验
电耐久性
引用标准
GB 12750 第 12. 3茶
注：1）D组试验应在鉴定批准之后立即进行，此后每年进行一次。条件
严格度1.24h
按A2,A3分组
[按规定］
严格度：
［、「类器件为 56d
「类器件21d
严格度：A
偏置:按详细规范规
时问：1、互类器件
为「000 h；I类器件
为5toh
同A2.A3分组
时间：1000h
条件接分规范12,3
条或(适用时) 12. 4
在 T'stg 最大值
方法 1
本规范6.1茶
本规范 6.4条
「类：木适用
1类：20nch
■类3 000h
条件：按分规范第
12.3条和（适用时）
第12.4第
检验求极限值
同A2,A3分组
同 A2.A3分组
同分规范12.3
本规范 6. 4条
本规范6.4条
检验要求极限销
按分规范第12.3条
13.3延期交货
GB/T 1411993
若无其他规定，见 GB 4589.1第3.6.7条。14 附加的测量方法
见GB 4589.1第 4, 3. 1.1条。
14.1PROM存储器的特殊试验
可编程性
这个试验在B8a分组中按下述条件进行：14.1.1编程功能的评定
采用先调整电耐久性试验样品，即根据所希望的PDA值增如样品量。编程率试验的条件应由制造厂规定，并且应在编程方式里规定的每一种变化所允许的值的范围里选择。编程之后，写在存储器内部的真值表应改变状态。存储器垒少有50%的二进制单元改变状态，应当注意内部地址译码电路均匀地把编程元件分布在整个芯片表面。14.1.2缩程的样品量
设，Se兰电耐久性试验样品量[此处取合格判定数c=0]P=PDA(比值）
［详细规范应规定 PDA值]
Sr=可编程的可数样品量
则;Ss--,如果不是整数则联整,设该鉴数为 S.Ss
14.1.3合格判定数
编程后的最大失效数=P×S(接收数）如果不是整数，则癫小该接收数,取整后作为拒收数。14.1.4判据
如果一个器件提交编程操作的一个单元不改变其逻辑状态，则判该器件失效。附加说明：
本标准由中华人民共和国机械电子工业部提出。本标准由集成电路标准化分技术委员会起草。本标准主要起草人吴佑华，王鸿宾。
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半导体集成电路双极熔丝式可
编程只读存储器
空白详细规范
Blank detail specification for semiconducter integrated circuitfusible-llnk programmable bipolar read-only memories（可供认证用）
GB/T 14119—93
本规范规定了编制半导体集成电路双极熔丝式可缩程只读存储器（以下简称器件）详细规范的基本原则
本规范是半导体集成电路一系列空白详细规范中的一个，它应与GB4589.1≤半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB12750《半导体集成电路分规范（不包括混合电路）-起使用。要求的资料
空白详细规范首页[1]～[9]各栏应填写与下列各项相对应的内容。详细规范的识别
[1]发布详细规范的国家标准化机构名称。[2]
详细规范的IECQ编号。
[3]总规范和分规范编号及版本号。［4]详细规范的国家编号，发布日期及国家标准体系需要的资料。器件的识别
[5]主要的功能和型号。
[6］典型结构<材料、主要王艺)和封装。如果器件有多种派生产品，应当给出相互之间的差别。例如，以对照表的形式列出各自性能的特点。详细规范应给出包括下述内容的简要说明：·工艺(TTL.ECL 等);
·结构(字×位)
三态)+
■出电路的类型（例如
·主要功能。
[7]外形图、引出端识别、标志和(或)外形有关的参考文件。[8］质量评定类别（按GB4589.1第2.6条)。[9] 参考数据。
【本规范中，方括号所列内容仅供指导编写详细规范使用，不必在详细规范中列出。］［本规范中，电特性或额定值表格中的“×\表示在详细规范中必须填写的值；“一”表示无内容可写。
国家技术监督局1993-03-18批准1993-08-01实施
评定器件质量的依据：
GB4589.1半导体器件
总规范》
GB/T14119—93
分立器件和集成电路
GB12750半导体集成电路分规范（不包括混合电路)》
【器件型号、名称详细规范
订货资料:见本规范 1. 2 条
机械说明
外形依据:GB7092&半导体集成电路外形尺寸外形图：
[可在本规范第 8 章给出详细资料]引出端排列：
[画出引出端排列图，包括引出功能符号］标志：字符、图形］
【详细规范应规定器件上标志的内容］［按GB 4589. 1第2. 5条和(或)本规范第1. 1条]简要说明
应用：
功能：熔丝式可编程双极只读存储器典型结构[硅、单片，双极」
封装：[空封或非空封］
注意：静电敏惠器件
质量评定类别
［按GB 4589.1第2.6条］
梦考数据
[能区别不同型号的最重要性能数据］按本规范鉴定合格的器件，其制造单位的有关资料可在合格产品目录中查到1标志和订货资料
1.1标志
见 GB 4589. 1 第 2. 5 条。
详细规范应给出有关型号的标志，如字符和或)代码。当标志不同于GB4589.1的第2.5条规定时，如制造厂内部使用的标志，应当加以说明。如果所有的标志都已出现在首页的[7]栏里，则应指明这点。1.2订货资料
若无其他规定，订购器件至少带要下述资料：准确的型号（以及需要时的标称电压值），
详细规范的国家编号及有关详细规范的IECQ编号，版本号和（或）发布日期；[2]
GB12750第9章中规定的质量评定类别，以及需要时的GB12750第8章中规定的筛选顺序。交货用的包装！
e.其他特殊资料。
2应用说明
GB/T 14119—93
[在详细规范中应简要说明该器件在设备或线路中的应用以及与关联器件的关系下述特性也应在详细规范给出。
标称电源电压：
标称功耗流：
维持功耗电流；
熔断工艺；
工作模式：
电兼容性（如果适用）：
[应说明该器件与其他集成电路或集成电路系列是否兼容，或者是否需要特殊的接口。]g
总体框图：
编程条件[在详细规范的附录里说明］。3功能规范
3.1功能框图
[框图应足够详细，以使存储器内的单个功能单儿能够通过它们主要的输入、输出通道及其外部连结标患(片允许,地止译码.)而加以识别。如果适用,应采用GB 4728.12电气图用图形符号二进制逻辑单元的符导表示法。]3.2引出端的功能和识别
所有的引出端都应在框图上标明（电源端、输入端、输出端、输入/输出端）。引出端功能应按下表格式给出。」
引出耀
3.3功能说明
引出端
「本条应给出下述特性：]
存储容量：存储电路中能够存储的信您总位数」存储结构存储电路中能够存储的每个毕的位数：取址方式：例如：多路选择、锁存等；片选”，
輪出允许\，
维持方式：
引出端功能
输入/输出识别
真值表[该表应给出输出状态与地址输入和选择输入之间不同组态的关系]。注，1）片选和输出允许应加以区别。3.3.2编程（内容的写入）
该产品应为电编程。编程操作包括：a.
熔化金属丝:或者
输出串路形式
熔断绪：
GB/T 14119—93
缩程操作可使初始逻辑状态变为编程遵辑状态（此步骤是不可逆的）。一状态改变，该单元的输就被永久生地编程.
必须规定整个存储器的初始避辑状态。可对未被编程单元的存储内容作进步修改，存储器的常规功能操作不改变存储内容。编释方法和杀件在详细规范里规定。
每种器件的编程参数在详细规范的附录单说明，编径参数可用结构图或编程序列表示。编程所需的各种信弓图和逻辑电平也应子以说明。3.3.3功能互换性
同一个详细规范里的全部产品在编程后是可立换的。不同的产品可以有不同的编程方法：但每种编程方法都应在详细规范的附录里加以说明。极限值（绝对最大额定值）
若无其他规定，这些值适用于企工作温度范围。【若无其他规定，应给出的极限值如下表所列。另外，还包括：a.
某个集成电路的注意事项。例如：编释与读操作极限值之间的区别；应规定极限值的相互关系；
应说明极限值所适用的全部条件；如果允许瞬时过载，应规定过载的大小和持续时间：应说明最小值与最火值在编程期间是否有所不间。]所有的电压都以设计的基准端为参考点,数
电源电压
输入电压
输出电压
蔽止态电压1
输出电流
输入电流
1.作温度
此行泓度
[注：1）适州时，
Tn和(或)Te
2）应规定时间、频率、温度、装配方法等添件。3）该表给出的值与编程条件无关。」最小
最大”
推荐工作条件
电源电压
输入低电平电压
输入商电平电压
工作温度
GB/T 14119-- 93
注，1）适用时,在持条件下也应采用这些值6电特性
若无其他规定，这些特性适用于全工作温度范围，最小
[如果所规定的电特性在整个工作温度范围内是不同的,则应在25℃,最高工作温度和最低工作温度下规定输入，输出电压以及相应的电流值。每一种不同类型功能的翰入和（或）输出端都应给出电流和电压值
对持殊的电特性和时序要求应加以规定6.1静态特性
所有的电止都以段计的基难端为参考点特性
电源电流
输入位电压
输出高电平电压5
输出低电半电压
输入高电平电流
输入高电平电液
（适用时）
输入低电平电流
输入低电平电流
输出高电平电流5
输出低电平电流5！
输山高电平电流\
输出低电子电流3
兰态输出时输出
高电平泽屯流
（适用时）
Ve最大
Va:最小,fik[按规庭」
V最小,TOHA
Vx最小，lA
Vec最人Vim
Ver最人Vua
Vec最大，Vu.A
Vce最大,ViL
Vex最小，Vunn
VL最大,VoLa
Vee最大Vona
Vu最大，VoLa
Vo最大.VoB
iur c2)
最小值
最大值
三态出时出
低电漏电流
（瑄用时）
输出短略电流”
[：1适用时’
Vx:最大,Vin.a
Vo最大,Vu0
CB/T 14119—93
最小值
最大值
2）IoHx和fox仅适用十有集电极开路输山的电路。这种情况下且可替代Ium和1en.F3）应规定持续时间，
4）这些条件应加以规定，以保证在最坏情况下进行有关电特性的测；5）测量这些特性，可要求器件编程。在适用时，还应当规定下述内容：在某些端既可作输入也可用作输出时，则应给出这两种条件下的电持性。6.2动态特性
电特性
地址存取时间
片允许存取时间
片禁止
注：1）必须规定测试条件和负载电路。6.3时序图
tar(s)
最小值
戒大值
「应当给出能表示该电路每一种操作方式的全套信号时序图。为保证存储器正确操作而需要让用户知道的任何时间间隔都应予以规定，例如维持条件和脱离维持条件的操作周期。并目，时序图上应给出第 6.2条中的全部参数。
6.4电容
輪入电容
输止电容(如适用）
7编程
[本章应给出下述内容；]
符國号國
7.1所来用的编程方法（系统编程urganigram等）。7.2说明编程顺序的时序图。
7.3编程步骤。
7.4输出负载（适用时)
7.5满足最低编程率时的编程特性表。[适用时，应给出下表中的内容。最小值
最大值
编程电源电压
控查电源电压
检查刚值电压
缩程电源电流
输入高电平电压
输入低电平电压
输入高电平电流
·输入低电平电流
强制输出电压
强制输出电流
CE 输入商电平电压
CE人低电平电压
输出脉冲土上升时间
E编程脉冲宽度
脉冲序列延退
CE检壳脉冲宽度
地址编程检查周期
存储编程检查周期
实现最低编率，每根熔丝的试验饮数
最低编程率
GB/T 14119—93
[适用时，还应选择下表中的参数加以规定。特
输入上升时间
输入下降时间
编程脉冲或编程允许信号前的地址建立时间允许信导前的编程脉冲或编程允许号的建立时间编崔脉冲或编程允许信号前的允许信号的建立时间编程脉冲或编程允许借号结束后的地址保持时间允许信号结束后编程脉冲或编程允许信号的保持时间编程脉冲或编程允许信号结束后的允许信号保持时间每个单元的总编程时间
ferPvy
最小值
最大值
最小殖
最大值
B机械和气解试验方法
见GB12750第12.2条。
9加资料
GB/T 14119—93
[可任选下述附加资料作为起码的设计数据,这些数据是不检验的。a热阻
[可用该数据来确定最高丁作温度，这个温度是根据推荐的最坏使用条件，在规定的耗散条件下，器件表面基准点上所允许产主的最高温度。h噪声容限(输入，电源电压等)；c.电源电压：
[适用时，应提供电源电流(或电源电压)在规定的控制信号频率(包括适用时的脉冲电源）范围内的典型变化曲线。
d、负载规定，
[应提供输出负裁能力的资料，]e.需要时的输入或输出电路的电原理图。10筛选（适用时）
见 GB 12750 第8章。
【老化条件应作如下规定：]
环境温度：[若无其他规定应为最高.工作温度]：bh．电源电压［若无其他规定应为标称电压]颠率：
线路图和条件。
质量评定程序
下述两个程序均可采用。
11.1鉴定批准程序
见GB4589.1第3章和GB12750第5.1条，11.2能力批准程序
在考虑中。
12结构相似性程序
见GB 12750第6章。
[当详细规范采用结构相似性规则时,应指明所采用的结构相似性规则和每种试验所采用的有关结构相似件。
13试验条件和检验要求
13.1抽样要求和检验批构成
13.1.1抽样要求
见 GB 4589. 1 第 3. 7 条和 GR 12750 第 9 章。13. 1. 2A 组检验
采用 AQL 抽样方案。
13.1. 3检验批构域
GB/T 14119—93
见GB12750第5.1.1条。如果采用结构相似器件，则按GB12750第6章。13.2检验表
表1A组检验(逐批)
外部月检
检验或试验
25℃下功能验证
（不适用于「类）
最高工作温度下动能验证\
【不适用于1类》
最低工作温度下功能检证1
25C下静态特性
最高工作温度下静态持性\
敏低工作温度下静态待性”
25%下的动态特性
（4适用于1类）
最商T作温度下动态待性
最低工作温度下动态特性
试验条件
见GB4589.1第4.2.1.1条
本规范第 3弃中的常规功能操
同A2分组
同A2分组
见本规范第 6. 1 条
同A3分组
T's-Tamh mx
间A3分组
Tmb=Tant mi-
见本规范第6.2条
[输入信号和输出波形的电压、
时序及其组态按规定的控制时
序图。还成规定基术的定时茶件的相应值和输出负载。
同A4分组
Taml=Tcms x
同A4分组
Thns -Thll un
检验要求极限值
「按详细规范规定］
同A2分组
同A2分组
按本规范第6.1条
「可与A3分红不同」
「可与 A3 分组不同
按本规范第6.2条
[可与 A1 分组不可
[可与 A4 分组不同]
注：1）如果制造厂能定期证明两个极限温度下的试验结果与25下的试验结果相，则制造厂可以使用25℃下的试验结果。在选择该方法时，应采用25℃下有关试验分组的抽样方案。表 2B组检验(逐批)
(1类器件见GB4589.1第2.6条）
可焊性
检验或试验
孟度快速变化
空器件
亚用标准
GB 1589.」第 4. 2. 2 条附录
G4590%平导体集成电露
机械和气候试验方法》第
按方法b
（循焊法）
检验要求极限值
按本规范第 2 页的
没润良好
控验或试验
温度快速变化，接者
.电测试
(从 A2、A3 中选择)
.细检漏
.粗检漏
b)非空封和环氧封的空封
温度快速变化，接着
.外部目检
，稳态龈热
，电测试
(从A2,A3 中选择)
可编程性此内容来自标准下载网
电谢试
电耐久性
电谢试
GB/T 14119—93
续表2
引用标准
GR4590第3.1条
(F13 4590第 3.12条
GB 1590第 3. 13条
CB459门第3.2条
GB 4589. 1 第 4. 2. 1. 1 条
GR 4590 条 3. 7 条
见本规范第14章
G 12750 第 12. 3 茶
就B4,B5、E&a.B8b提供计数检查资料系作
1次循环
同A2.A3分组
1接规定」
「按规是」
10次循环
严格度1,24h
同A2、A3分组
见,本规范第 14 章器件应
按规楚的形编程，二率
少应选挥两种图形即果
用折扑图形互补的棋盘
校验板，使每个单元编程
一次！
同A2.A3分组
168h，条件按（B12750
第 12. 3 条和适用时的第
同42、A3、A5分组
丧3组检验(周期)
检验或试验
环境温度下的电待性
引线强度
耐焊接热
温度快速变化
a)空封器件
温度快速变化，接誉
.电测试
（从A2、A3中选择）
.细检
·粗检漏
b)非空封和环氧封的空过器件
温度快逆变化，接善
.外部目检
引用标准
FB 4589. 1 第 4. 2. 2 条、谢录 B本规范第 6. 4 条
C3 4590第2.1条、第2. 2 条
GB 4590 第 2. 6 条
GB 4590 第 3, 1 条
GE 4590 第 3. 12 条
GH 4590 第 3. 13 条
GR 1590 第 3. 2 条
GB4589.1第4.2.1.1承
接规定』
［鞍规定】
,［接规胞］
10次循环
. 按 A2.A3分维
「接规定］
「按规定］
50n次循环
检验要求极限值
：A3分组
同A2.A3 分组
A2.A3分组
同A2、A3、A5分组
检验要求极限值
［接规定】
无辅伤
同 A2,A3分组
检验或试验
，稳态湿
.电测试
（从 A2,A3 中选择）
稳态加速度
（空封器件）
稳态湿热
a)空封器件
b)非空封及环氧封的空封器件
电测试(同 A2.A3分组)
电耐久性
高蕴贮存
标志耐久性
人电容
输出电容(适用时)
GB/T 1411993
续表 3
引川标准
GB 4590第 3. 7 条
GB 4590 第 2. 10 条
GB 4590 第 3. 6 条
GB4590第3.7茶
GB 12750 第 12. 3 条
GB 4590 第 3. 3条
GR 4590条 1. 3条
就C3,C4,C5.C6.C7,C8C9和C11分组提供计数稳查资料表 4 D 组检验
检验或试验
电耐久性
引用标准
GB 12750 第 12. 3茶
注：1）D组试验应在鉴定批准之后立即进行，此后每年进行一次。条件
严格度1.24h
按A2,A3分组
[按规定］
严格度：
［、「类器件为 56d
「类器件21d
严格度：A
偏置:按详细规范规
时问：1、互类器件
为「000 h；I类器件
为5toh
同A2.A3分组
时间：1000h
条件接分规范12,3
条或(适用时) 12. 4
在 T'stg 最大值
方法 1
本规范6.1茶
本规范 6.4条
「类：木适用
1类：20nch
■类3 000h
条件：按分规范第
12.3条和（适用时）
第12.4第
检验求极限值
同A2,A3分组
同 A2.A3分组
同分规范12.3
本规范 6. 4条
本规范6.4条
检验要求极限销
按分规范第12.3条
13.3延期交货
GB/T 1411993
若无其他规定，见 GB 4589.1第3.6.7条。14 附加的测量方法
见GB 4589.1第 4, 3. 1.1条。
14.1PROM存储器的特殊试验
可编程性
这个试验在B8a分组中按下述条件进行：14.1.1编程功能的评定
采用先调整电耐久性试验样品，即根据所希望的PDA值增如样品量。编程率试验的条件应由制造厂规定，并且应在编程方式里规定的每一种变化所允许的值的范围里选择。编程之后，写在存储器内部的真值表应改变状态。存储器垒少有50%的二进制单元改变状态，应当注意内部地址译码电路均匀地把编程元件分布在整个芯片表面。14.1.2缩程的样品量
设，Se兰电耐久性试验样品量[此处取合格判定数c=0]P=PDA(比值）
［详细规范应规定 PDA值]
Sr=可编程的可数样品量
则;Ss--,如果不是整数则联整,设该鉴数为 S.Ss
14.1.3合格判定数
编程后的最大失效数=P×S(接收数）如果不是整数，则癫小该接收数,取整后作为拒收数。14.1.4判据
如果一个器件提交编程操作的一个单元不改变其逻辑状态，则判该器件失效。附加说明：
本标准由中华人民共和国机械电子工业部提出。本标准由集成电路标准化分技术委员会起草。本标准主要起草人吴佑华，王鸿宾。
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。