本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。本标准适用于素和化合物半导体材料。 GB/T 14264-1993 半导体材料术语 GB/T14264-1993 标准下载解压密码：www.bzxz.net

unL 669. 87
中华人民共和国国家标准
GB/T 14264-93
半导体材料术语
Senlconductor materials-
Terms and definitions
1993-03-12发布
1993-12-01实施
国家技术监督局发布
中华人民共和国国家标准
半导体材料术语
Semicauductor materfals
Termg d definltloas
】主题内容与道朋范的
GB/T 14264-·93
本标准规定了导体材料及其生长工艺、如工，品体快陷和表面沾污零方面的主要术暗和定义。本标准适用于元衰和化合物半导体材料。2一股术倍
2.1半导体semiconductor
电阻率介工导体与绝渗体之间，其范围为10～10\0-的一种固体物质，在较宽的盒度范困内+电阻率随避度的升高面减小。电流是由带正电的空穴和带负电的电子的定间传物实现的。半导体按其结构可分为三类，单品体，多品体和非晶体。2.2元豪半导体clementalsemicanductor由一种元素组成的半导停，理和诺是是常用的元素半导件。2.3化含物半导体compnundsemicanductor由两种或两种以上的元衰化合而或的半导体，如化够.燃铝弹等。2.本征半导体intrinsicsemiconductor晶格完整且不含杂质的单晶半导体，其中表与导电的电子和空穴数目等，这是一种害际上难以实现的理想情况，实用上所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质，导电性能与理想情况很相近的半导体。
2.5导电类型conduerivitytype
半导体材料中患数数流子的性质所决定的孚电性。2.6n-塑半导体n-typeEemicnnductor客数载流子为电“的半导体。
2.7p-半导休p-typesemaiconductor来数蔽流子为空穴的半寻体。
2.B空穴 hole
半导传价带结持中一种流动空位，其作用就像一个具有正有效质量的正电于电荷一样，2.9受主apctprter
半导件中共能级位于整带内，能“换受\价带激没电子的杂质原子或品格缺陷，形成空穴导电。2.10施士donpr
半导体中其能级位于带内.能向导带“墙效\电子的杂质既子或晶格缺陷，形感电子导电.2. 1f 裁流于 carrier
西体中一种能传输电荷的载体，又称电裁流子。例如，半导体中导电空穴和导电电子，家植术监督需1993-03-12批准
1993-12-01实
2.12载流了-浓carricrcortratinnGB/T14264—93
单位体积的载流于数日，在室摄无补偿存在的情况下为电离杂质的浓度。空穴放度的剂号为，电子度的符号为。
2-13多数载流子majorilycarrier大于载洗子总浓度一半的那类载殖子，例如P型半导体中的空穴，2.14少数载流子ninrilyrarier
心丁载流可总装度…平的那类载演子，剃如，型半导体中的电子。质浓度impurityconcentration
单位达积内杂质照了的数目，
深能级森质leep-levetinipurisy·种化学元紊，当其引人半导体中+形成“个或多个能吸，该能级更孕带虑、价带预较远，且多位于带中央区缺，于型和孕接杂剂杂质能疑之叫。复合中心reeunbinatiuntenter
2、17
半子样中对电子和空穴起复合作用的杂质或映陷。2.18补偿compensacion
半导怀内同时存在施丰杂质知受主杂质施主杂量施放的电子为受主杂版拷收，其作用相互抵消。
2.19耗尽层depletionlayer
何电载流子电荷审度不足以中和施主和受主的净固定电荷密度的区法.又称势垒区，阻挡层或空间电荷云。
2.20红外吸收光谱infrnrlalsurptiuspectrum当半导体受到红外光的插射时，产生振动能级的嵌还，在振效时作有偶极改变的原子，吸效江外光子所形成的光谱。
2.21外吸收系教infraredbsopcioncaefficienctlR长为^的红外光通过半导体试样，试样透过率侧数的自然对数与试样光程之比。单位火一2.22电阻率（体）resistivity(bulk）单位体积的材料对与两平行面重直通过的电流的阻力。一股来说，体电限率为材料中行于电流的电场强度与电流密度之比。符号为e,单位为n·cm。2.23电导率conductivity
电车的间数，它等于教流子难度、电子电荷和载流了迁移率的柔积。再号为心，单位为（0：i,
2.24电阻率充许偏卷ulluwableregiativitytolcrance的片中心或品接断而中心的电阻率与标称电阻率的是大允许整值，它可以用标称值的百分数米表示。
2.25盗向电阻湾化radialresistivityvariation品产中心点与偏离片中心的某一点或者于对床分布的设定点<典设定点尼品上半径的1/2些或靠近晶片紧处)的电阻率之间的差值，这种电阻率的整值可以我示为中心值的百分数。又径间电用率梯度。
2.26牌层电阻shcctrca1stance
一种萨层导电材料的电学性质，其值等于薄层电阻率除以薄层厚度，及称方快电阻，符号为化，单位为2/口.
2.27扩展电阻多preading resistanice导电金探计与半导体融点间的避量电册，它由样针附近的半导体电阻率决定。!wopointprobu
CB/T 14264--93
测量材乎的你型阻的种电探装说在柱形样品带通以直流电流，测质垂直压在被测品则而上的两退企属探针而的也也差，2.29 ur p:in probe
制品料补表面禁电阻率的种电探针装.拥列成一直线.间距相等的四根金码擦探针垂直压在样品装间独自证出满从两外探计之间通过，测早两内探针间的电位差。2.30迁移率mulili1y
张流了任单位电场出庭作带下的平均激移速度，在单载流子体系中，载流子迁移丰与特定条件下测定的乐迁至成邮，格率的符号火，单道为c/（+9）2.31成Hellffer
若对通电的样品道加垂直磁通，由了罗伦张力的作用则在垂克于也流与醛场的力向上有问屯护差山购，该效惠为报尔效应，所产生的横向电为恶尔电场，塞尔电场的人小与磁感应强度性电流密度度止比，比例系数，称为缩尔系数，其计算公式为R rr±/ne
式，\十”“一‘号分别对应空穴导电和电子导电了是一个与散射机档、样品湿度、能带结构及偿场强度有关的因子，载流子涨度为了而荷。单位为m汇。2.32花尔系数[lall cocEEicient见,2.31 条.
2.33尔迁移率Hallmulbiliy
征尔系数利电学率的乘积（R心），与迁移率有相同的盘纳，通常将这个匠叫做需尔迁移事，月表茶：
2.34命iferime
2.34.1是体中非平衡载流子由产生到友合存在的平均吋间闯两，它等丁平衡少数载流子度哀减到冠始他的：1/=2.712)所需的时间。又称少数载流子寿命，体寿命：2-34.2非少数教流子扩故长的平方以护版系数所得商，而扩龄系数是设定的或由载商子所移率测确是的。
券命符号为，单位为。
2-35各向导生2nisotropin
在不同的结品友向具有不问的物理括性，又称非各司同性，非均质性。2.36结品学表示法cystallugtuphienotaun持定符号表示结品学品面和品问的点法。品）如111
品面旅1如：1111
的向「如[111]
间111
2.37密啦非数Millarirdices
以点阵情断电盘品丽在三个品轴上敏臣的例数的一组最小整数比，文种晶面指数，带屈以标记晶，
2.38劳发法Taupmethd
H连统能诺的X射缇技射到叫宝的单品体上，树足布拉格定律的X射线得到反射，对反时出的X射线排行品体新，以谢定品体宏见对称性的--种衔射方法。2.39品irystalugrapbir tlirHiaicn3
GB/T1426493
通过空间点阵中任意两个阵点的直线所表示的方间，2.40邮面eryatallograhpieplane通过空间点阵中不在同一直线上的三个阵点的平面.2.471
取问偏两aff-arienatior
品片表面法载与品体结品力向幅离的一定角度，2.42正交品向停离rthogonaiminorientation（111)单晶片作取向离时，品片表面法向失盘在(111)的设断与平行平主参考面和法向失盘收近帮的<110)在(111)占的投影所构底的的，见图1。晶片童面向光
品内险典的品
正变自内热商
图1正交品向偏高示意图
2.43主参考面
ptimaryflat
指规范化雷形晶片七长度最长的参专面其取向预掌是特定的品体方向。也称第一垒专面，2.44副参考面 Becorulary 日at指规范化匹形品片长度小于主考面的平面，它相对干主参考面的位置标记核品片的导电类型和取向。艾称第二套考面。
2.45解理面leageplans
品体零到机械力作用时，沿品体结均所确定的某一品面费裂，这种劳裂面称为解理面。2.46外延层epithzial layer
在半导体村底上生长且与神离材料有相同结晶学取向的薄层.差博具材料与材底材料相间，称质外延层，若醇层村料与村底材料不相同、则称异质外菇层，护屋diffusedlayar
采用固态扩整工艺，将杂质引入单品，使单品表面尽形感的相同或相反导电类型的区域，2.48埋层urierilayer
外延层题益的扩敬区，又称删扩做层或膜下扩散层。2.49薄层边界layerboundary
症与毒层的养面。
2.50异面interfae
GB/T14264-93
两柜或两件系（如衬底和外丝层)间的区感2.51p-n络p-nhirrlinn
同块半导体单晶内被此相邻接的P型和几型的界而区域。2.52效被型器件bipolardevices既用定穴及时电子作为衔电整流子的半导述野件，2.53集成电路integrated cireuit把一个电路的大量元器件期合手一个单晶片上所制成的器件。3材料及其生长工艺
3.1品体rysta!
在三继空间中由原子、离子、分子或这些整子费团按同一规律作周期性排列所将成的面体。3.2品ingot
一种样状半导坏，通常其直径是不均均的效为原生态的多品体惑单品体。3.3多晶半导体polyeryatallineaemiconductor由大请站品学力狗不相同的单品性组成的半导，3.4李晶tinnedcrystal
在晶样内晶枯是两部分，恢此戒镜象对称的品体结构连接两部分品体的界面称为李晶面或李晶边界，在金刚右结树中，如硅，李品面为（111)面。3.5单萌singlecryetal
.不含大角品界或李品界的品体.3.6无位语单品rpDinglecryetal位错度小于600cml*的单品，
3.7时底ubatrate
用于外斑流秘,扩散，离子生人等后序工艺操作的基体草晶片，3.8化学气相祝积chemicalapordepogtian(cvv)通过化学反应制备种表面幕题状产品的工艺，外碰生长是化学气相沉来的一种针例3.9外延epitaxy
用气相，液相、分子束等方法在衬庭七生长单品弹展的工艺，在村庭上生长组分与衬底材料相同的单品层，称问质外延；在过底上牛长与封组分不尚的单薄层，韩异两外延。310气柑外英vaporphaseepilaxy(YPE)在气相状密下，将半导体材料沉租在村底上，使其督衬底的结晶轴力向生长出一层单品醇层的工艺。
3.11减相外延liquid phage epitaxy(LPE把牛导体材料浴解在溶剂中，便其形感询和落滤，燃启把此忆和落液更盖在单晶村底上，降低溢度，在对房上沿付族结品轴力向生长出新的半导体单品薄层的工艺、3.12分子束外malecularbeamepitazy(MBE）在超高真空下，使村保持在适当高温，报一束或害束分子连满沉积到封底表面面得到超博单品尽的工艺，
3.13向质外延homoepicaxy
见 3. 9 案,
3.14昇质外延heteroepitaxy
见条。
3.15藏射法spuirringmelhod
GB/T 14264—93
在对底表面制各半导体、金同或非金再薄膜的一种力法。一腔是在充性气体的低真空系统中，通斗商压场的作用，快情性气体电离，产生气体离子流，去装女肥写极（避射材料）被射山的范才料原千或分子沉积在剂底表面土而形成薄膜、3.16穆杂doping
把半导体材料的非本体元案.合金敢合物忘整接入半导体中，获得预定的电学特半的过程.3.17至接亲lheivyilnping
半导体付料中接人的杂质量较多，通带所涨度大了10\cm，为重播泰、3.18商子注入ionimplantatian
格杂质高于在直空中加到一定的能基后，打到半体品上，离于以高度穿过品性表面而迷人产内，经逆不断与品体的原子硅控尚速度减慢，最后效止在晶体一定的探度，丝过适当效处理，达到接杂的且的。
3.19自持杂zucodoping（aeif-doping）代外延上长过程中，不是特意加人的炭质引起的搭杂现象。3.20补尝接杂cnmpensatinndping可别半导体中入施主杂质或向。型半导体中播入受主免质，以达到反型杂质心学性能担互补偿的国内。
3.21中子变格杂
neuirontransmutetion doping(NTD)用中广流物照硅单晶烧.使晶体中的Si\蛇变成磷原子而使硅单品掺杂。NI单品的特性尼掺弃质在品体织间证径间分布特别均寸。3.22d[
为了获得预庭的导电类塑和电阻率而痕最持人半导体中物质。通带为周期表中的，族或√、1换中某-种化学元素。
3.23E法veical pulling method性硅中有害杂质固定于远离器件有源区域的工艺。4材料加工
4.1切制cutting
把半导木羊品锭切成具有-定品向和·定厚安的工艺4.2g
利月鹿液，把切片磨成具有一定儿何存数的晶片的工4.3扇饨etching
用腐独范士除表面粘污，机接加下损伤，控制拍片厚康双及显示关片表面品陷形妆租分市的工艺4.4向同腐快isutropicetehing
GB/T14264—93
通带是指不同的范品学平面呆现出相同质烛逆车的离他方法。4.5各间舞性腐蚀nigotropicetehing沿势不同的结昆学平面，节现出不同腐蚀违本的腐蚀方法。4.6择优独preferentialetching汗著特定的结品学平面，早现庭性速率加快的腐迪方法。4.7化学机掘池光Chem-Mechpolishing利用化学和机械作用去除材料表面沾污及摄伤层快其状得镜状表面的一种工艺，4.8抛光面polishedsurface
品片抛光后获舒的如面状完美的我面，4.9面 front aide
制造有激器性的晶片变面。
4.10骨面backside
与品片正面对的面。
4.11晶片 sliee
从品赖切制下的片状晶块，在改变原生品片品体结构的后序工艺前进行整彩与抛光，晶片通常有：切割片、研磨片、腐性片和揽光片，4.12搭杂片dopingwafer
经工艺处理已变成含有附加结构，可进人器件加工工艺的半导体基片。4.13直径diameter
穿圆片表而，通过幅片中心点且不与专面或圆周上其他密区相交的直线长胞4.14厚度thickneaa
通过品片上一始定点垂直于装面方向穿过晶片的距离。4.15品片厚度thickneaof lica
品片中心点的牌度，
416厚度允许偏差allowablethickneeglolerance晶片厚度的测盘值与标称值的最人允许整值。4.17总厚度变化1otalhicknegsvariatian(TTV)在厚度扫描或一系列点的再度测尽中，所测品片的最大厚度与进小厚度的绝对趋值，4.18中心面mcdiansurface
与品片的正面和背面等距离的点的轨还。4.19与曲度bpw
萌中心凹占形变的一种度量，它与品片可能存在任何享度变化无关.季曲遗是晶片的一种这性质而不是表面特性。
4.20租度r[
萌片巾心面与基准苹面之呵的最大和最小距离的差其，操曲度是晶片的件性而不其表而特性：4.21晶片机械强度mechanicalTrng1.hfdics晶产抗破碎与悉曲的内在力学性能，4.22平整竟 Fla>sarss
晶片表面与基准平面之间最高点和尽低点的差值·它是一种表面性质。4.23固定优质图fixedqualityuren(FQA）晶片表面除去眠标称缘为的环形区城后所确定的邮部分区城，且包指距标称网周距离为工的所有的点，见图2，
新标幕边始为的大区地
单导面
随定此质区政票
营片造续
主参面bzxZ.net
GB/T 14264—93
图 2固定就质情示意图
4.24线性厚度变化linearthicknegsvariatioa(LV)品片的正葡和背面酯用两个非平行平面表示的品片厚配变化，4.25非载性率度变化aonlineartlhicknemariatian（NTV）未均的厚度变化，此种晶片的削面近于凸述情或凹还忧的韵面。4.26边缘凸起rdgecrown
距品片边缘3.2mm处的表面高度与品片达爆处薪度之间的差值。单位为m。4.27创角edgerounding
晶片边录通过研腾战房蚀整形加工感一定角度，以消除品片边录尖锐状态，避免在后序加工中造成继摄伤。
4.28谢边 chip
晶片边维变表面未穿品片的原部缺担区城，当期边在晶片边终产生时，基尽寸由径向深度和周迅弦长给出。见图3。
图3函进示意图
4.29 indent
上下贯案弃品片边球的缺抵。见图4。4.30刀官awTuRkE
CA/T14264—93
图4缺口函
晶烷切削时，在品片表面前下的调红状境逆。4.3痕icks
切制时也刀片退出引起的品片圆周上的一些小晚口或小期逆映拟。4.32划过cratch
在切剃，研腾、光过程中鼠片表面被划伤所留下的衰迹，其长宽比大于51、4.33moacratch
拖光片在白炽灯和费光灯下，率离等于或大于0.12m的肉眼可见的划道，4.34轻划道miczascratch
抛光片在荧光灯朋明下，深度小于0.12血内爆看木见的划道，4. 35沟糖 gruuve
光过程中设有完全去除的综光措的划道。4.36彼较waves
在大面根漫散射光删射下，触光片表面上肉眼可见的波形外腺，4.37：凹坑dinjle
在适当的光照条件下，独光片表面上肉眼可见的一种具有渐变斜面草凹面状的浅坑。4.38禁针伤probedamage
由探针操作引起的距离等于探针间的抗状局部损恢，4.39轰胃机城娟饮regidualmechanicaldamag晶片经过切，磨，糖加工之后，表面观留下来的没有完全去除的机概损伤。4.点 bright point
硅片研磨或撼光后，丧面上费留下来一紫孤立的机点，呈现为有可观寒到的立的小定点，4. 41嵌人磨料颗粒 imbedded abrasive grain在切磨抛过程中，由于机作用压人品片表面的密料颗粒。4.42率较cack
延伸到晶片表面，可能明穿，也可能不质穿整个晶片厚度的解理实裂痕。4.43裂爽 fracture
见.42录。
4.4鸦 cruwstee
年111）品面上是鸦瓜形，（10）品面上呈+字形待征的可能贝穿晶片厚度的解理或爱痕。5晶体缺陷
5.1品体缺陷erystuldefe:r
原了悄离理想晶格中有现则的排列，这种偏离，严世响晶体的力举、电学和其他转性。缺陷可分为三类，点缺陷、线缺陷和面缺陷。5.2块状站料hlnckalrcinte
GR/T14264-93
因晶体生长工艺变化，使晶体产生不均均性而引起的形变。5.3点缺陷 point defect
晶体结构中，与空位（或空位团）、间酸原子有关的品体缺陷，当择优腐蚀点缺陷时，呈残独腐独。5.4错dialauatwr
晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯失量的一种线缺陷，5.5位错蚀统dislocationetchpit在晶体我面的位铬应力区城，由拯优腐恤而产生的一肿界限清晰.形状规则的腐蚀。5.6位错馨度isdoralionckensity单位体钙内位带线的总长度（em/cm\），通需以品体基量面单位面租上使错独坑的数目来表示。cm-2
5.7堆垛层借tackingfault
品体内，原子平面的正常堆垛次序错乱恶放的一种面缺陷，称层错，通书，堆垛层错仅存在于一个晶面上，如年层错然止在品体内部，它将效结在一个不全位错上，在1111}品面上，尽错虽分立的或交的封阐等边三知形，或者呈不完全的三角形，在1001品而上，层增呈现为一封逐的或不完整的正方形，每个这样的图形为一个增燥层错，5.B层错fanl
晚.?条。
5.9其化居错oxidationinducedstackingfault（SF）晶片表面存在机帐捐恢、杂质沾巧和微缺陷等时，在燃氧化过程中其近表面层长大破转化的层带，5.10附slip
晶体的部分对丁另一部分由切向位移产生的但仍保持晶体结品学性质的塑性变形过程。滑移的方向常常在一个特踩的结晶学平面上，绪和硅的谢移方向位于(111)品面的（110)方向上。情是一种包括位错通过晶悼运动在内的非均与变形过程5.11滑移线alipline
计普谢移面举移时，在品体表而形战的载，5.12品粒间界grainboundary
固体内，一品粒与另一品粒相拷触的界面，悄称品界。该界面上的任一点至少情成两个留向落人于1\的晶格点阵。
5.13小角品界low-anglegrainboundary品体中相邻区城靠向差别在几分之1到1的品轻问界。化学脑独后呈现的一个腐蚀坑对另，个离蚀坑底直抑列的位错组态。
5.14位惜排dislocatianarray
一种错蚀坑的某·-边排列在条南载上的位惜组态。5.15系厚结构lineagc
小角晶界或位错排的局部密激排列。5.16星形结势ztarBtructure
一系列位错非沿110)方需策排列成量状错树。在[111)面上，星形结树显三知形六负影组态在（1：面上，呈井形组总。
5.17夹东inelnsias
晶体中存在的异质需粒。
5.1B微缺陷rnicrodefect
GB/T14264-:93
晶体中快尺寸凝常在微求或亚微来效然范围内的缺陷，如堆择层错、氧沉等，整快陷基无做错区塔和百控硅单中常见的一类缺陷。5.19锐物precipitates
品生长时，达到带解度凝限的格杂剂形成的局部高繁物。5.20黎质亮集iupurityounveatrating在生长更持禁单晶时，如果杂质在品样中的分靓系数K1，在品体居部，由于烘体杂质就过商，组分过格而使杂质与部富案，当晶体中杂质游度超过其固游度时发生的杂质析出现象。5.21管道piping
在重势杂单晶中，晶体纵向形成的管道状案质高巢区域，522六角网结turretneturork
在互杂单品尾部的横断面上，丘现的一组其外围是杂质高集条较的封闭的六角环状网路。5.23杂质条纹gttiation
晶体生长时，在施转的国液界面处发生周期性的想座起伏，1起晶体内杂质分布的周期性变化。在晶体的换截面上，该变化呈同心围状率螺举状备效，这紫条纹反映了杂质涨度的周期性变化，也使电照率局部变化。择优离焕后，在放大150倍下观亲，录较是连续的，5.24警qwirl
无位错单品择优房慎后肉眼可见的呈螺能状或同心团状条纹分布，在放大150倍观案量现不连续状。
5.25电阻来条效registinststriatip见5.2涤。
526 温度圈temperature circle由于盘度起优，在硅多晶的情断面上引密结晶致害度，品粒大小感题色的掌异，晶粒呈现出以硅芯为中心的年轮状箔树
5.27英化枣层uxidelamella
硅条品措断面占呈同心四状结构的氧化健类，5. 28 haze
在抛光片和外延片上由微观走面不规购性（如高带度的小坑）引起的光整射现索。套很产意时，在品片面上能观察到窄束将灯灯丝的影象，5.29粘皮oringepeel
在荧光服明下，品片表面呈现的一种内眼可见的形如拮皮状特征的大面积不规射粗稳表面。5.30小丘mound
品体者出穿的电一十惑多十不规购小平面构成的无则形校的凸英物，它们可能是材料体内缺陷或各种杂质沾污的延伸+或两老兼有。5.31按Pyramid
外延层表面的一肿突起物。按雄一般是由衬底与外延层界面处各种不完整性引起的，在（111)晶片上.通带由三个李品四面体生长构成其生长速率比外延层平均生长速率快1，2倍，形成了高的凸起钩。该凸起物有充分清晰的小平面和高的对称性，5.32钉 pike
外延层表闻回处中心衍生长的一种长而细的枝基状妆或丝状结晶6表面沾亏
6.沾号contaminant
晶片表面上肉腰可见的各肿外来异物的统称。大多数情况下，沾污通过吹气（干燥氢气）洗涤剂清
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。