本标准规定了膜集成电路和混合膜集成电路的术语。本标准适用于膜集成电路和混合膜集成电路的生产、使用、科研、教学和贸易。 GB/T 12842-1991 膜集成电路和混和膜集成电路术语 GB/T12842-1991 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国国家标准
膜集成电路和混合膜集成
电路术语
Terminology for film integratedcircuits and hybrid film
integrated circuits.
主题内容与适用范围
本标准规定了膜集成电路和混合膜集成电路的术语，GB/T 12842—91
本标准适用于膜集成中路和混合膜集成电路的生产、使用科研、教学和贸易，2基础术语
2.1通用术语
2.1.1 微电子学
microclectrunics
研究高度小型化电子线路的构成和应用的学科。2.1.2微电路
micracircuit
具有高密度等效电路元件和(或)部件，并可视作独立件的微电子器件。注：微电路可以是徽型组件或集成(微)电路，2.1.3集成电路
integrated circuit
若下电路元件不可分割地联在一起，并月在电气上互连，以致在规范特性，试验，贸易和维护方面,被视为不可分割的电路。
注：本定义的电路元件没有包封：也没有外部连接：并且不能作为独立产品规定技术要求或销售。2.1.4
集成微电路
intcgrated mietocircuit
若十电路元件不可分割地联在一起，并且在电气上互连，以致在规范特性、试验、贸易和维护方面，被视为不可分割的微电路。注：见2.1.3中注。
富东不会误解的情况下，术语“集成微电露\可简写为“集成电路”③为了说明制造具体集成电路所应用的技犬,可逊一步宋用限定语。例如：半导体单片案成电路；
平导体多片集成电璐；
膜集成电路
厚膜集成电路：
滤合集成电略。
国家技术监督局1991-04-28批准1991-12-01实施
2.1.5微型组件
micro-assembly
GB/T12842--91
出各种独立制造，并能在组装和封装前测试的元件和(或)集成微电路组成的微电路：注：①本定义的元(器)件有外部连接,也可有包封，且可以作为独立产品规定技术要求和销售。②为了说明制造具体微型组件所应用的技术，可进一步采用限定语。例如；半导体多片微型组件；
分立元器件微型组件。
2.1.6微电路模块
microcircuit module
能实现一种或多种电路功能的微电路组件或微电路和分立元器件构感的组件，这种组件在特性测试、贸易和维护上是一个不可分割的整体。2.1.7半导体集成电路
semiconductor integrated circuit在半导体内部和.上面形成元件和瓦连的集成电路。2.1.8膜集成电路
film integrated circuit
元件和互连均以膜形式在绝缘基片表面上形成的集成电路。膜元件可以是有源或无源的。2.1.9膜微电路
film microcircuit
见1.1.8膜集威电路。
2.1.10多层膜电路
multilayer film circuit
至少用-层绝缘膜或间隙隔开的多层膜互连的电路。2.1.11混合集成电路
hybtid integrated circuit
由半导体集成电路与膜集成电路任意结合，或由任意这些电路与分立元件结合而形成的集成电路。
2.1.12混合微电路
hybrid microcireuit
见1.1.11混合集成电路
2.1.13多片微电路
multichip microcitcuit
在一块基片上分别组装数个芯片元件的微电路。2.1.14混合膜集成电路
hyhrid film integrated circuit至少含有…个封装或末封装外贴元器件的膜集成电路。2.1.15半导体芯片混合膜集成电路stmiconductor chip hybrid filn integrated circuit一种含有一个或多个未封装半导体器件的混合膜集成电路。2.1.16无源混合膜集成电路
passive hybrid film integrated circuit全部元件为无源元件的混合膜集成电路。2.1.17有源混合膜集成电路
GB/T12842-—91
active hybrid film integrated circuit至少含有个有源器件的混合膜集成电路。2.1.18定制电路
custom clrcuit
为满足用户特定需要而设计和制造的电路。半成品电路
2. 1. 19:
partly completed conponent of F and HFICs从生产线上提取的没有制造究的膜集成电路和混合膜集成电路，它不能使用正常成品的规范进行全面评价，
2.1.20膜网络
film network
由淀积在基片上的薄膜和(或)厚膜元件及互连线组成的电了网络。多层膜网络
nultilayer rilm network
由多于一层的膜互连，并且最少被一层绝缘膜或问隙分隔开的网络。2.1. 22
梯形网络
ladder network
从最高阻值到最低阻值按·-定比率减小的一系列膜中阻构成的网络。固定电阻网络
fixed resistarnetwark
将若干电阻元件不可分割地联在一起，并且在电气上互连，以致在规范特性，试验、贸易和维护方面，被视为不可分制的两络。2.1.24膜
以任何一种淀积工艺,在固体基片上形成的固体层。2.1.25箱
不依赖基片能够独立进行加工的固体膜。2.2电路元件和结构
2.2.1电路元件
circuit element
在集成电路中完成某种电功能的有源或无源元件。2.2.2有源元件
active element
一种主要对电路提供整流，开关和放大功能的元件。注：有源元件在电路中，也可以提供电阻或电容功能，或者是将外加能量从种形式转化为另种形式。例如：二级管、晶体管、半导体巢成电路、光敏半导律器件和发光半导体器件。2.2.3光源元件
passive clement
一种主要对电路提供电阻，电容或电感功能，或以上这些功能组合的元件。注例如电阻器、电容器、电感器、滤波器和互连导电带2.2.4分立元件
discrcte elcment
GB/T12842—91
在结构上独立的单个元器件。例如电阻器、电容器和晶体管，2.2.5片式元件
chip component
是种尺寸小，引出端形式适于混合集成电路或印制电路表面组装的元（部)件。2.2. 6片式电阻器
chip ristr
是-种尺寸小，引出端形式适于混合集成电路或印制电路表面组装的固定电阻器。2.2.7片式电容器
chip capacitor
是--种尺寸小，引出端形式适丁混合集成电路或印制电路表面组装的固定电容器。2.2.8外贴元件
added component
在机械上和电气上与基片连接的元(部)件。2.2.9膜（式)元件
filmclement
用厚膜技术或薄膜技术制作的元件。它可以是尤源的，也可以是有源的，如膜电阻器、膜电容器、膜电感器、膜品体管等。
2.2.10芯片
无外壳并且一般情况下无引线的电子元件，可以是无源的或有源的，分立的或集成的。2.2.11 半导体器件
semiconductar device此内容来自标准下载网
基本特性是由于载流子在半导体内流动的器件。2.2.12梁式引线器件
beatn lead device
具有架式引线的器件（粱式引线见2.2.17条）。2. 2. 13
microstrip
通常指陶瓷基片上的微被传输元件。2.2.14膜导体
film conductor
利用厚膜或薄膜工艺在基片上淀积导电材料而形成的导体。2.2.15金属化层
metallization
淀积在基片上用来把电子元件连接起来的(单层或多层)导电膜图形，或是在基片上形成焊区部分起着电连接和机械连接作用的金属膜层，2.2.16引出
tetmination(terminal)
为集成电路提供外部电气通路的导体（例如引线、焊接片和焊接区等）。2.2.17梁式引线
heamlead
种长引线，在其长度方向上没有任何支撑点，并受到曲力的作用，其一端固定连接作器件的感片上，另一端可与别的材料相连，以形成电连接和(或)机械支撑。2.2.18内连线
intraconnections
GB/T12842
在同一基片上的电路内制作的导体连线。2.2.19搭接区
avetlap
两种膜层互连重选的部分。如电阻膜和膜导体之间的接触区。2.2.20通孔
介质层中的小开Ⅱ,通过它形成垂直通骼。2.2. 21
erossover
两条金属化导线无电接触的相互交错，它是通过在交错区的两导线之问淀积绝缘层来实现的。2.3基片与材料
2.3.1 基片
substrate
构成膜电路元件和（或)外贴元件支撑基体的片状材料。2.3.2
多层基片
mulilayer substrates
可以制造复杂电路，埋有多层导体的基片。2.3.3被釉基片
glazed subsirate
为使基片表面平滑和无细孔，在其上数有层皱璃轴的基片。快速分离基片
snapstrate
一种带有槽的基片，能够同时淀积多个电路，并能快速分离。2.3.5低损耗基片
low-loss substrate
具有高射频电阻的基片，当用于微波集成电路时，吸收能基很小。2.3.6金属陶瓷
cermet
由微细的金属和介质粉料充分混合制成的均匀固体材料高K陶瓷
bigh-K ceraric
-种呈现高介电常数的陶瓷介质材料（常用BaTi0,)。其电压和温度关系是非线性的。2. 3.8导电胶
conductive adhesive
为增加电导性而加有金属粉卡的一种粘合材料。例如导电环氧树脂。
2.3.9阻焊剂
sulder resist
用于定位和控制焊接面积人小的一种材料。2.47.艺、性能和参数
2.4.1直接金属掩模
direct metal mask
GB/T12842--91
将金属片直接蚀刻成图形的一种掩模，2.4.2粘片
bonding die
采用环氧树胎低共熔合金或焊料合金，将半导体芯片外贴到基片上的工艺过程。2.4.3多层布线
multilayer wiring
在绝缘基片上，采用厚，薄膜工艺或其他工艺，交送制作导电图形和介质图形，各导电层之间通过介质中的通孔实现连接，从而构成多层布线结构。2.4.4分步重复
step-and-repeat
把导体或电阻器图形，以均匀间距方式多次重复排列在单一的膜层或基片上的一种工艺。2.4.5钝化
pusyivation
点接在膜电路或其元件上面形成一种绝缘保护层的过程。2.4.6热设计
thermal design
从膜电路内部到散热片功率耗散的热流路径的设计。2.4.7热处理
heat treatment
在适当条件下对膜元件进行加温处理的种工艺，其月的是消除膜的内应力，提高稳定性。2.4.8功能微调
functional trimming
对处于工作状态的电路中的元件(通常是电阻器)进行微调使输出电压或电流达到规定值。2.4.9温度跟踪
tenperaturc tracking
在同一个电路中的两个相似元件，随着温度的变化，其值很一致地改变，则认为这两个元件跟踪良好。
2.4.10无应力
stress free
材料中的应力在规定值以下，可以认为是无应力。温度降
thermai drop
界面两边或材料两点间的温差。2. 4. 12
温度梯度
thermal gradient
在被加热材料的表面上或厚度上两点间的温度变化曲线。2.4.13热失控
thctmal runaway
指器件产生的热使器件热生成加速的状态。通常在达到使器件损坏的温度之前.热损耗的这种螺旋式上升过程将持续下去。
2.4.14针孔
pinhole
GB/T12842—91
完仑穿透膜元件如金属化膜或分质膜，作为一种缺陷出现的小孔。2.4.15电迁
electramigratian
在大电流密度下，金属膜发生的一种质量迁移现象。2.4.16起皮
scaling
膜层从基片上剥离。
最坏情况分析
worst-case analysis
在容许的极限温度，湿度等条件下,分析电路功能,以便确定对输出参数可能产生的最坏影响。2.4.18电容温度系数
temperature coefficient of capacitance (TCC)电容器的容量随温度的相对变化量。通常以一定温度范内的平均相对变化量表示，单位为10-6/℃
2.4.19电阻温度系数
temperature coefficient of resistance(TCR)电阻器（或电阻材料)阻值随温度的和对变化鼠，通常以一定温度范围的平均相对变化量表示，单位为10-8/℃。
2.4.20电容密度
capacitance density
单位有效而积的电容量，
2.4.21比容（片电容率）
sheet capacity
见2.4.20电容密度。
2.4.22膜电阻功率密度
power density of film resistor膜电阻器单位面积耗散的功率，以W/cm\黄度。2.4.23按地面
ground plane
基片表面上或埋人基片内的导电层,它可把若干点连接到一个或多个接地电极上。附着力
2,4-24
adhesian
一种材料附着在势一种材料上的能力。2.4.25方电阻
sheet resigtance
电阻膜层的长度等于宽度时的阻值，用2/表示2.4.26方数
number of squares
膜电阻器图形的线长和线宽之比。2.4.27
线分辩率
line definition
能产生清晰膜图形的最小线条宽度2.4.28熔析
leaching(scavenging)
GB/T12842—91
在焊接中，被焊接的材料熔化到熔融的焊料中。2.5焊接、封装和检验
2.5.1键合
完成，一种永久性的电和（或)机械功能的互连。2.5.2再流焊
reflow suldering
在焊接以前，先加上焊料。要焊接的部分连接焊料并同时加热，使焊料重新熔化而实现的焊接。2.5.3平行缝焊
parajlcl gap solder
让大电流通过两个平行电极之间的高阻缝隙，使焊料熔化而形成电连接2.5.4平行缝熔焊
parallel gap weld
让大电流通过两个平行电极之间的高阻缝隙，利用电极对两个焊件加力，并加热到熔焊温度而完成的焊接，
2.5.5热压焊
thermocomprcssian bonding
利用压小和加热使界面的材料相互扩散而连接两种材料的1艺。2.5.6超声键合
ultrasonice bonding
利用超声能量和压力连接两种材料的工艺。2.5.7没焊
immersed solder
格焊接部位浸入熔化的焊料中而实现的焊接。2.5.8封装
encapsulationt
为抵抗机械、物理和化学应力，用某种保护介质包封电路和元器件的通用工艺。2.5.9装图
assembly drawing
·种显示所有元件和连线安装到膜电路适当位置的图。2.5.10金属-玻璃密封
metal-to-glass seal
在外壳引线和金属外壳之间的绝缘密封、是通过玻璃与两个金属部件上的氧化层键合而形成的。在这种密封中,玻璃与金属的膨胀系数应严格地匹配。2. 5. 11
embedding
采用能够固化的树胎制造埋置组件的壳体的工艺。例如：
铸塑；
浇藻；
浸涂；
连续模压。
2.5.12外壳（封装）
package
GB/T 12842
集成电路的金包封或部分包封，可提供机械保护、环境保护及外形尺寸。外壳可以包含或提供引出端，并对集成电路的热性能起作用。2.5.13片状载体
chip carrier
用于放置芯片的、周围具有金属化引出端的一种特殊封装结构。2.5.14保护涂层
protective eoating
一种涂在电路元件表面作为机械保护和防止污染的绝缘材料层。2.5.15封前目检
preseal visual
在电路封装之前,对整个电路进行目检的过程。2.5.16可焊性
solderability
导体与焊料浸润并且形成牢固结合的能力。2.5.17拉力试验
pull test
测量引线、互连线或导体的焊接强度的试验。2.5.18剥落强度
pecl strength
导电带和基片之间附着力的最度,试验是通过测量导电带从基片上拉脱所需的力来完成的。2.5.19推脱强度
push-off strength
在器件的··侧加平行于安装面的推力，把片式器件从它的安装区除去所需要的力。2.5.20热斑
hot spat
因散热不良而造成的局部高温区负载寿命
load Jife
器件能耐其满功率负裁的个延续时间。2.5.22评定水平
assessment level
反映用户所能得到的电路符台规范要求的保证程度，表示遥批试验，周期试验与抽样力案中的检查水平(IL)合格质量水平(AQL)的严酷度之间的平衡情况。2.5.23
能力鉴定电路
capability qualifying circuit(CQC)用来部分或全面评价中报能力的一种试验样品，它可以是专门设计的试样或正带生产的电路，也可以是以上两种电路的组合。2.5.24工艺试验样品
process test vehicle
一种试样。它不一定是一个微电路,但至少是被考核电路生产线上一个工序的代表,并且能够对该试样进行各种试验，以便证实一种或一种以上工艺过程控制的有效性。2.5.25筛选
screening
GB/T 12842—91
为了检测并剔除潜在的失效，对一个批量的全部产品所作的检验或试验。2. 5. 26返工
Tewark
在不合格的混合微电路上所进行的种工艺操作，其目的是修复所有不合格的特性，以满足合同，规范，图纸或其他已经批推的产品说明书的要求。2.5.27返修
repair
在不合格的混合微电路上所进行的一种工艺操作，其目的是使其功能恢复到可用的程度，但并不能完全消除其不合格性能。
3厚膜集成电路
3.1基础术语
3.1.1厚膜
thick filrn
通常以丝网印制和烧结方法在基片上淀积的膜。3.1.2厚膜技术
thick-film technology
将导体和（或）介质浆料，用丝网印刷工艺在绝缘基片上印制出所需图形，然后进行烧结，从而形成厚膜元件和布线的技术。
3.1.3厚膜集成电路
thick-film integrated circuit采用丝网印刷技术或其他有关技术形成膜的膜集成电路。3.1.4厚膜网络
thick -film network
通常由网漏印刷技术形成膜层的一种膜网络。3.2材料
3.2.1厚膜合成介质
thick film composition dielectric将瓷粉与低温玻璃混合·用厚膜工艺制成的介质。3.2.2玻璃料
是一种作为厚膜浆料成分的粉末状玻璃，烧结时既能便浆料本身各组分之间紧密粘结，也能使基片与浆料之间紧密粘结。
3.2.3底釉
underglaze
在网印电阻器之前，加到基片上的--种玻璃或陶瓷釉。3.2.4面釉
Qvergkaze
涂在元件上的玻璃涂层，通常作为机械的或电的保护层。3. 2.5浆料
ink (paste)
GB/1 12842—91
-种可印刷的厚膜材料，一般是由玻璃料、金属、金属氧化物和溶剂调制成的一种粘稠均勾悬浮液。
3.2.6有机载体
organic vehicle
指厚膜涂料中的有机溶剂。
3.2.7乳胶
emulsion
用丁涂敷丝网网眼的光敏材料。3.2.8粘合剂
binders
厚膜组分或未烧结基片中的添如材料，其作用是使它们在预烧时得到足够的强度。3.2.9丝网
gitk screen
一种紧網在框渠上的稠密筛网，用于承载有电路图形的乳胶膜，以网印膜电路。通常有不锈钢丝网和尼龙丝网。
3.2.10生瓷
已成型但还没有烧结的瓷片。
3.3工艺和性能
3.3.1预氧化
preoxidized
在配成电阻浆料之前，为达到要求的电阻率，将电阻金属粒子氧化的过程。3.3-2丝网印刷技术
screenprinting technigue
把浆料通过丝网压印判基片上形成膜的淀积技术。3.3.3接触印刷
contact printing
丝网几乎与基片接触的-种印刷方法,用于金属掩模印刷。3.3.4非接融印刷
off ontact nrinting
与接触印刷相反，对印刷机进行调整，使丝网和基片之间保持一定间隙，只有在刮板横过丝网运动时，丝网才和基片接触。
3.3.5烧结
fire(firing)
印刷好的厚膜图形经高温处理转变为最终形态的一种工艺3.3.6调整
trinuning
用喷砂、研磨或激光等手段使阻值达到标称值的一种工艺。3.3.7喷砂调阻
abrasive trimming
用精确控制的砂流（如氧化铝细流）直接撞击电阻表面，通过在电阻器上刻槽以增大阻值达到预定电阻精度，
3. 3. 8印刷参数
printing parameters
GB/T 12842 91
影响丝网印刷质量的因素，如不接触间隙、刮板速度和压力等。3.3.9印刷角
angle of attack
厚膜印刷机的刮板表面与丝网平面之间的夹角。3.3.10蜂值烧结温度
pcak firing temperature
由烧结曲线所决定的烧结周期中，厚膜浆料所经受的最高烧结温度。烧结灵敏度
firing sensitivity
由于峰值烧结温度变化而引起的被烧结膜特性变化的百分率，烧结灵敏度的单位用%/℃表示。
3.3.12塌
由于厚膜浆料涧开塌葬而引起厚膜图形分辨率降低的缺陷。3.3.13渗流
blceding
印制膜作干燥或烧结过程中横向扩展或扩散到邻区，超出印刷图形儿何尺寸的现象。4薄集成电路
4.1基础术语
4.1.1薄膜
thin Film
用真空蒸发、溅射及化学汽相淀积等生长工艺在基片上淀积的膜4.1.2薄膜技术
thin film technology
采用真空蒸发、溅射或其他薄膜工艺，在缔缘基片.上形成膜元件或膜电路的技术。4.1.3薄膜集成电路
thin-flm integrated circuit
采用真空淀积技术，也可辅以其他淀积技术形成膜的膜集成电路。4. 14
薄膜网络
thin film network
完全用真空沉积技术或在真空淀积技术后再使用其他增厚淀积技术形成膜层的一种膜网络。4.1.5叉指式薄膜电穿器
Interdigital thin film capacitor在同一平面上，两电极作成手指交叉状的薄膜电容器。4.1.6复合电阻膜
overlap resistot fitm
通过薄膜淀积工艺，使两层不同材料的电阻膜叠合在一起构成的电膜。4.1.7钼膜电路
tantalum filn circuit
采用真空溅射工艺，在绝缘基片上制作基薄膜阻容元件和互连所构成的薄膜集成电路。4.2T艺和性能
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