本标准规定了水平法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。本标准适用于水平法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感件等器件用。 GB/T 11094-1989 水平法砷化镓单晶及切割片 GB/T11094-1989 标准下载解压密码：www.bzxz.net

UDC 661.868.146-415
中华人民共和国国家标准
GB11094—89
水平法砷化镓单晶及切割片
Boat-growngallium arsenide singlecrystals andAs-cutslices
1989-03-31发布
国家技术监督局
1990-03-01实施
中华人民共和国国家标准
水平法砷化镓单晶及切割片
Boat-grown gallium arsenide singlecrystals and As-cut slices
1.主题内容与适用范围
GB11094—89
本标准规定了水平法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。本标准适用于水平法制备的化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用。
引用标准
GB4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和翟尔系数测最方法化合物半导体单晶晶向X射线衍射测量方法GB8759
GB8760化镍单晶位错密度测量方法3产品分类
3.1导电类型
产品按导电类型分为N型和P型，按电阻率分为低阻导电型和高阻半绝缘型。以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按位错密度分级，3.2牌号
单晶及切割片的牌号分别表示为：HBMGaAS--
阿拉伯数字与罗马数字组
合表示产品等级与等次
化学元素符号表示掺杂剂。
有两种掺杂剂时，元素符号
之间用“十”连接
水平法砷化镓单晶
中国有色金属工业总公司1989-02-23批准1990-03-01实施
HBMGaAs-
GB11094—89
阿拉伯数字与罗马数字组
合表示产品等级与等次
切割片
化学元素符号表示掺杂剂。
有两种掺杂剂时，元素符号
之间用“十”连接
水平法碑化镓单晶
若牌号表示不强调产品生产方法，产品不掺杂或不分级，则产品牌号中的相应部分可省略。3.3示例：
HBMGaAs-Si-1I表示水平法掺硅一级一等砷化单晶。HBMGaAs-Te-CS-1II表示水平法掺硫一级三等砷化镓单晶切割片。
4技术要求
4.1单晶
4.1.1水平法碑化镓单晶以(110)晶带的近<111)或<211)、《311和(331)等晶向生长。4.1.2低阻导电型单晶的导电类型、掺杂剂、载流子浓度、迁移率、位错密度和规格尺寸应符合表1的规定。
掺杂剂
载流子浓度
个/cm
1X1018~5×1028
8×1017~5×10l
8×10f~5×101
1×1015×101
1×1018~1×1020
1×10~2×101
8×101~5×1018
1×108~5×101
1×1017~2×101Www.bzxZ.net
5×10~2×101%
1×1018~5×1018
4X1015~1X1016
5×104~4X1015
1×101~4×1018
5×10181×1020
GB11094-89
迁移率
cm*/Vs
1300~2500
1300~2600
1300~2600
2000~3000
40~150
2000~3500
1300~2600
1300~2500
2500~3800
2500~3200
2000~3000
≥4500
100~280
40~100
位错密度
个/em
不大于
1×104
5×10*
晶锭宽度
高阻单晶的掺杂剂、电阻率、位错密度、晶锭宽度和长度应符合表2的规定。表2
掺杂剂
Cr或Cr+0
电阻率
1X105~9X10
1×105~9×10
1×10°~9×10%
1×10°~9X10
位错密度
个/cm2
不大于
1×100
2×104
5×10°
晶锭宽度
30～47
?30~56
4.1.4单晶按位错密度分为三级，每级分为若干等次，其数值应符合表3的规定。晶锭长度
不小于
晶锭长度
不小于
GB.11094—89
位错密度，个/cm
不大于
1×104
2×104
1×105
4.1.5对热稳定性有要求的高阻砷化单晶，其退火条件及热稳定性能由供需双方商定。4.1.6单晶截面为D形。单晶的一端或两端应按所要求的晶面切出基面，该面应平整。4.1.7单晶不得有气孔、裂纹和李晶线。4.2切割片
切割片的厚度为400~650μm，允许偏差不大于±20μm。4.2.1
切割片的晶面为（100）或（111），晶面偏离度应符合表4的规定。4.2.2
(100).(111)
偏高度
不大于
向(110)面偏16
4.2.3（100)和(111)面D形片如图1所示，其晶片尺寸应符合表5的规定（晶片面积S1或S2为参考值)。
晶片宽度W
(111)晶片高度℃
19.5~23.5
GB11094—89
（100）晶片高度B
(111)晶片面积S
（100）晶面的矩形片如图2所示，其规格为（10~45）mm×（10~30）mm。(oi)
(100）
(100)晶片面积S2
4.2.5（100）晶面的圆形片如图3所示，B和Ba分别表示主参考面（011)和副参考面（011）长度，D表示直径。圆形片尺寸应符合表6的规定（晶片面积为参考值)。oii
（100）
晶片直径D
GB11094—89
主参考面长度
副参考面长度B，
不大于
切割片表面应平整，不得有裂纹、李晶线和明显的切割刀痕。4.2.7
需方对产品如有特殊要求，由供需双方另行商定。5试验方法
5.1砷化镓单晶的导电类型、电阻率和室温霍尔迁移率的测定按GB4326进行。5.2砷化镓单晶晶向测定按GB8759进行。5.3砷化傢单晶位错密度的观测按GB8760进行。5.4产品的外形尺寸用精度为0.1mm的游标卡尺和精度为0.01mm的干分尺测量。5.5产品的表面质量用目规检查。6检验规则
晶片面积
6.1产品由供方技术监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。6.2需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准规定不符时，在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6.3产品应进行导电类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、晶向和外形尺寸的检验。6.4单晶从两端按所需晶面切片取样检验。6.5切割片以每根单晶所切得的晶片组批，其参数以单晶两端取样检验数据为准。若需对产品其他部位取样检验，由供需双方另行商定。6.6如检验结果有一项不合格，则加倍取样对该不合格项目进行复验，若复验结果仍不合格时，则该产品为不合格。
7标志、包装、运输和贮存
7.1每根单晶装入聚乙烯塑料袋内，再置于适宜的包装盒中，四周用软物塞紧，以防损伤。7.2切割片分片放入带有分格的特制的厚泡沫塑料中，再置于适宜的包装盒内，四周用软物塞紧，以防破损。
7.3产品外运时，将装有产品的包装盒置于木箱内，四周用软物塞紧，钉盖固紧。箱内应附装箱单，注明：供方名称、产品名称、产品批号和件数、产品净重和需方名称。外包装箱上应注明：产品名称、产品牌号、批号、产品净重、供方名称、生产日期、需方名称，并有“小心轻放”和“防潮”等字样或标志。7.4每批产品应附有质量证明书，注明：供方名称；
产品名称；
产品牌号；
产品批号：
产品净重或面积；
各项分析检验结果及检验部门印记；本标准编号；
h。出厂日期。
GB11094—89
7.5产品在运输过程中要防止碰撞、受潮和化学物质腐蚀。7.6产品应存放于干燥和无腐蚀性气氛处。附加说明：
本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所提出。本标准由北京有色金属研究总院负责起草。本标准主要起草人尹庆民。
中华人民共和国
国家标准
水平法砷化单晶及切割片
GB11094—89
中国标准出版社出版
（北京复外三里河）
中国标准出版社北京印刷厂印刷新华书店北京发行所发行，各地新华书店经售版权专有不得翻印
开本880×12301/16印张3/4字数130001990年7月第一版1990年7月第一次印刷印数1-2000
定价0.75元
书号：155066·1-7270
标百141-11
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。