本空白详细规范规定了制订《PIN二极管》详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。 GB/T 12562-1990 PIN 二极管空白详细规范(可供认证用) GB/T12562-1990 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国国家标准
PIN二极管空白详细规范
Bhank detail specification fo PIN diodes（可供认证用）
GB/T 12562—90
本空白详细规范规定了制订《PIN二极管详细规范的基本原则，制订该范内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
本空白详细规范是与 GB 4589.1t半导体器件分立器件和集成电路总规范\和 GB 12560半导体器件分立器件分规范有关的一系列空白详细规范中的一个。要求资料：
下列所要求的各项内容、应列入规定的相应空栏中。详细规范的识别：
（1）授权发布详细规范的国家标准机构名称，(2）1ECQ详细规范号。
（3）总规范号和年代号。
（4）详细规范号发布日期和国家体系要求的任何更多的资料。器件的识别：
(5）器件类型的简略说明。
（6）典型结构和应用资料。
如果设计一种器件满足若干应用，则应在这里指出。这些应用的特性、极限值和检验要求均应予以满足。
（7）外形图和（或）引用有关的外形标准。(8）质量评定类别。
(9）能在器件型号之间比较的最重要特性的参考数据。国象技术监督局 19 9 0 - 12 - 0 6批准1991-10-01实施
评定需件质量的根据;
GB/T 12562—90
GB 4589.1t半导体器件
分立器和集成
电路总规范》
GH12560《半导体器件分立器件分规范》洋细规范：
【有关器件的型号】
订货资料：见本规范第了章
1机械说明
外形标准：
外形图：
可以转到本规范的第10章给出详细外形图了
引出蹦识别：
【图形所示电极的规定包括图示符号】标志：字母和图形或色码
【如果可能，详细规范应规定在器件上需标记的内睿了
［见GB4589.1的2.5条和（或）本规范的第6章门
［极性识别，果采尾特殊方法］[IECQ 详细规范号、版本号和(或)日期)详细规范号
2简略说明
PIN 二极管
半导体材料·硅.…
封装：空腔或非空腔
用途：
3质量评定类别
[根据 GB 4589. 1的2. 6条］
参考数据
按本详细规范鉴定合格器件的有关制造厂的资料见现行合格产品一览表，(2)
【整个空白规范中，在方括号内给出的内容仅供指导制订详细规范时用，而术包括在详细规范中。】【整个规范中，×表示应填入详细规范的数值。］4极限值（绝对最大额定值）
GB/T 12562.--. 90
除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。只重复使用带有标题的条文号。任何附加值在适当的地方给出，但没有条文号。【曲线最好在本现范的第10章给出。】条文号
工作环境温度或管壳温扇
贮存温度
反向电压
反向直流电压
向峰值电压(适用时)
在规定的脉冲条件下
正向电流（适用时）
最大正向直流电流
功率耗散（适用时）
【应规定适用条件和(或安装的特殊要求】或与温度有关的最大功率耗散
（曲线见本规范第10章）
最高有效(等效)结温和
功率耗散的绝对极限值
5电特性(检验要求见本规范的第8章）符号
最小值
【只重复使用带有标题的条文号，任何附加特性应在适当的地方给出，但没有条文号。］值
最大值
【当在同一详细规范中规定了儿种规格的器件时，有关的值应以连续方式给出，以避免相同值的重复，
［曲线最好在本规范第10章给出。］条文号
反向电流
特性和条件
除非另有规定,Tmb或 Tea=25 ℃在规定反向直流电压（最好在Ve1mx）下反向电流
在规定的反向直流电压 V2和高温下正向电压（适用时)
在正向电流 I(直流或规定的脉冲)下电容
总电容
最小值
最大值wwW.bzxz.Net
试验分组
条文号
结电容
GB/T 12562—90
特性和条件
除非另有规定,Tamb或 T==25 C
反向恢复时间(适用时)
在规定条件下
载流子寿命（适用时）
在规定条件下
正向微分电(适用时)
在规定的条件下
申联电阻(适用时）
在规定的条件下
串联电感\(适用时)
在规定的条件下
封装电容\
热阻（适用时）
在引用有效结温为额定值时,给出结到环境的最大热阻
结到替壳的最大热阻
注：1）典型值，不作检验用。
6标志
Rrua(i一mm%)
最小值
最大值
试验分组
[除了前面(7)栏（第1章)和GB4589.1的2.5条给出的外，任何其它特殊资料应在这里规定。］7订货资料
（除非另有规定，订购一种具体器件率少需要以下资料：准确的型号；
当有关时，带版本号和（或）日期的正CQ,详细规范标准一质量评定类别（按GB4589.1的2.6条的规定.如果要求，筛选顺序按GB12560的3.6条的规定：
任何其它细节。］
8试验亲件和检验要求
【下表中给出试验条件和检验要求，其中所用数值和确切的试验条件应按照给定型号和有关试验，测试标难的规定。
【填写详细规范时，应确定选择哪些替换试验方法。］【当在同·-详细规范中包括几种规格的器件时，有关条件和（或)数值应以连续的方式给出，其中尽可能避免相同条件和(或)数值的重复。GB/T 12562—90
（抽样要求按照适用的质量评定类别，参照或重述GB12560的3.7条的数值。对于A组，在详细规范中应选定 AQL 或 LTPD 方案,J
在本章中除非另有规定，引用的条文号对应于GB4589.1的条文号。测试方法引自GB6570微波二极管测试方法》和 GB 6571&小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法》。A组-
全部试验都是非破坏性的（3.6.6)符号
检验或试验
A1分组
外部目检
A2a分组
不工作器件
A2b分组
反向电流
正向电压
(适用时）
和(或)
正向微分电阻
(适用时)
总电容
.结电容
A3分组
引用标准
4. 2. 1. 1
GB6570，
GB 6571
GB6570,
GB 6571,
GB 6570,
GB 6571,
GB 6570,
一逐批
除非另有规定，Tb或T=25℃
Vr=［规定值”
=【直流大电流或脉冲，按规定】s=[规定值，f=［规定值
—［规定值}」—［规定值}
【按规定】
检验要求极限
最小值
最大值
极性颠倒：
Ve2_l0 Vrma]
I[100IRim
［除非另有规定］
检验或试验
串联电阻
适用时）
反向恢复时间
（适用时）
载流子寿命
(适用时）
GB/T 12562—90
引用标准
OB6570,
GB6570,
GB 6571,
2. 1. 4. 2
GB6570
除非另有规定，T或Tem—25℃
［规定值】,f［规定值]
【按规定】
【按规定】
B 组-—逐批
标注(D)的试验是破坏性试验(3.6.6)。检验或试验
BI分组
B3分组
（适用时）
引出端强
.弯曲(D)
（适用时）
可焊性
15分%
温度婆化
继之以
交变湿热
(对非空腔器件）
最后测试：
A2b分组
（对空腔器件）
引用标准
检验要求极限
最小值
LSL=规范的卜限】
USL=规范的上限
最大值
根据A组
检验要求极限
除非另有规定，T或T—25℃
GB 49371
GB4937，
GB2423.42
GB 4937,
力[见 GB 4937的2. 1. 2]
【按规定，忧先采用焊槽法】
(按规定】
【按规定］
按A2b分组
【按规定］
最小值
最大值
见本规范第1章
无损伤
润湿良好
同A2b分组
检验或试验
B8分组
电耐久性
最后测试：
反向电流
正向电压
或(和)
正向微分电阻
CRRI.分组
引用标准
GB49383)
GB6570,
GB6571
GB6570,
GB 6570,
GB/T 12562—90
除非另有规定,Tamb或 Ts—25 C工作寿命：168h
按A2b分组
按A2b分组
按A2b分组
就1B3、B4,B5和B8分组提供计数检查结果注：1）GB 4937半导体分立器件机械和气候试验方法。2）GB 2423.4电工电子产品基本环境试验规程试验Db，交变热试验方法多。3）GB4938半导体分立器件接收和可靠性8。C 组 -—周期
只有标明(D)的试验是破坏性的(3. 6. 6)。捡验或试验
C1分组
C2b分组
反向电流
引用标准
GB 6570,
GB 6571,
检验要求极限
最小值
LSL一规范下限
USL一规范上限
最大值
1, 2USL
根摄A组
检验要其授限
除非另有规定，Tmh或T=25℃
VR—［规定值】
温度【高温）
最小值
最大值
见本规范的第|章
捡验或试验
C2d分组
(适时)
C3分组1
引出端强度
拉力(D)
和(或）
C4分组
(适用时）
耐焊接热(D)
最后测试：
同A26分组
C6分组
冲击或振动
继之以
恒定加速度
（适用时）
最后测试：
同A2b分组
C.7分组
(适用时)
稳在醍热(D)
交变虚热(D)
(用于非空腔器件）
最后测试：
同A2b分组
引用标准
GB 6570,
CB4937,
GB4937，
GB 4937,
GB 4937,
2.4或2.3
GB 4937,
GB/T12562—90
除非另有规定，T或T-25℃
【按规定］
力—［规定值】
力—【规定值}
【按规定】
按 A2h 分组
【按规定］
【按规定】
按A2b分组
【按规定］
GB2423. 4
【按规定】
按 A2h分组
检验要求极限
最小值
最大值
无损伤
同 A2b分组
同A2b分组
按规定
检验或试验
C8分组
电耐久性
最后测试：
同B8分组
C9分组
高温贮存(D)
最后测试：
同B8分组
CRRL分组
！引用标准
GB493823
[GB1937,
GB/T 12562—90
除非另有规定,Tmb或 Tm= 25 C
工作寿命：至少」000 h
按B8分组
在最高贮存温度下至少1 000 h
按B8分组
检验要求极限
最小值
最大值
同B8分组
同B8分组
就C3,C6，C9分组提供计数检查结果，提供C8分组试验前后1a和Vel或：的计量检查结果
注：1）对于特殊外形,例如超小型器件可以不要求。2）G 4938半导体分立件接收和可禁性。9 D 组——整定批准试验
【当要求时，本试验应在详细规范中规定。」10附加资料(不作检验用）
【只要规范和器件便用需要，就应给出附加资料，例如：-与极限值和电特性有关的曲线；一测量电路或补充方法的完整说明；一详细外形图
附加说明：
本标准由中华人民共和国机械电子工业部提出。本标准由机械电子工业部电子标雄化研究所负责起草。本标准主要起草人金贵永。
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