本分规范适用于已封装的半导体集成电路，包括多片集成电路，但不包括混合电路。 GB/T 12750-1991 半导体集成电路分规范 (不包括混合电路) (可供认证用) GB/T12750-1991 标准下载解压密码：www.bzxz.net

1范围
中华人民共和国国家标准
半导体集成电路分规范（不包括混合电路）Sectional specification for semlconductor integratedcircuits excluding hybrld circuits（可供认证用）
GB/T 12750—91
本分规范适用于己封装的半导体集成电路，包括多片集成电路，但不包括混合电路。2总则
本规范应与有关的总规范·起使用，并为评定包括数字、模拟及接口电路在内的半导体策成电路规定了质量评定程序、检验要求、筛选顺序，抽样要求、试验和测量程序的详细内穿。所有用确定工艺制造的器件允许应用\能力批准程序”（见QC001002《程序规则》11.7条，但目前巢成电路的“能力批准程序”尚在考虑之中来代替“鉴定批准程序”如果需要且技术上可行，则对用上述确定工艺生产的任--型号或一组型号产品可以补充应用质量一致性检验规则<见GF4589.1&半导体集成电路总规范\3.6条及本规范59章）。本规范的所有要求在未被新条款“能力批准程序”(在考中)的要求修改前，将继续有效。2.1有关文件
GB1589.1半导体集成电路总规范2.2温度推荐值
见1EC748-1《半导体器件集成电路第1部分总则》第V章第5条。2.3电压推荐值
见IEC748-1第章第6条。
2.4与制造过程有美的定义
2.4.1生产线
生产线定义为一套工艺操作(包括一个或多个下述制造阶段）：、扩散；
b、芯片制备：
c.装配；
d。最终加工和最终电测量；
注：这些阶段不含质量评定程序。（1) 扩散
该阶段为制造的初始阶段到划片前最后一道工序这一制造工艺操作过程。(2)芯片制备此内容来自标准下载网
该阶段为将晶片划分成芯片的制造工艺操作过程。就本规范而言，按制造厂情况，可将这一阶段划入扩散阶段或者装配阶段。
（3）装配
国家技术监督1991-03-21批准
1991-11-01实施
GB/T 12750—91
该阶段为粘片、引线键合和封装这一组制造工艺操作过程。（41）最终加工和最终电测量
该阶段为批放行前的最后制造工艺操作过程，包括：电镀在内的引出端后处理（如有的话)：b.
深覆；
标点：
最终电测量
（5）筛选（如适用）
筛选可作为装配和(或)最终加工的组成部分，其定义见第8章。2.4.2生产批
生产批通常由一周内在相尚生产线上通过相同工艺制造的相同型号的器件组戏。2.4.3制造过程的史改
（1)重要更改的定义
对于按已批准的规范供货的产品而言，能影响产品质量或性能，或会使产品从器件的一个结构相似组转到另·个（新的或已存在的)组（见第6章）的工艺或技术的任何改变均视为重要更改，检查长右责任确定是否属十重要史政。
在小面第(3)条里给出了重要史收的一些示例。(2）有重要史改时的程序
必须将任何重要更改的通知书及证明保持质量的试验数据递交国家监督检查机构(NSI)。(3）单要央政示例
芯片粘接
山合金焊接变为环氧树脂粘接。改换设备旭未改变1艺,或者用预制金片代替镀金表面，均不能视为重要更改。b.品体钝化
从氨化硅变为二氧化硅
钝化层的顺序改变。
钝化层的淀积方法改变不能视为再要更改。c.
外完材料
…从陶瓷变为塑料，
从塑料A变为塑料B。
d．金属化
金属化层从金变为铅，
芯尺寸和(或)芯片版图设计
保护层和(或)挡层的采用。
f、键合
从热压变为超声；
一从金丝变为铝丝。
B-质册致性检验期的功能验证
试验方案中任何试验长骤的减少。3转包
当已批准的制造！涉及QC001002中1].1.2条有关转包的条款时，制造！应保证满足下述条件：转包的制逆丁艺可以是扩散工艺或者将筛选并入其内的装配工艺，装配后的筛选也以单独转包，GB/T 12750—91
而最终加工仪能与整个装配上艺除可以分别转包的电镀外(见上述2.1.1条))--起转包。国家监督检查机构应确知：
认证电了元器件质量评定体系(1ECQ)内器件的检查长已获取1FCQ地区外任--制造过程的全部评定和检验文件，包括每个受检样本的检验记录。一检查长定期核实接商定条件实施质量评定和检验的情况，当部分工艺从一·个制造场所转移到IECQ地区内的制造厂时，应向认证器件的检查长提供转移程序并取得他的同意。NSI应得到通知并收到有关文件。检查要求和制造程序的任何更改应向认证器件的检查长报告，而重要更改则应由检查长问NSI报告（见上述2.4.3条）。
批准的制造厂应按详细规范的规定对认证器件进行验收试验，也可在IECQ地区之外的工厂进行这些验收试验，只要该厂也得到NS1的监督，此外，验收试验也可以转包给IECQ地区内已批准的试验室。
4制造的初始阶段
本分规范中制造的初始阶段定义如下：4.1双极型器件
改变纯P型或纯N型单晶半导体材料的第一道工序。4.2单极型器件（如MOS,场效应器件）衬底的第一次氧化或衬底上的第一次淀积。5质量评定程序
5.1鉴定批准程序
一般应采用QC001002,11.3.1条方法(6),其抽样要求应符合本规范表7和表8的规定。然而，只要所采用的抽样要求在有的空白详细规范里有规定,则允许采用QC001002,11.3.1条方法(a)。
5.1.1捡验批
检验批的定义见 QC 001002,12.2条。此外,从中抽取样品用于 A,B和 C组检验的批应由相同生产线(见 2. 4. 1 条和 6. 2. 1 条)生,*的符合下述条件的器件组成：
一”A组和B组：一个检验批包括由检验批代码所表小的一个月内或连续4周内生产的器件。一C组：提交用期验的样品应是以连续3个月检验批代码或连续13周检验批代码所表示的3个月内制造的器件。
D组：提交周期检验的样品应是以连续12个月检验批代码或连续52周检验批代码所表示的12个月内制造的器件，
5.2能力批准程序
在考虑中，
6结构相似性程序
-般规则
6. 1. 1 月的
结构相似性程序丁减少应经受试验的检验批效量。6.1.2原则
对适用于一组器件型号的某项试验而言，如果遵循本章所述的以及适用于该项试验的结构相似性GB/T12750—91
·般和特殊的判别规则（见表1)，可对组内的一个型号进行该项试验，而获得的结果可认为代表组内所有的型号那些判据的确定系基于这样的原则，即对代表型号验证的一致性和可靠性为有关的那些型号至少提供了同样的一致性和可靠性保证。结构相似性不能用于A组检验中的电气试验和目检。6.1.3应用条件
（1）依次规定的试验和测量
结构相似性程序适用于单项试验。当依次规定几项试验时，应根据下述原则：对分组内一系列试验的结构相似性编组而言，其判别规则取决于全部试验中最本质的试，注：该原则用于B5/C5分组时，最本质的试验即为“温度快速变化”。(2）应用于质量评定程序
本结构相似性程序专门应用于质量评定程序，详细应用条件在第7章给出，6.1.4结构相似性一般规则
（1）可选一个型号作为一组型号的代表进行规定的试验，选取的型号在各周期可以不厕，仅取决于该周期内生产的型号。
(2）对组内所有有关型号，应允许采用相同的加速试验程序。（3）-组型号满是了特定的判别规则，如仍在特性上存在重大差异，则有关试验应选用能为该项试验提供最大失败风险的最临界的器件作为代表型号。（4）如果一个器件型号出现失效,则应认为与该代表型导有关的所有器件要变受影响。（5）如果器件按第8章程序提交筛选，且相同生产线采用了儿几种筛选顺序，则器件只能按其经受的相同筛避顺序分组。
6. 2结构相似性对应试验判别规则表1给出了适用于B组和周期检验的结构相似性对应试验判别规则。6.2.1条至6.2.18条对这些判别规则作了详细说明。使用表1的示例：
C3 分组要求进行引出端强度试验。对于该项试验，结构相似性有下列要求(见表1)：GB/T12750—91
(hl 'z
(6z*93
(8 zr9)
XXXXIX
cs9 1(9#
12*2-9)
6.2.1条—装配线
6.2.3条外壳门类
6.2.5条．-封装方法
6.2.6条——外线材料
6.2.7条—最终加工过程
GB/T 12750 -91
满足上述条全部要求的器件，对于“引线强度”试验而言，可视为结构相似。6.2.1生产线
器件应是在相同的扩散线和(或)装配线(见2.4.1条)上制造的。6.2.2外尧外形和尺
详细规范里规定的外壳外形和尺寸应相同。6.2.3外壳门类（见1EC191-3《半导体器件的机械标准化第4部分：半导体器件封装外形图类型的划分以及编号体系》规定的标准形式）从外荒门类的角度来考虑结构相似性，电路应安装于符合下述判别规则的外尧内：·相固工艺的外壳分类：
相同的引出端形式和标称截面；相同的单一形式,相同的标称尺寸和相同的引出端数。6.2.4外壳材料
外材料应相向，
6.2.5封装方法
用于密封的外壳密封方法或用卡非空封的材料和方法应相问。6-2.6线材料
用作外引线及涂层的材料应相问（另见6.2.7条）。6.2.7最终加工过程
不包括标志的方法(见6.2.8条)和最终电测量[见2.4.1条(4))，对一个完整器件进行的最终加工过理应想同，
6.2.8标志方法
标志的方法和外壳！采用的涂层应相同。6.2.9引端数
只要组内器件的最多与最少引出端数之差符合下述要求，就可构成单独-一组。：引出端数不多上24的外壳,差不大丁4;引出端数多于24的外壳,差不大于8。6.2.10内部连线材料及内引线键合内部连线的材料和标称截面应和同。形成内引线键合的材料和方法也应相同。6.2.11芯片粘接
粘片所用的材料和方法应相同。6.2.12芯片面比
一组器件内最人与最小芯片面积比应不超过2。6.2.13芯片制造工艺
成接相同下艺生产芯片，即，
基本技术和基本[艺相同(如肖特基,NMOS、CMOS 等);-钝化类型相同；
：版图设计规则和设计数据相同；执行基本功能的单元相同；
金属化方法和材料相同；
衬底材料和性能相同。
6.2.14密度
GB/T 12750 :91
器件的密度为单元数与芯片面积之比，按下式给出：单元数
芯片面积
单元的定义并不重要，只要应用结构相似性规则时，组内各型号均采用相同的定义即可。有关型号的密度与受试器件密度之比应小于2，6.2.15工作电源电压
族规范和(或)详细规范规定的工作电源电压应相同。6. 2. 16 工作温度范用
族规范和(或)详细规范规定的工作温度范围应相同。6.2.17功能或电特性判据
该判据意味着应满足下述两个要求：．在·个结构相似性编组里，所有的器件型号都应规定在同一空白详细规范及同一族规范（考适用)里，
若适用，对代表型号及有关的型号均有效的特定功能或电特性判据，按空白详细规范和（或）族规范的要求。
6.2.18功耗
有关型号与受试器件功耗之比通常应小丁1.2，然而，该比值也可以提高，只要有关型号结温的升高不超过 5 （即可。
7组和分组
各组试验应按下表：
注：1）一年进行一次,但可焊性每 3个月一饮。2）提交该组试验的样品应预先通过A组和B组检验。1类
包含在分红里的特性在空白详细规范里规定，并在IEC748号标准有关部分的第直章“额定值和特性”中已强制性地列人。
GB/T12750—91
检验或试验
外部目检
25下的功能验证（若无其他规定）(不适用于1类）
最高工作温度下的功能验证\
（不适用了1类）
最低工作温度下的功能验证\
25【下的前态特性
最高工作温度下的静态特性\
最低和最高作温度下的静态特性25℃下的动态特性《若无其他规定）(不适用于1类）
最高 T作温度下的动态特性\)
（不适用于】类）
最低工作温度下的动态特性\
试验条件
GB 4589, 1.4. 2. 1. 1
按详细规范规定
见有关标准
注：1）如果制造厂能定期见表1注1)证明两个极限温度下的试验结果与25下的试验结果相关（见12.5条），则制逆厂可以使用25C:下的试验结果。在选择该力法时，应来用25C下有关试验分组的抽样方案。表3
[1 类情况见 GB 4589. 1,2. 6 条]分组
检验和试验
电额定值验证
温度快速变化
1。空封器件
温度快速变化
电测试
密封，细检漏
率封,粗检
引用标准
GB 4589. 1,1. 2. 2,附录 B
览有关标准
GB 4590半导体巢贼电路机械
和气候试验方法、2.5
GB 4590,3. 1
见A2和A3
GR 4590,3. 11 或 3. 12
GB 4590,3.13
越规定（适用时）
接规定
！10次循环
同A2和A33
按规定
验验和试验
h.非空封和环辑
赶的空封器件
温度快速变化
外部目检
稳态湿热
电测试
电耐久性
教行批证明记录
注：1）将为“强加速湿热\取代。GB/T 12750—91
续表3
引用标准
GB 4590,3. 1
GB 4589, 1,4. 2. 1. 1
GB 4590,3,71)
见 A2 和 A3
见有关标准
2)空白详细规范可允许减少A3分组试验项目。表4
检验和试验
环境温度下的电特性
最高和最低工作温度下的电特
电额定值验证；瞬态能量癫定
引出端强度
耐焊接热
引用标准
GE 4589. 1,4. 2. 2,附录 B
见有关标准
见有关标准
见在关标准
GB 4590,2. 1,2.2,2.3,2. 4
GD 4590,2. 6
10欧循环
严格度 A,24 b
同A2和A32)
168 h,条件按本规范 12. 3 条及（适用时)12.4条的规定：
按空白详细规范的规定，给出让数检查资料
按规定
按规定，如极限温度下測量
按规定
按相应封裁规定，如拉力或转矩按规定
检验和试验
温度快速变化2”
a.空封器件
温度快速变化
电测试
舜对，细检
密封.粗检漏
b.非空封和环氧
封的空势器件
温度快速变化
外部日检
稳态湿热
稳态加速度（用于空封器件）的稳态湿热
a、空封器件2）
b，非空封和环氧
封空封器件
电溅试
电耐久性
高温贮存
标志耐久性
放行批证明记录
GB/T12750—91
续表 4
引用标准
GB 4590.8. 1
见A2和A3
GB 459U.S. 11
QB4590.3,13
GB 4590,3.1
GB 4589. 1,4. 2. 1, 1
GB 4590,3. 74)
见A2和A3
GB 4590,2. 10
GB 4590,3. 6
GB 4590,3.7
见 A2 和 A3
见有关标推
GB 4590,3. 3
GB 4690,4. 3
10次循环
同A2和A33
按规定
按规定
500次循环
严格度 A,24 h
同A2和A3
按规定
严格度: I、重类为 56 d，1 类为21 d
严格度A
偏置：按详细规范规定
时间：、显类为！000h，「类为500h
同A2和A32)
时间: I 000 h,条件按本规范
12.3条及(适用时)12. 1 条的规定
1 000 h,温度按规定
方法1
按空白详细规范的规定，给出计数检查资料
注：1）若适用,应在本规范 C2b分织定期验证相关性(见本规范 A2e,A2b、A3a,A3b,A4a,A4b)。2）在连续3饮通过该试验后，周期可放宽为-年次。3)空白详细规范可充许减少A3分组试验项目。1）将为\强如速湿热”取代。
电耐久性
检验或试验
GB/T 12750..91
引用标准
1 类,不适用
I类.2000 h
血类:3 0心 h
茶件：接本规范12.3条及（适用时>12-4条
注；如详细规范规定进行D组试验，则D组试验应在鉴定批准府立即进行，其后…年进行一次。8筛选
当详细规范或合同规定了筛选时，应按表6对生产批中所有器件进行。筛选通常在A,B、C组检验之前进行。若在满足了逐批的A组、B组和周期的 C组检验要求所进行筛选，则成重新进行可焊性、密封和组捡验【另见本规范6.1.4条（5）)。空白详细规范可以规定筛选斥需要增加的试验。
筛选顺序应按表6规定。
检验或试验
内部目检
高温稳定
温度快速变化
稳态加速度
(老化前)电测盘
（老化前)电测量
引用标准
GB 4590,3. 1
GB 4590,2.10
GB41590,3.11或
3.12以及3.13
见有关规范
比有关规范
在考虑中
时间和温度按详纽
规范规定
按详细规范规延
在最严格的方向上；
加速度大小按详细
规范规定
方法3. 113. 12
随后方法 3. 13
如果详细规范要求
部分参数(变量),剔
除不合格品
如果详细规范要求
部分参数(属性),剔
除不合格品
检验或试验
(老化后)电测量
GB/T12750—91
续表6
引用标
见有关规范或按详
细规范规定
见有关规范
按详细规范规定，
时间：
除非在空白详细规
范中另有规定
按 6A 或 6B 规定,剔
除不合格品
注：1）除非逆细规范丹有规楚，否则不适用于非空封器件。（其他试验在考虑中）A
2）对于单片集成电路，不合格品超过5必，对于多片集成电路，不合格品超过10%，则批拒收，可在详细规范中对批范政规定更小的百分比。
9抽样要求
表7列表8为空详细规范提供了抽样要求。表？
A 组捡验的抽样要求
注：1) 批充许不合格品率,最大合格判定数为4。S-4
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