SJ/T 11089-1996 半导体分立器件文字符号 SJ/T11089-1996 标准下载解压密码：www.bzxz.net

UDC621.382.003.6
中华人民共和国国家标准
GB11499--89
降为SJ/T11089-96
半导体分立器件文字符号
Letter symbols for discrete semiconductor devices1989-03-31发布
国家技术监督局
TTTKKAca
1990-04-01实施
主题内容与适用范围
整流二极管
信号二极管（包括开关二极管）和调整二极管射频二极管·
光电子器件
闸流管
双极型晶体管
场效应晶体管
其它半导体器件
.+....
YYKAONTKa
中华人民共和国国家标准
半导体分立器件文字符号
Leter symbols for discrete semiconductor devices本标准参照采用了下列国际标准：IEC148（1979）半导体器件和微型集成电路文字符号IEC747
半导体器件分立器件和集成电路第1部分总则
IEC747-1（1983）
IEC747-2(1983)
IEC747-3(1983)
IEC747-5(1984)
IEC747-6(1983)
IEC747-8(1984)
第2部分
第3部分
第5部分
第6部分
第8部分
整流二极管
信号二极管（包括开关二极管）和调整二极管光电子器件
闸流晶体管
场效应晶体管
IEC747-11（1985）第11部分
半导体分立器件分规范
的有关文字符号的内容，并补充了国内所需的有关文字符号。主题内容与适用范围
GB71499-89
本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号。本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有关技术资料。
2总则
2.1电流、电压和电功率的文字符号2.1.1基本字母
推荐的基本字母有：
P,p电功率
注：IEC27号标准只把字母V和推荐为电压的备用符号.而在半导体器件领域中，和”被广泛使用，因此在本标准中和与和是等效的。
2.1.1.2大写字母的使用
大写基本字母用来表示：
最大(峰)值
b.平均值
c：直流值
方均根值
2.1.1.3小写字母的使用
小写基本字母用来表示随时间变化的瞬态值。中华人民共和国机械电子工业部1989-03-18批准YYKAONYKCa
1990-04-01实施
2.1.2下标
2.1.2.1推荐的常用下标
AV，av一平均
F,f-正向
M，m一最大（峰）值
MINmin一最小值
0,0一开路
R，r一反向，作第二个下标时表示重复GB11499-89
S，s一短路，作第二个下标时表示浪涌或不重复(BR）一击穿
(OV）一过载
tot一总的
2.1.2.2大写和小写下标的选择
在2.1.2.1条中同时列出了大写和小写字母的地方，采用大写字母还是小写字母，应符合2.1.2.2.1和2.1.2.2.2条的要求。如果采用的下标多于个，则应全用大写字母或全用小写字母。2.1.2.2.1大写字母的使用
大写字母用来表示：
无信号时的直流值
例如：Ig
b.总的瞬态值
例如：8
c.总的平均值
例如BAV
d总的最大(峰)值
例如：1
2.1.2.2.2小写下标的使用
小写下标仅用来表示变化的分量值。即：。交变分量的瞬态值
例如：
b.交变分量的方均根值
例如：1。
c.交变分量的最大(峰)值
例如：m
d.交变分量的平均值
例如：1o
2.1.2.3关于下标的补充规定
2.1.2.3.1电流的下标
如果需要指明电流流过的引出端，则用第一个下标来表示，例如：18，8，，1
2.1.2.3.2电压的下标
如果需要指明被测电压的两个端点，则可用前两个下标表示。第一个下标表示器件的一个端点、第二个下标表示参考点或电路的节点。例如：UBE，BE，UDeU
VBEUBEUe,V
YYKAONYKCa
GB11499-89
若不会发生混滑，则第二个下标可以省略。2.1.2.3.3电源电压和电源电流的下标电源电压和电源电流可用重复相应引出端的下标来表示。例如：Uee或Vee，leE
注，如果需要指明参考引出端，则要使用第三个下标。例如：UccE或VccE
2.1.2.3.4具有多个同种引出端的器件的下标如果器件的同种引出端多于一个，则下标用相应引出端的文字符号并在其后面跟着一个数字来表示，在多个下标的情况下，需加上连字符号，以免误解。例如：12一流经第二基极引出端的直流电流UB2-E
第二基极引出端与发射极引出端之间的直流电压2.1.2.3.5复合器件的下标
对于复合单元器件的下标，改用一个数字再加上一个下标字母来表示，在有多个下标的情况下，需加上连字符号，以免误解。
例如：I2c一流经第二单元集电极引出端的直流电流Uic-2c
Vie-2e
第一单元和第二单元集电极引出端之间的直流电压2.1.3基本符号表
下表是对2.1.1和2.1.2条各项规则的应用说明基本符号表
2.1.4规则应用示例
交变分量的瞬态值
总的瞬态值
无特殊记号或下标者：
交变分量的方均根值
有特殊记号或下标者：
交变分量的最大（峰)值
交变分量的平均值
无特殊记号或下标者：
无信号时的直流值
有特殊记号或下标者：
总的最大（峰）值
总平均值
图1表示的是由直流和交变分量组成的晶体管集电极电流3
YYKAONYKCa
聚审海甲
交变分融的平均值
无信号直流值
「总平均值
无信号
GB11499-89
总最大值
有信号
1.交变分量均方根值
Icm交变分量最大值
1。交变分量瞬时值
t。总解时值
图1规则应用示例
2.2电参数的文字符号规则
2.2.1定义
在本标准中，“电参数”这一术语适用于四端矩阵参数、等效电路元件、阻抗和导纳、电感和电容。2.2.2基本字母
2.2.2.1推荐的基本字母
下面列出了用于半导体器件电参数的重要的基本字母B,6一电纳，四端矩阵导纳参数（3)的虚部c一电容
G，9一电导，四端矩阵导纳参数（3)的实部H,h一四端矩阵的混合（)参数
L-电感
R，r一电阻，四端矩阵阻抗参数（Z)的实部X，一电抗，四端矩阵阻抗参数（Z）的虚部Y.y一导纳：四端矩阵导纳参数（Y）Z、z阻抗，四端矩阵阻抗参数(Z)2.2.2.2大写字母的使用
大写字母用来表示：
a。外电路的电参数或器件仅作为其一部分的电路的电参数b.各种电感、电容
2.2.2.3小写字母的使用
小写字母用来表示器件固有的电参数（电感和电容除外，见2.2.2.2条b）2.2.3下标
2.2.3.1推荐的常用下标
下面列出了用于半导体器件电参数的重要的常用下标：F，f一正向，正向传输
I,i输入
O,o一输出
T一耗尽层
R，r一反向，反向传输
11－输入
22—输出
12反向传输
21一正向传输，
仅用于四端矩阵参数，见2.2.3.1条YYKAONYKCa
1-输入
2一输出
GB11499--89
可用于除四端矩阵参数之外的所有电参数注：其它的推荐下标，可见本标准的其它各章。2.2.3.2大写和小写下标的选择
在2.2.3.1条中同时列出了大写和小写字母的地方，采用大写字母还是小写字每应符合2.2.3.21和2.2.3.2.2条的要求。如果采用的下标多于一个。则应全用大写字母或全用小写字母。例如hPE，YRE，hre
2.2.3.2.1大写下标使用
大写下标用来表示静态（直流）值例如，h21E或hFE\-共基极组态中正向电流传输比的静态值Re-发射极外接电阻的直流值
2.2.3.2.2小写下标的使用
小写下标用来表示小信号值
例如：21e或hfe-共发射极组态中，短路正向电流传输比的小信号值Ze=Re十jXe-外接阻抗的小信号值2.2.3.3四端矩阵参数的下标
四端矩阵的每个参数按如下规则来规定。2.2.3.3.1第~下标
第一字母下标或两个数字的下标（均选自2.2.3.1条中的下标）表示输入、输出、正向传输或反向传输。
例如hu或hi
h22或ho
han或hr
hia或hr
2.2.3.3.2第二下标
第二下标是用来表示电路组态的。在不会发生混淆时，这些下标可以省略。例如：h21e或hfe，har或hpE
如果只写为h，则电路组态必须是已知的。如果只写为h21，则电路组态及参数类别（小信号值或静态值）都必须是已知的。
2.2.4实部和虚部的区分
如果需要区分电参数的实部和虚部，不必再附加新的下标。如果已经有了实部和虚部的基本符号，测可采用。
例如Ze=Re+jXe
Yfe=Gfe+jBfe
如果还没有这种符号、或虽有但不适用，则应使用下面的符号：R。（hnb）等，表示.hub等的实部Im（hmb）等，表示h等的虚部
2.3其它量的文字符号
2.3.1概述
如果下述各分条款尚未推荐某个文字符号，则可采用TEC27号标准中的通用文字符号，如果IEC27尚未推荐，则可采用ISO推荐的相应符号。2.3.2时间、持续时间
基本文字符号是t。
例如，上升时间tr
YYKAONYKCa
2.3.3温度
2.3.3.1基本文字符号
GB1149989
基本文字符号是t，当有可能与表示“时间的发生混淆时（例如在一个数据表中），应用字母或6来代替，如果用或6来代替不合适，则可用字母T（通常用它表示热力学温度）来代替，但要以不发生混滑为前提。
例如：tamb，amb，Tamb25℃
2.3.3.2推荐的常用下标
amb一环境
case—管壳
J,j一结
stg忙存，存储
2.3.4频率
基本符号是f。
例如，最高振荡赖率一fmax
2.4通用文字符号
本标准中通用文字符号有：
环境温度—Tamb
管壳温度—Tease
基准温度一Tref
结温—T
最高结温一Tim
等效结温——— T(vi), Teff
贮存温度—Tstg
工作温度—Top
热阻—Rth
瞬态热阻抗—Z(th)t
脉冲条件下的热阻抗-z (th)p
结到环境的热阻—R（th)j-a
结到管壳的热阻一R(th)j-c
降额系数一Kt
结电容—Cj
给定偏压电容-Cvj
伏下的总电容—Ctot()
零偏压总电容-C(tot)o
管壳电容—Ccase
总电容—Ctot
分布电容—Cp
延迟时间ta
开通延迟时间—td(on）
关断延迟时间td(off)
上升时间t
存储时间一ts
下降时间—
开通时间-ton
-YYKANrKa
关断时间—totf
噪声—N，#
噪声系数一FF
平均噪声系数一FAv
点噪声系数一F
输出噪声比一N,
两端口等效输入噪声电压一V。
两端口等效输入噪声电流一1.
噪声温度一T。
基准噪声温度—To,T.。
GB11499-89
注：其它下标与R的下标组合而可能发生误解时，则应将下标th放在括号中，成为Reh）。3整流二极管
3.1整流二极管下标的补充规定
3.1.1电压，电流和功率的下标
A,a一阳极
K,k一阴
O一整流输出的平均值
(TO)一阀值
3.1.2电参数的下标
T一斜率
R,r一恢复，整流
W一工作
3.2文宇符号表
3.2.1电压
正向直流电压
反向直流电压
正向峰值电压（最高正向电压）正向平均电压
反向工作峰值电压（最高反向工作电压）反向重复峰值电压（最高反向重复电压）反向不重复峰值电压（反向瞬态峰值电压）正向恢复电压
正向恢复峰值电压
阈值电压
击穿电压（雪崩击穿电压）
瞬态击穿电压
文字符号
YYKAONTKAa
I。为规定值
仅适用于雪崩整流二极管
正向直流电流
正向重复峰值电流
正向过载电流
正向（不重复）浪涌电流
整流输出平均电流
反向直流电流
正向平均电流
反向平均电流
反向恢复电流
反向峰值电流
GB11499-89
文字符号
Ir(AV)
YYKAONTKa
Lo为规定值
3.2.3功率
正向功率耗散
反向功率耗散
开通功率耗散
开通平均功率耗散
开通瞬态总功率耗散
开通峰值功率耗散
关断功率耗散
关断平均功率耗散
关断瞬态总功率耗散
关断峰值功率耗散
反向重复峰值功率耗散
反向（不重复）浪涌功率耗散
3.2.4其他
正向斜率电阻
整流效率
恢复电荷
转折点温度
结温升
温度系数
正向电流衰减率
脉冲时间
重复频率
正向恢复时间
反向恢复时间
反向重复峰值能量bzxz.net
反向不重复峰值能量
GB11499-89
文字符号
PRQAV)
文字符号
Tbreak
YYKAONTKAa
GB11499-89
4信号二极管（包括开关二极管）和调整二极管4.1信号二极管（包括开关二极管）4.1.1信号二极管（包括开关二极管）下标的补充规定4.1.1.1电压，电流和功率的下标A，a一阳极
K,k—阴极
O一整流输出的平均值
4.1.1.2电参数的下标
8,d一阻尼
r,R一恢复、整流
s一存储
4.1.2文字符号表
4.1.2.1电压
反向直流电压
反向平均电压
最高反向电压
正向恢复电压
正向直流电压
正向平均电压
反向瞬态总电压
正向瞬态总电压
反向浪涌电压
正向恢复峰值电压
击穿电压
瞬态击穿电压
文字符号
YYKAONTKAa
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