本标准规定了砷化镓单晶的产品分类，技术要求，试验方法，检验规则和标志，包装等。本标准适用于各种方法生长的砷化镓单晶，产品主要用于光电器件，微波器件，集成电路，传感件和窗口材料等的制作。 GB/T 20228-2006 砷化镓单晶 GB/T20228-2006 标准下载解压密码：www.bzxz.net

ICS29.045
中华人民共和国国家标准
GB/T20228—2006
砷化单晶
Gallium arsenide single crystal2006-04-21发布
欧数码肪伤
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标淮化管理委员会
2006-10-01实施
本标准由中国有色金属工业协会提出。本标雅出信息产业部(电子)归口。前言
本标准起草单位：北京有色企属研究总院，本标雅主要起草人：王继荣、武壮文、于洪国、张海。GL/T20228-2006
１范围
砷化缘单晶
GB/T 20228—2006
本标准规定了砷化单晶的产品分类，投术要求、试验方法、检验规则和标志、他装等。本标准适用于各种方法生长的神化镜单晶，产品主要用丁光电器件、微波器件、集成电路，传感元件和窗口材料等的制作。
2规范性引用文件
下列文件中的杀款通过本标准的引用而成为木标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括缺误的内穿）或修订版均不适用于本标推，然而，鼓励根据本标准达成协议的各力研究是否可使用这些文件的最新版本。凡足不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标罹，GB/T1555半导体单品品间测定方法G3/T4326非本征半导体单品雍尔迁移率和霍尔系数测量力法GB/T8760砷化缘单品位错密度的测量方法GB/T14264半导体材料术语
GB/T14844半导休材料牌号表示方法GJ31927硅化缘单晶材料测试方法3 术语、定义
GB/T14264确立的以及下列术语和定义适用于本标准。3.1
single crystal
指各种方法生长的砷化镓体单品。3.2
晶锭jngot
指各种方法生长的砷化镓单品晶键。4要求
4.1产品分类
4.1.1产品拉导电类型分为SI型、n型和n型。4.1.2产品按牛长方法分为液封直拉法（LEC）垂直梯度凝固法（VGF）、垂直布单奇曼法（VB）水平布卫奇曼法(HB)等。
4.2单晶牌号
单品牌号参照GB/T11844。此内容来自标准下载网
4.3单晶锭的表示方法
示例：
HBGaAs-Tc表示水平布里奇受法生长的松蹄殊化镶单晶。LECCaAs-moe表示液封直拉法非掺化综单品。VFGaAy·Si表示垂直梯度凝祛接硅种化缘单品。VGaAsZn表示垂直布甲奇曼法锌化镜单晶。GB/T20228—2006
5技术要求
5.1单晶锭
5.1.1单晶生长方向为：<111)和<100。所需特殊的力向由供需双方协商确定5.1.2单品掺杂剂、载流子浓度范闹、电子江移率见表1：所需特殊的疹杂剂和对非疹半绝缘砷化镓单晶电子移率的要求出供需双方协离确定，SI（半绝缘化镓单晶退火前、后值及退火条件由供需双方协商磅定。
导电类型
SI卡绝缘）
表1LEC碑化镓单晶掺杂剂、载流子浓度范围、电子迁移率掺杂剂
Si.Te.S.Se,Sn
Zn.Cd.Ee、Mu.Fe.Co.Mg
5.2单晶锭位错密度
载流子浓度/cm
4X10:8~5×10:9
4×10-5 5×10:
位错密度分为6级，并应符合表2的规定。延艳率/(em/(V.s)]
表2位错密度级别
位错密度等毁
依错密度
5×103
>5×10*
电阻率/n.cm)
5×10*5×10
单位为个每平方厘米
5.3单晶锭其他要求
单品的一端或两端应按所要求的品向切出基准面，该面应符合品片所规定的质叠标准。5.3.1
5.3.2单品品锭尺寸由供需双方商定。5.3.3单品必须无气孔、裂纹和李品线，6试验方法
6.1低附导电型种化单品的导电类型，电阻率和室温霍尔江移率的测定按CB/T4326的规定进行。半绝缘砷化镓单晶的导电类型、电阳率和室温需尔迁移率的测定按（JB1927的规定进行。6.2化镓单品品问测定按GB/T1555的规定进行。6.3砷化像单品位错密度的测定按GB/T8760的规定进行。6.4产品的外形尺寸和厚度用精度为0.02mm的游标卡尺和精度为0.005mm的千分尺测量。7检验规则
检查和验收
产品应由供方技术监料部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写质量证明书。7.2复检规定
需方应对收到的产品按照本标准的规定进行复检。复检结果与本标推和及订货合向的规定不符时，应以1面形式向供方提出，由供需双力协商解决。属于表面质量及尺寸偏差有异议的，应在收到产品之日起1个月内提山，属于其他性能的异议，应在收到产品之日起3个月内提出。如需仰裁，仲裁取2
样应由供需双方共同行。
7.3组批与抽检
7.3. 1组批
GB/T 20228--2006
单晶锭应成批捉交验收。每批应由间一牌号、相同直径，柏同电学参数范国的产品组成。7.3.2抽样
单品两端切（1C0）或（111)晶面取样检验。如带要对其他晶面进行检验，可出供需双方商定。7.4检验项目
单品应证行导电类型、载流了浓度、迁移率、电阻率、位错密度(EPD)和品向的检验。7.5检验结果判定
7.5.1电学参数和位错密度
载流子浓度、迁移率、电阻率、位错密度有一项不合格，则再一-次取样对该不合格项日进行重复试验，若重复试验结果仍不合格时，再一次取样白到产品尺寸小于相关单品国家标准规定的长度尺寸为止。最后一饮检验不合，则该产品为不合格。7. 5. 2其他规定
当对其他缺陷有要求时，所供需双方协商确定。8标志、包装、运翰和购存
8.1标志
8.1.1每根合格单品品锭要清洗表面，贴上标签。注明品锭牌号，8.1.2外包装箱上应注明：供力名称、地址、电话、传真，需方名称，地址、电话、传真，产品名称，并有“小心轻改”和\防潮”等字样和标志。8.2包装、运输、贮存
8.2.1产品外运时、单品晶链装人他装袋内，再置于适当的包装盒内，叫周用软性材料塞紧，以免损伤。8.2.2箱内应附装箱单、质量证明书和合格证。8.2.3产品在运输过程中要防止控，受潮和化学腐蚀。8.2.4产品应存放在干燥和无腐蚀性气氛中。8.3质量证明书
每批产品应附有产品质星证明书，上应注明以下内穿：供名称地址、电话、传真；
b）产品名称；
e）产品牌号：
规格：
批号和竹数、产品疗重或数量：f
各项分析检验结果和技术监督部门印记；本标准线号：
出厂日期(或包装日期)
GB/T 20228-2006
中华人民兆和国
国家标
砷化镓单晶
GB/T 20228—2006
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2006 年 10 月第一版
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