SJ 3243-1989 磷化铟单晶棒及片 SJ3243-1989 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国机械电子工业部部标准SJ3243-89
磷化钢单晶棒及片
1989-03-20发布
1989-03-25实施
中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国机械电子工业部部标准磷化钢单晶棒及片
1.主题内容与适用范围
SJ3243-89
本标准规定了液封直拉法（LEC）生长的磷化钢单晶降、片的牌号命名方法、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和觉存。本标准适用于制造光电器件、微波器件，集成电路衬底用的液封直拉磷化钢单晶棒、片。引用标准
SJ3244.1碑化镓和磷化钢材料霍尔迁移率和载流子浓度的测量SJ3249.1半绝缘化和磷化钢单晶电阻率的测试方法SJ3245磷化钢单晶的位错测试方法GB6618
GB6619
GB6624
GB2828
GB8728
硅片厚度及总厚度变化的测试方法硅片弯曲度的接触式测试方法
砷化、磷化银单晶晶向的测量方活硅抛光片表面质量目测检验方法逐批检查计数抽洋程序及抽样表（适用于连续批的检查）工业用化学产品采样的安全通则3磷化铟单晶棒、片牌号命名法
磷化铟单晶棒、片的牌号命名出下列五部分组成：-In
第1部分用n、p或S1分别表示n型、p型或半绝缘；第2部分为分子式InP，表示磷化钢；t5
第3部分用<×××）表示晶样的晶向，例妞111>，用（×××）表示晶片的晶面钢如（100）。
第4部分用化学元紫符号表示掺杂剂，若为非掺杂则不标出：第5部分为晶片表面状态，P/p表示双面抛光，P/E表示一面抛光，另一面腐蚀；s/s表示双面同为切割面或同为轻腐蚀面示例：
(1)p-InP<100>Zn
表示掺锌p型取向<100>的磷化钢单品棒。(2)n-InP（100)S—P/E
表示一面抛光、另一面腐蚀的（100）掺硫n型磷化钢晶片。4术语
中华人民共和医机桃子工业部1919-03-20批准1989-03-25实施
4.1正交取向偏离
SJ3243-89
有意偏离（100）面切片时，晶片表面法线在（100）面上的投影与最近邻的<110>方向在（100）面上投影之间的夹角。见附录A。4.2参考面
磷化铟是极性半导体，器件和电路工艺要求定出主，次参考面，以便得到特定的腐蚀沟槽形状。参考面与腐蚀沟槽形状之间的关系见附录B，4.2.1主参考面
规定主参考面为（0T1）面，用OF标记。主参考面长度视单晶直径而定。4.2.2次参考面
规定次参考面为（0T1）面，沿主参考面顺时针旋转90即可，用IF标记。次参考面长度视单晶直径而定。
5技术要求
5.1电学性质
磷化铟单晶棒、片的电学性质应符合表1和表2表
参杂元素
载流子液度
(em-a)
≤1x10
0.5×10*.
~6×10
4x1018
4×10-
铁含量
(en/VS)
3500~4500
1200~2500
800~1600
（ppm）
电阻率
电阻率
0.5×10-3
~6×10-#
1.8×10-3
5×10-1
5.2位错密度（EPD）
位错密度应符合表3
杂元素
5.3外形尺寸
≤5×10*
≤5×10
2×103
5×103
≤1×104
5×10*
SJ3243-89
晶片直径、厚度及偏差，厚度变化和弯曲度应符合表4。表4
楠圆片
30~40mm
5.4品向
5.4.1晶棒取向
<100）±5°
厚度及信差
400±25
500±25
400±25
500±25
每片厚度变化不大于
（um)
弯曲度不大于
(111>±5°
5.4.2品片表尚玻向
A,（100）±0.5
S.J3243-89
B（100）向最邻近的（100）±0.5°偏2°±0.5，见附录A5.5正交取向偏离±5
5.6参考面取向和长度的规定见图1和表5。1OF（主套考面）：O1）±1
5.7表面缺陷和沾污
5.7.1抛光表面
B（mm）
敏陷类别
边象缺口和谢边
径向案度d>！mm
0,3mmdimm
附著拉子
（线度>5um）
IF(次您考面）(oin)主s°
主、次参考面位鹭示意阁
B,（mn)
边授倒用（min）
国积（Cm）
小眼观茶食面元显划装
B.提交整中征19品量发丽充辞每清股多有2条划度，且总长废不题过R/2。
个/片
终氮气次屏，905的品片实浓面无拉子，其茶少乎5个轻子/
SJ3243-89
晶片抛光装面上的缺陷和活污应符合表6的规定。5.7.2切制或轻擦蚀表面
晶片的切割或轻腐蚀表面应无裂纹和外来物，对边缘缺口和崩边的要求问抛光其面。注，待殊规格的晶片由贷需双方协高。6试验方法
6.1电学参数
6.1.1磷化钢单晶棒、片、霍尔迁移率和载流子浓度测试按SJ3244.1进行。6.1.2磷化钢单醋棒、片电阻率测试按SJ3249.1避行。6.2位错密度
磷化铟位错密度的测量按SJ3245进行6.3外形尺寸
6.3.1品棒直径
晶楼直径用精度为o.01mm的游标卡尺测量。6.32晶片厚度与厚度变化
晶片厚度及厚度变化的测量按GB6618进行。椰圆形片的测量点位置见附录?。6.3.3弯曲度
磷化钢品片弯曲度按GBc619进行。6.4晶间
磷化钢单品棒、片的晶向测量按SJ3244.3进行6.5正交取向偏离的测量
按供需双方协议的方法进行。
6.6参考面取向和长度的测圾
按供需双方协议的方法进行。
6.7品片表面缺陷和沾污的检查按GB6624进行。T检验规则
7.1检验批构成
7.1.1单晶棒，由每一根单品锭构成一个检验批。该批中若有任一项技术特性不符合4.1条、表1或表2、4.2条表3和4.4.1条的要求，则判为不合格品。7.1.2单晶片由相同标称尺寸和相同特性的全部单晶片构成一检验批。单晶片检验批按GB2828正常检查中一次抽样方案进行。7.2检验项目
单晶片的全部检验项目见表7。当订货合同另有规定时。按订货合同办理。7.3检验结果的判定
表7的A、B、C、D、E、F组全部检验合格的检验批为合格批，若有任何--组险验不合格。则判定该检验批初检不合格。7.4复验规则
初检不合格的检验批，在将该检验批全部产品返修，而且经证明克服了原有缺点后，允5
电学作
外形尺
表面缺陷和沾污
SJ324389
4.1条表1或表2
4、2条表3
4.3条表4
4.6条图1和表5
4.7.1条表6
平合格质量水平
供需双方协商
注：对F组，若表面不合格恶巾于沾污引起的，允许将提交检验的全部产品消洗后，蓝新进行检验。许进行复检。提交复检的批应由原检验批中的产品组成。原来娜个检验组不合格，就复检那个检验组返修时若某检验组性能可能受到影响，也应复检该检验组。复检采用加严检查抽样方案。复检不合格的检验批，则判为不合格品。75需方收到产品时，应根据产品发运单及时开箱，检查产品是否完整。凡属包装质量低劣造成的产品损坏。或发现产品质量与产品合格证书不符，应按原批号，从到货之日起一个月内向供方提出，由供需双方协商解决。8标志、包装、运输和存
8.1晶棒经检验后用干净的白色软纸包裹，连同合格证书放入塑料盒内，每盒一锭，并以软泡沫塑料塞满，使晶棒不会在盒内移动。若干塑料盒放入木箱内，用软填料将箱塞满。8.2晶片经检验后放入特制聚乙烯塑料小盒内，若干小盒（属刷-批）连同合格证书一起装入塑料盒内；若干塑料盒装入木箱内，并用软填料将箱塞满，使盒不会在箱内移动。8.3标志
8.3.1晶棒的标志
8.3.1.1木箱上应有下列标志：
制造厂名称，
b．产品名称、牌号、编号；
c.盒数；
d．合同号，
出厂日期，
防震、防潮标记
2每锭产品应附有合格证书，其中注明：a.
产品名称、牌号
合同规定的各项技术指标；
净重；
SJ3243-89
d。检验员或检验部门签章及检验日期；e：制造厂名称
8.3.2晶片的标记
木箱的标记见8.3.1.1。
每批产品应附有合格证书，其中注明：产品名称、牌号、批号：
合间上规定的各项技术指际；
片数；
d．净重；
检验员或检验部门签章及检验日期；f．制造厂名称。
8.4产品在运输和贮存过程中不得同酸，碱等腐蚀性物品混装、混运及混存。8.5产品应贮存在干燥、清洁的仓库内。8.6磷及其化合物是有毒物品，因此必须遵守GB3723的规定。应避免皮肤接触或吸入磷的粉尘或蒸气。
武移老面
SJ3243--89
正交取向离示意图
（参考件）
最片麦面酵齿线方肉
次磨考鼠
最近的<110
易片表陷法线在(150)隔上的投影“正交取向谢施免费标准bzxz.net
110>在(10的)上的投影
表面取向B并定出参考面的InP晶片，正交取向偏离几度，SJ3243-89
参考面与腐蚀沟槽形状之间的关系示意图（参考件）
VP(i）X
V形精
IF(次参考面)
Inlii)
燕麗檀
OF(主参考）
附加说明：
SJ3243-89
附录C
椭圆形片上厚度测量点位置
（补充件）
椭圆形片上厚度测量点位置
本标准由机械电子工业部第55研究所负责起草。本标准主要起草人：彭正夫，吴逵，10
单位mm
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。