本规范规定了3CGl10B、3CGl1oc型ＰNP硅剁淘功率晶体管槛吗卞简称器件)的详细要求。每种器件均按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20014-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＣＧ１１０型ＰＮＰ硅小功率晶体管详细规范 SJ20014-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本规范规定了3CGl10B、3CGl1oc型ＰNP硅剁淘功率晶体管槛吗卞简称器件)的详细要求。每种器件均按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ20014-92
半导体分立器件
GP、GT和GCT级
3CG110、3DG130、3DG182型
硅小功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for silicon low--powertransistorfortypes3CG110.3DG130.3DG182GP,GT and types GCT classes
1992-02-01发布
中国电子工业总公司
1992-05-01实施
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
GP、GT和GCT级
3CG110型PNP硅小功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetailspecificationforPNPsiliconlow-powertransistor for type 3CG110
GP,GT and GCT classes
1.1主题内容
SJ20014—92
本规范规定了3CG110B、3CG110C型PNP硅小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。每种器件均按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。
中国电子工业总公司1992-02-01发布1992-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ20014-92
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-01B型及如下规定，见图1
图1外形尺寸
1.3最大额定值
Ta=25℃
3CG110B
3CG110C
注：1）Ta>25C时，按1.71mW/℃的速率线性降额。2
引出端极性：
1.发射极
3.集电极
单位：mm
A3-01B
T和Tsig
-65～200
-65~200
1.4主要电特性（TA=25℃)
符号(单位)
VBE(at)
VcEsat)
引用文件
GB4587--84
GB7581—87
GJB33-—85
GJB128--86
3要求
3.1详细要求
测试条件
VcE-10V
Vce--10V
Ic=10mA
Vce—-5V
Ic-50mA
(脉冲法）
VcE=-10V
Ic-10mA
f-30MHz
Vcn=-5V
f-1MHz
Ic-30mA
In=3mA
Ic-30mA
Ig—3mA
SJ20014-92
3CG110
3CG110
3CGi10
3CG110
3CG110
3CG110
3CG110
双极型晶体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计结构和外形尺寸
极限值
最小值
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定3.2.1引出端材料和涂层
最大值
SJ20014-92
引出端材料应为柯伐。引线涂层应为镀金或镀锡，对涂层要求选择时，在合同或订单中应明确规定（见6）。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定，下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
(GJB33表2)
7.中间测试
8.功率老化
9.最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下；
IcBOr和hFE2
测试或试验
GT和GCT级
按本规范表1的A2分组；
AIcso1=初始值的100%或5nA，取较大者；AhpEa=初始值的士15%
T=25℃±3C，Vc=—20V，P300mW注：不允许器件上加散热器或强迫风冷。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（A）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
SJ20014-92
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1条的规定。表 1A 组检验
检验或试验
A1分组
外部目检
A2分组
集电极-基极击穿电压
3CG110B
3CG110C
集电极-发射极击穿电压
3CG110B
3CG110C
发射极-基极击穿电压
集电极-基极截止电流
3CG110B
3CG110C
集电极-发射极截止电流
3CG110B
3CG110C
发射极-基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
GJB128
GB4587
2.9.2.1发射极-基极开路
Ic=10μA
本规范
附录A
发射极-基极开路
Ic=10mA
脉冲法（见4.5.1）
集电极-基极开路
Ig-10μA
发射极-基极开路
VcB-—40V
VcB=-50V
发射极-基极开路
VcE--30V
Vce--45V
集电极-基极开路
VB=-4V
VcE=-10V
Vce--10V
Ic=10mA
LTPD符
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
极限值
最小值最大值
检验或试验
正向电流传输比
基极-发射极饱和压降
策电极-发射极饱和
A3分组
高激工作
集电极-基极截止电流
3CG110B
3CG110C
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
特征频率
开路输出电容
A5、A6和A7分组
不适用
SJ20014—-92
续表1A组检验
GB4587
VcE=-5V
lc=50mA
脉冲法（见4.5.1)
Ic=30mA
In=3mA
脉冲法（见4.5.1）
Ic-30mA
Ig=3mA
脉冲法（见4.5.1）
TA=150℃
发射极-基极开路
Vcn=-30V
Vcn=-40V
TA--55℃
Vc=-10V
Ic=10mA
Vce--10V
Ic=10mA
f30MHz
Vcn=-10V
f=1MHz
LTPD符号
VBE(at)
VcE(mt)
极·限值
最小值最大值
检验或试验
B1分组
可焊性
标志耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检滞
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开帽内部目检
(设计验证）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
（非工作状态）
最后测试：
SJ20014-92
表2B组检验
GJB128
见表4，步骤1和3
T=25℃±3℃
Ptot=300mW
Vcn=—20V
见表4，步骤2、4和5。
试验条件A
TA=200℃
见表4，步骤2、4和5。
每批一个器件，0失效
20(C0)
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气(适用时)
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
SJ20014—92
表 3C组检验
GJB128
见图1
试验条件E
见表4，步骤1和3
见表4，步骤1和3此内容来自标准下载网
T=25℃±3℃
Ptot300mW
Vcn20V
见表4.步骤2、4和5
检验或试验
集电极-基极截止电流
3CG110B
3CG110C
集电极-基极截止电流
3CG110B
3CG110C
正向电流传输比
3CG110B
3CG110C
正向电流传输比
5蒙电极-发射极饱和压降
SJ20014-92
表4B组和C组的联活测试
GB4587
发射极-基极开路
Vc--40V
Vcn——50V
发射极-基极开路
VcB=—30V
VcB—40V
Vce--10V
Ic=10mA
Vcg--10V
le=10mA
Ic30mA
注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
说明事项
合同或订货单应规定要求的涂层（见3.2.1）。符号
AVcEcat)
如使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。极
最小值
最大值
初始值的士25%
SJ20014-92
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
测试电路见图A1
电压源
图A1集电极-发射极击穿电压测试电路A3步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表施加规定的偏置条件，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEo的最低极限值，则晶体管为合格。
附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和济南半导体所负责起草。本规范主要起草人：王长福、贾蕙蓉、钟泰富。计划项目代号：B91021。
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