SJ 20015-1992
基本信息
标准号： SJ 20015-1992
中文名称：半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１３０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
发布日期：1992-02-01
实施日期：1992-05-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：KB
标准分类号
中标分类号：综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理
关联标准
出版信息
出版社：电子工业出版社
页数：10页
标准价格：15.0 元
出版日期：1992-04-01
相关单位信息
起草人：王长福、谢佩兰、王承琳
起草单位：中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂
归口单位：中国电子技术标准化研究所
提出单位：中国电子工业总公司科技质量局
发布部门：中国电子工业总公司
标准简介
本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85〈半导体分立器件总规范〉的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20015-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１３０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范 SJ20015-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85〈半导体分立器件总规范〉的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85〈半导体分立器件总规范〉的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
标准图片预览
标准内容
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
GP、GT和GCT级
3DG130型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetailspecificationforNPNsiliconbigh-frequencylow-powertransistorfortype3DG130
GP,GT andGCT classes
1.1主题内容
SJ20015—92
本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。该种器件按GJB33一85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。
中国电子工业总公司1992-02-01发布1992-05-01实施bzxZ.net
1.2外形尺寸
SJ20015—92
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸中的A3-02B型及如下规定，见图1:
引出端极性：
图1外形尺寸
1.3最大额定值
TA-25℃
3DG130A
3DG130B
3DG130C
3DG130D
Te-25℃
中0.30?x?
注：1）TA>25C时，按4.0mW/℃线性地降额。2）Te>25℃时，按15mW/C线性地降额，2
1.发射极
3.集电极
单位：mm
A3-02B
Tstg和T
-65~+200
1.4主要电特性（T^=25℃）
符号(单位）
Caba(pF)
VcE(sat)
VE(at)
测试条件
Vee=10V
Vcg=10V
Ic=3mA
Vcg-10V
Ic=50mA
Vce-10V
Ic=300mA
Vcg10V
Ic-50mA
f=100MHz
Vcn-10VIg-0
f=1MHz
Ic=100mA
g=10mA
Ic=100mA
I=-10mA
VcE=10V
Ic-50mA
f-30MHz
注：1)脉冲法(见4.5.1)。
2引用文件
SJ20015—92
3DG130
3DG130
3DG130
3DG130
3DG130A
3DG130B
3DG130C
3DG130D
所有型号
所有型号
所有型号
3DG130A
3DG130B
3DG130C
3DG130D
GB4587-84
双极型晶体管测试方法
GB7581—87
半导体分立器件外形尺寸
GJB33-85
GJB128-86
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
极限值
最小值
最大值
3要求
3.1详细要求
SJ20015-92
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见6）。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
7.中间参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下；
TA=25±3℃
Vc=20V(3DG130A,C)
VcR=30V(3DG130B、D)
Pm=700mW
IcBOn和hFES
GT和GCT级
按本规范表1的A2分组；
AIcBo1=初始值的100%或5nA，取其较大者；AhFE3=±15%
注：不允许器件上加散热器或强迫风冷。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
SJ20015—92
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
GJB128
集电极-基极击穿电压2.9.2.1
3DG130A.C
3DG130B、D
集电极-发射极击穿电本规范
3DG130A.C
3DG130B.D
附录A
发射极-基极击穿电压2.9.2.2
集电极-基极截止电流
3DG130A.C
3DG130B、D
发射极-基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
GB4587
发射极-基极开路
Ic=10μA
发射极-基极开路
Ic-5mA
脉冲法（见4.5.1）
集电极-基极开路
Ig-10μA
发射极-基极开路
Vcn=30V
VcB=-50V
集电极-基极开路
Vce-10V
VcE=10V
Ic=3mA
V(BR)CBO
VBR)CHO
V(BR)EBO
极限值
最小值最大值
检验或试验
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极-发射极饱和
基极-发射极饱和压降
A3分组
高温工作
集电极-基极截止电流2.1
3DG130A,C
3DG130B、D
低温工作
正向电流传输比
A4分组
开路输出电容
特征频率
3DG130A、B
3DG130C、D
功率增益
3DG130A、B
3DG130C、D
A5、A6和A7分组
不适用
SJ20015--92
续表1A组检验
GB4587
VcE10V
Ic=50mA
Vcg=ioV
Ic-300mA
脉冲法（见4.5.1）
le=100mA
In—10mA
Ic=100mA
In=10mA
Ta=+150℃
发射极-基极开路
Vcn-30V
Vcn50V
TA--55C
Vcn-10V
Ic=50mA
2.11.3Vc=10V,1g0
f-IMHz
2.11.2Vc-10V,Ic-50mA
f-100MHz
Vce-10V
le50mA
VcE(at)
VBE(sat)
极限值
最小值
最大值
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开帽内部目检
(设计验证）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
(不工作）
最后测试：
SJ20015-—92
表 2B组检验
GJB128
见表4.步骤1、3和4
Vcn=20V,Pot=700mW
TA=25±3℃
不允许器件加散热器或强追风冷。见表4，步骤2和5。
目检标准按鉴定时的设计
TA-200℃
见表4，步骤2和5。
每批一个器件，0失效
20(C=0)
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气（适用时）
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
SJ20015--92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4,步骤1、3和4
见表4，步骤1、3和4
TA=25±3C.Vc=20V
Ptot=700mW
不允许器件加散热器
或强迫风冷
见表4，步骤2和5
入-10
检验或试验
集电极-基极截止电流
3DG130A、C
3DG130B、D
集电极-基极截止电流
3DG130A.C
3DG130B、D
集电极-发射极饱和压降
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ20015—92
表4B组和C组的最后测试
GB4587
发射极-基极开路
Vea-30V
VcB=50V
发射极-基极开路
VcB-30V
Vcn=50V
Ic=100mA
Ig=10mA
Vce-10V
Ic-50mA
VcE=10V
Ic-50mA
注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
6说明毫项
VcE(sat)
Ahregi
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1）。极限值
最小值
最大值
初始值的
SJ20015—92
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
测试电路见图A1
电压源
集电极-发射极击穿电压测试电路图AI
A3步骤
电阻器R，为限流电阻，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR>CEo的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂共同负责起草。本规范主要起草人：王长福、谢佩兰、主承琳。计划项目：B91023。
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中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
GP、GT和GCT级
3DG130型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetailspecificationforNPNsiliconbigh-frequencylow-powertransistorfortype3DG130
GP,GT andGCT classes
1.1主题内容
SJ20015—92
本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。该种器件按GJB33一85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。
中国电子工业总公司1992-02-01发布1992-05-01实施bzxZ.net
1.2外形尺寸
SJ20015—92
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸中的A3-02B型及如下规定，见图1:
引出端极性：
图1外形尺寸
1.3最大额定值
TA-25℃
3DG130A
3DG130B
3DG130C
3DG130D
Te-25℃
中0.30?x?
注：1）TA>25C时，按4.0mW/℃线性地降额。2）Te>25℃时，按15mW/C线性地降额，2
1.发射极
3.集电极
单位：mm
A3-02B
Tstg和T
-65~+200
1.4主要电特性（T^=25℃）
符号(单位）
Caba(pF)
VcE(sat)
VE(at)
测试条件
Vee=10V
Vcg=10V
Ic=3mA
Vcg-10V
Ic=50mA
Vce-10V
Ic=300mA
Vcg10V
Ic-50mA
f=100MHz
Vcn-10VIg-0
f=1MHz
Ic=100mA
g=10mA
Ic=100mA
I=-10mA
VcE=10V
Ic-50mA
f-30MHz
注：1)脉冲法(见4.5.1)。
2引用文件
SJ20015—92
3DG130
3DG130
3DG130
3DG130
3DG130A
3DG130B
3DG130C
3DG130D
所有型号
所有型号
所有型号
3DG130A
3DG130B
3DG130C
3DG130D
GB4587-84
双极型晶体管测试方法
GB7581—87
半导体分立器件外形尺寸
GJB33-85
GJB128-86
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
极限值
最小值
最大值
3要求
3.1详细要求
SJ20015-92
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见6）。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
7.中间参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下；
TA=25±3℃
Vc=20V(3DG130A,C)
VcR=30V(3DG130B、D)
Pm=700mW
IcBOn和hFES
GT和GCT级
按本规范表1的A2分组；
AIcBo1=初始值的100%或5nA，取其较大者；AhFE3=±15%
注：不允许器件上加散热器或强迫风冷。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
SJ20015—92
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
GJB128
集电极-基极击穿电压2.9.2.1
3DG130A.C
3DG130B、D
集电极-发射极击穿电本规范
3DG130A.C
3DG130B.D
附录A
发射极-基极击穿电压2.9.2.2
集电极-基极截止电流
3DG130A.C
3DG130B、D
发射极-基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
GB4587
发射极-基极开路
Ic=10μA
发射极-基极开路
Ic-5mA
脉冲法（见4.5.1）
集电极-基极开路
Ig-10μA
发射极-基极开路
Vcn=30V
VcB=-50V
集电极-基极开路
Vce-10V
VcE=10V
Ic=3mA
V(BR)CBO
VBR)CHO
V(BR)EBO
极限值
最小值最大值
检验或试验
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极-发射极饱和
基极-发射极饱和压降
A3分组
高温工作
集电极-基极截止电流2.1
3DG130A,C
3DG130B、D
低温工作
正向电流传输比
A4分组
开路输出电容
特征频率
3DG130A、B
3DG130C、D
功率增益
3DG130A、B
3DG130C、D
A5、A6和A7分组
不适用
SJ20015--92
续表1A组检验
GB4587
VcE10V
Ic=50mA
Vcg=ioV
Ic-300mA
脉冲法（见4.5.1）
le=100mA
In—10mA
Ic=100mA
In=10mA
Ta=+150℃
发射极-基极开路
Vcn-30V
Vcn50V
TA--55C
Vcn-10V
Ic=50mA
2.11.3Vc=10V,1g0
f-IMHz
2.11.2Vc-10V,Ic-50mA
f-100MHz
Vce-10V
le50mA
VcE(at)
VBE(sat)
极限值
最小值
最大值
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开帽内部目检
(设计验证）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
(不工作）
最后测试：
SJ20015-—92
表 2B组检验
GJB128
见表4.步骤1、3和4
Vcn=20V,Pot=700mW
TA=25±3℃
不允许器件加散热器或强追风冷。见表4，步骤2和5。
目检标准按鉴定时的设计
TA-200℃
见表4，步骤2和5。
每批一个器件，0失效
20(C=0)
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气（适用时）
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
SJ20015--92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4,步骤1、3和4
见表4，步骤1、3和4
TA=25±3C.Vc=20V
Ptot=700mW
不允许器件加散热器
或强迫风冷
见表4，步骤2和5
入-10
检验或试验
集电极-基极截止电流
3DG130A、C
3DG130B、D
集电极-基极截止电流
3DG130A.C
3DG130B、D
集电极-发射极饱和压降
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ20015—92
表4B组和C组的最后测试
GB4587
发射极-基极开路
Vea-30V
VcB=50V
发射极-基极开路
VcB-30V
Vcn=50V
Ic=100mA
Ig=10mA
Vce-10V
Ic-50mA
VcE=10V
Ic-50mA
注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
6说明毫项
VcE(sat)
Ahregi
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1）。极限值
最小值
最大值
初始值的
SJ20015—92
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
测试电路见图A1
电压源
集电极-发射极击穿电压测试电路图AI
A3步骤
电阻器R，为限流电阻，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR>CEo的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂共同负责起草。本规范主要起草人：王长福、谢佩兰、主承琳。计划项目：B91023。
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。