本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20016-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１８２型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范 SJ20016-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法

1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导本分立器件
GP、GT和GCT级
3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
Semiconductor diserete deviceDetailspecificationforNPNsiliconlow-powerhiht-reverse-vollage transistor for type 3DG182GP,GTandGCTelasses
1.1主题内容
SJ20016--92
本规范规定了3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管（以下简称器件）的详细要求。该种器件均按GJB33一85半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。
中国电子工业总公司1992-02-01发布1992-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ20016-92
外形尺寸应符合GB7581半导体分立器件外形尺寸》中的A3-02B型及如下规定，见图1:
0.35(M)风M
图1外形尺寸
1.3最大额定值
3DG182A
3DG182B
3DG182C
3DG182D
3DG182E
TA-25℃
注：1)Ta>25C时，按4.0nW/C线性地降额。2
引出端极性：
1.发射极
3.集电极
单位：mm
A3-02B
1.4主要电特性（T^=25℃）
符号(单位）
VcE(sa))
VE(sat))
试条件
Vee=10V
VcE=2V
Ic-50mA
VcE=2V
I-100mA
Vce=2V
Ic-200mA
Vce-10V
Ic=20mA
f=30MHz
Ic-200mA
Ig=20mA
Ic=200mA
Ig=20mA
注：1）脉冲法（见4.5.1)。
2引用文件
SJ20016—92
3DG182
3DG182
3DG182
3DG182
3DG182
3DG182
3DG182
GB4587--84
双极型晶体管测试方法
GB7581---87
GJB33--85
GJB128-86
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
最小值
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
最大值
引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或没锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见6)。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
SJ20016-92
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定，下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
7.中间参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下；
T-25±3℃
VcB=40V(3DG182A）
VcB=70V(3DG182B、C)
VcB=-125V(3DG182D、E）
P=700mW
Icnoi和hrEa
GT和GCT级
按本规范表1的A2分组；
AIcnor=初始值的100%或0.1μA，取其较大者；AhE=±20%
注，不允许器件上加散热器或强迫风冷。4.4质量一致性检验bzxZ.net
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按G.IB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（A）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
SJ20016--92
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验
检验或试验
A7分组
外观和机械检验
A2分组
集电极-基极击穿电
3DG182A
3DG182B
3DG182C
3LG182D
3DG182E
集电极-发射极击穿
3DG182A
3DG182B
3DG182C
3DG182D
3DG182E
发射极-基极击穿电压
集电极-基极截止电流
3DG182A
3DG182B
3DG182C
3DG182D
3DG182E
集电极-发射极截止
3DG182A
3DG182B
3DG182C
3DG182D
3DG182E
GJB128
GB4587
发射极-基极开路
le=100μA
本规范
附录 A
发射极-基极开路
Ic=lmA
集电极-基极开路
Ig-100μA
发射极-基极开路
VcB-60V
Ven=-100V
Vcn-140V
Vcn-180V
Vcn220V
发射极-基极开路
VcE=100V
Vce =-140V
VeF=180V
VcE220V
LTPD符
V(BR)CBO
VRRCEO
VaROERO
极限值
假小值最大值
检验或试验
发射极-基极载止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极-发射极
饱和压降
基极-发射极饱和
A3分组
高温工作：
集电极-基极截止电流
3DG182A
3DG182B
3DG182C
3DG182D
3DG182E
低温工作：
正向电流传输比
SJ20016--92
续表 1A组检验
GB4587
集电极-基极开路
Vea=5V
Vce-10V
Ic=lmA
VcE-2V
Ic-50mA
VcE—2V
Ic=100mA
VcE=2V
Ic-200mA
脉冲法（见4.5.1）
Ic=200mA
In=20mA
脉冲法（见4.5.1）
Ic-200mA
g=20mA
脉冲法（见4.5.1）
TA=+150℃
发射极-基极开路
Vcnm40V
Vcn65V
Ven=90V
Vcn-120V
VcB=150V
TA--55℃
Vcn2V,Ic200mA
脉冲法（见4.5.1)
VcE(set)
VBE(t)
最小值
最大值
检验或试验
A4分组
开路输出电容
特征频率
A5、A6和A7分组
不适用
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击(温度循环）
密封：
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
3DG182A
3DG182B.C
3DG182D.E
最后测试：
R4分组
开帽内部目检
(设计验证）
键合强度
SJ20016-92
续表1A组检验
GB4587
Vce-10V,Ic-0
f=1MHz
VcE=10V,Ic-20mA
f-30MHz
表2B组捡验
GJB128
见表4,步骤1、3和4
Po700mW，T25C±3℃
Vcu=40V
Vcn70V
Vca125V
不允许器件加散热器或强追风冷。见表4，步2和5。
目检标准按鉴定时的设计
最小值最大值
每批一个器件，0失效
20(C=0)
检验或试验
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
(不工作）
最后测试：
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
密封：
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气（适用时）
C5分组
不适用
SJ20016-92
续表 2B组检验
GJB128
T-200℃
见表4，步骤2和5
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4，步骤1、3和4
见表4，步骤1、3和4
检验或试验
C6分组
稳态工作寿命
3DG182A
3DG182B.C
3DG182D、E
最后测试：
检验或试验
集电极-基极截止电流
3DG182A
3DG182B
3DG182C
3DG182D
3DG182E
集电极-基极截止电流
3DG182A
3DG182B
3DG182C
3DG182D
3DG182E
集电极-发射极饱和压
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ20016—92
续表3C组检验
GJB128
Ta=25±3℃.Ptot=700mW
Vca=40V
VcB=70V
VcB125V
不允许器件加散热器
或强迫风冷
见表4，步骤2和5
表4B组和C组的最后测试
GB4587
发射极-基极开路
Vce-60V
Vce=100V
VcE—-140V
VcE-180V
VcE=220V
发射极-基极开路
VcE=60V
Vc=100V
Vce=-140V
VcE=180V
Vcg220V
Vc=200mA
Ig-20mA
Vce =2V
Ic-200mA
脉冲法（见4.5.1）
Vce=2V
Ic=200mA
脉冲法（见4.5.1)
注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。符
IcEont)
最小值
入=10
最大值
初始值的
交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
说明事项
SJ20016—92
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1）。— 10
SJ20016--92
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限值。
A2测试电路
测试电路见图A1
电压源
集电极-发射极击穿电压测试电路图A1
A3步骤
电阻器R，为限流电阻，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR>CEo的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准经研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂共同负责起草。本规范主要起草人，王长福、龚云、葛毅妮。计划项目：B91022。
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。