本规范规定了3DK10l型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按ＧＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20054-1992 半导体分立器件 ３ＤＫ１０１型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 SJ20054-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本规范规定了3DK10l型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按ＧＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ20054—92
3DK101、3DK102、3DK103、
3DK104和3DK105型
NPN硅小功率开关晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificationfor silicon NPNlowpowerswitchingtransistoroftype3DK101.3DK102,3DK1033DK104and3DK1051992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specirication for silicon NPNlowpowerswitchingtransistoroftype3DK1011.1主题内容
SJ20054-92
本规范规定了3DK101型NPN硅小功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP，GT和GCT级)。
中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ20054-92
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-01B型及如下规定，见图1:
引出端极性：
1.发射极
3.渠电极
图1外形尺寸
A3-01B
1.3最大额定值
3DK101B
3DK101C
TA-25℃
Te=25℃
SJ20054—92
注：1）TA>25C时，按1.1mW/℃的速率线性降额。2）Tc>25℃时，按4.6mW/℃C的速率线性降额。1.4主要电特性(Ta=25℃)
3DK101B
3DK101C
3DK101B
3DK101C
3DK101B
3DK101C
引用文件
最小值
最大值
lc=10mA
Vee10V
f=10QMHz
最小值
最大值
Ic20mA
la-2mA
最小值
GB4587—84
GB7581-87
33—85
GJB128—86
最大值
hyg(Veg=1V)
le=3mA
最小值
最大值
f=IMHz
Vca-10V
最小值
最大值
VeEta2
le=30mA
Ig-3mA
最小值
双极型品体管测试方法
最大值
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
lc=10mA
最小值
最大值
le=10mA
Ig=ImA
最小值
最大值
le-20mA
最小值
最大值
-65~+200
Ic=30mA
最小值
最大值
le=10mA
InI=1mA
最小值
最大值
VhEle=30mA
Ig=3mA
最小值
最大值
3要求
3.1详细要求
SJ20054--92
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见第6章）。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
中间参数测试
功率老化
最后测试
4.3.1功率老化条件
T=25±3℃
VcB-10V
Prot=200mW
注：不允许在器件上加散热器或强迫风冷。4.4质量致性检验
IecHoy和hyks
见4.3.1条
测试或试验
本规范表1的A2分组；
Icao1一初始值的100%或15nA，取其较大者；Ah=初始值的土10%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
SJ20054--92
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（A)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组捡验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128中3.3.2.1条的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
集电极-基极击穿电压
3DK101B
3DK101C
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
3DK101B
3DK101C
集电极-发射极击穿电压
3DK101B
3DK101C
集电极-基极截止电流
3DK101B
3DK101C
发射极-基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极-发射极饱和压降
集电极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降免费标准bzxz.net
基极-发射极饱和压降
GJB128中
本规范
附录A
本规范
附录A
GB4587
发射极-基极开路
Ie=10μA
集电极-基极开路
Ig=10μA
发射极-基极开路
=100uA
发射极-基极开路
le=1mA
发射极-基极开路
Vcs=25V
Ves20V
集电极-基极开路
Vc1V,le0.5mA
Vc=1V.le3mA
Veg=1V,le=10mA
Veg=1V.le-30mA
le=20mAIg=2mA
Ic=-30mAla=3mA
le=20mA
le=30mA
la-2mA
VHRVERO
VBR>CEOI
VHRXCEO2
Veket)i
VcEcat2
Varcan
VeRxCo
极限值
最小值最大值
检验或试验
A3分组
高温工作：
集电极-基极截止电流
3DK101B
3DK101C
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
特征频率
开路输出电容
饱和开启时间
饱和关闭时间
3DK101B
3DK101C
A5、A6和A7分组
不适用
SJ20054-92
续表1
GB4587
TA=+150℃
发射极-基极开路
Vce=25V
Vcg—20V
TA=-55℃
Ve--1V,le-10mA
Ve=10Vlc=10mA
f=100MHz
Veg-10V,1g=0
f=-1MHz
le=-10mA,I-mA
le=10mA
B=IImA
LTPLD符
极限值
最小值最大值
B1分组
可焊性
检验或试验
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试，
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开幅内部目检
（设计验证）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
(不工作）
最后测试：
SJ20054-92
表2B组检验
GJB128
见表4，步骤1、3和4
Vcs-10VPta200mW
TA=25±3℃
不允许器件加散热器或强迫风冷见表4，步骤2和5
目检标准按鉴定时的设计
TA=200℃
见表4.步骤2和5
每批一个器件，0失效
20(C0)
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气(适用时)
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
SJ20054—92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4，步骤1、3和4
见表4，步骤1、3和4
Tx=25±3Vea=10V
不允许器件加散热器或
强追风冷
见表4，步骤2和5
入=10
极限值
最小值最大值
检验或试验
集电极-基极截止电流
3DK101B
3DK101C
集电极-基极截止电流
3DK101B
3DK101C
集电极-发射极饱和压降
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ20054--92
B组和C组的最后测试
GB4587
发射极-基极开路
Veam25V
Vea-20V
发射极-基极开路
Vcs=-25V
VcB=20V
Ie=20mA
Ig=2mA
Vee=1V
Ie-10mA
le=10mA
注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。交货准备
包装要求应按GJB33的规定，
6说明事项
Thregl
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1条）。极限值
最小值
初始值的
最大值
SJ20054—92
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法(补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定品体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。2测试电路
测试电路见图A1。
电压源
集电极-发射极击穿电压测试电路A3步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过度的电流流过品体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于VBR>CEO的最低极限，则晶体管为合格。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和国营七四六厂负责起草。本规范主要起草人，王长福、、王承琳、谢佩兰。计划项目代号：B01011。
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。