SJ 20055-1992
标准分类号
中标分类号:综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理
关联标准
出版信息
出版社:电子工业出版社
页数:10页
标准价格:15.0 元
出版日期:1993-04-01
相关单位信息
起草人:王长福、王承琳、谢佩兰
起草单位:中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂
归口单位:中国电子技术标准化研究所
提出单位:中国电子工业总公司科技质量局
发布部门:中国电子工业总公司
标准简介
本规范规定T3DKl02型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20055-1992 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 SJ20055-1992 标准下载解压密码:www.bzxz.net
本规范规定T3DKl02型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7092-1986 半导体集成电路外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
标准内容
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK102型NPN硅小功率开关晶体管,详细规范
Semiconductor discrcte deviceDetall specification for silicon NPNlowpowerswitchingtransistoroftype3DK1021.1主题内容
SJ20055—92
本规范规定了3DK102型NPN硅小功率开关品体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
中国电子工业总公司
1992-11-19发布
1993-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ2005592
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-01B型及如下规定,见图1;
引出端极性:
1.发射极
3.集电极
图1外形尺寸
A3-01B
1.3最大额定值
3DK102A
3DK102B
3DK102C
3DK102D
Te=25℃
SJ20055—92
注:1)TA>25C时,按1.7mW/C的速率线性降额。2)T>25℃时,按6.3mW/℃的速率线性降额。1.4主要电特性(TA—25℃)
3DK102A
3DK102B
3DK102C
3DK102D
3DK102A
3DK102B
3DK102C
3DK102D
3DK102A
3DK102B
3DK102C
3DK102D
Ie=1mA
最小值
最大值
Veg=10V
le=20mA
f=100MHz
最小值
最大值
lc=30mA
Ig-3mA
最小值
最大值
hr(V1V)
le=10mA
最小值
最大值
f-1MHz
Vea-10V
最小值
最大值
VeEane
lc50mA
Ig=5mA
最小值
段大值
le30mA
最小值
最大值
le=30mA
最小值
最大值
VBE(an
le=30mA
最小值
最大值
-65~+200
le-50mA
最小值
最大值
le=30mA
1m=13mA
最小值
最大值
VaE(an)2
le-50mA
最小值
最大值
2引用文件
SJ20055-92
GB4587-—84双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸
GB7581—87
GJB33—85
半导体分立器件总规范
GJB128一86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按CJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或没锡。对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定(见第6章)。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选(仅对GT和GCT级)
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行,超过规定极限值的器件不应接收。
(见GJB33表2)
中间参数测试
功率老化
最后测试
4.3.1功率老化条件
TA=25±3℃
VcB-10V
测试或试验
IesleH和hrEs
见4.3.1条
本规范表1的A2分组;
AIcRO:=初始值的100%或20mA,取其较大者Ahr3一初始值的士20%
P-300mW
SJ20055--92
注:不允许在器件上加散热器或强迫风冷。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(△)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量(△)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定:4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128中3.3.2.1条的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
集电极-基极击穿电压
3DK102A.C
3DK102B、D
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
3DK102A.C
3DK102B、D
集电极-发射极击穿电压
3DK102A.C
3DK102B、D
集电极-基极截止电流
3DK102A.C
3DK102B、D
GJB128中
本规范
附录A
本规范
附录A
GB4587
发射极-基极开路
le=10μA
集电极-基极开路
Ig-10A
发射极-基极开路
le100mA
发射极-基极开路
le=ImA
发射极-基极开路
Vcg15V
Vch=25V
LTPD符
Vencwo
VR>ERO
VeHRICEOI
极限值
最小值最大值
VaRCEO
检验或试验
发射极-基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极-发射极饱和压降
集电极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
A3分组
高温工作:
集电极-基极截止电流
3DK102A.C
3DK102BD
低温工作,
正向电流传输比
A4分组
特征频率
开路输出电容
饱和开启时间
饱和关闭时间
3DK102A.B
3DK102C.D
A5、A6和A7分组
不适用
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续表1
GB4587
集电极-基极开路
Ve-1V,le-ImA
Ver-1V,le-10mA
Vcg=1V..le=30mA
Vee=1V.le50mA
Ie-30mAIg-3mA
lc=50mAI=5mA
Ic=30mAI=3mA
le=50mAI5mA
TA=+150℃
发射被-基极开路
Vc-15V
VeR-25V
Ve:=1V,lc=30mA
Vcx10V,le-20mA
f=100MHz
Vea=10V,Ig0
f=1MHz
l-30nAl-3mA
le=30mA
LTPP符
Vce(at)s
Vesias
VgEat)s
极限值
最小值
最大值
B1分组
可焊性
检验或试验
标志的耐久性
B2分组
热冲击(温度循环)
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试:
B3分组
稳态工作寿命
最后测试:
B4分组
开幅帽内部目检
(设计验证)
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
(不工作)
最后测试:
SJ20055—92
表2B组检验
GJB128
见表4,步骤1、3和4
Ve=10VPu=300mW
Ta-25±3℃
不允许器件加放热器或强迫风冷见表4,步骤2和5
目检标准按鉴定时的设计
Ta=200℃
见表4.报骤2和5
每批个器件,0失效
20(C=0)
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
a.细检灌
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试:
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试:
C4分组
盐气(适用时)
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试:
SJ20055—92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条作A
试验条件E
见表4.步1.3和4
见表4.步骤1.3和4
T=25±3℃Ve=10V
Pu-300mW
不允许器件加放热器或
强迫风冷
见表4.步骤2和5
入=10
极限值
最小值最大值
检验或试验
集电极-基极截止电流
3DK102A.C
3DK102BD
集电极-基极截止电流
3DK102A.C
3DK102B.D
集电极-发射极饱和压降
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ20055—92
表4B组和C组的最后测试
GB4587
发射极-基极开路
Ve=15V
Ves-25V
发射极-基极开路
Vca=15V
Vca-25V
le=30mA
In=3mA
le=30mA
Te=30mA
注:1)对于本试验.超过A组极限值的器件不应接收。5
交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
Vegcatos
Ahergt
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层(见3.2.1条)。极限值
最小值
初始值的
最大值
SJ20055-92
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法(补充件)
本测试的目的是为了在规定的条件下,碗定品体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
测试电路见图A1。
电压源
A3步骤
集电极-发射极击穿电压测试电路限流电阻R,应足够大,以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下,增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR>CEO的最低极限,则晶体管为合格。附加说明:
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂负责起草。本规范主要起草人:王长福、、王承琳、谢佩兰。计划项目代号:B01012。
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