本规范规定T3DKl02型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20055-1992 半导体分立器件 ３ＤＫ１０２型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 SJ20055-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本规范规定T3DKl02型NPN硅小功率开关晶体管（以下简称器件)的详细要求。每种器件按GＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7092-1986 半导体集成电路外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法

1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK102型NPN硅小功率开关晶体管，详细规范
Semiconductor discrcte deviceDetall specification for silicon NPNlowpowerswitchingtransistoroftype3DK1021.1主题内容
SJ20055—92
本规范规定了3DK102型NPN硅小功率开关品体管（以下简称器件）的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。
中国电子工业总公司
1992-11-19发布
1993-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ2005592
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-01B型及如下规定，见图1;免费标准bzxz.net
引出端极性：
1.发射极
3.集电极
图1外形尺寸
A3-01B
1.3最大额定值
3DK102A
3DK102B
3DK102C
3DK102D
Te=25℃
SJ20055—92
注：1）TA>25C时，按1.7mW/C的速率线性降额。2）T>25℃时，按6.3mW/℃的速率线性降额。1.4主要电特性(TA—25℃）
3DK102A
3DK102B
3DK102C
3DK102D
3DK102A
3DK102B
3DK102C
3DK102D
3DK102A
3DK102B
3DK102C
3DK102D
Ie=1mA
最小值
最大值
Veg=10V
le=20mA
f=100MHz
最小值
最大值
lc=30mA
Ig-3mA
最小值
最大值
hr(V1V)
le=10mA
最小值
最大值
f-1MHz
Vea-10V
最小值
最大值
VeEane
lc50mA
Ig=5mA
最小值
段大值
le30mA
最小值
最大值
le=30mA
最小值
最大值
VBE(an
le=30mA
最小值
最大值
-65~+200
le-50mA
最小值
最大值
le=30mA
1m=13mA
最小值
最大值
VaE(an)2
le-50mA
最小值
最大值
2引用文件
SJ20055-92
GB4587-—84双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸
GB7581—87
GJB33—85
半导体分立器件总规范
GJB128一86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按CJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或没锡。对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见第6章)。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
中间参数测试
功率老化
最后测试
4.3.1功率老化条件
TA=25±3℃
VcB-10V
测试或试验
IesleH和hrEs
见4.3.1条
本规范表1的A2分组；
AIcRO:=初始值的100%或20mA，取其较大者Ahr3一初始值的士20%
P-300mW
SJ20055--92
注：不允许在器件上加散热器或强迫风冷。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128中3.3.2.1条的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
集电极-基极击穿电压
3DK102A.C
3DK102B、D
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
3DK102A.C
3DK102B、D
集电极-发射极击穿电压
3DK102A.C
3DK102B、D
集电极-基极截止电流
3DK102A.C
3DK102B、D
GJB128中
本规范
附录A
本规范
附录A
GB4587
发射极-基极开路
le=10μA
集电极-基极开路
Ig-10A
发射极-基极开路
le100mA
发射极-基极开路
le=ImA
发射极-基极开路
Vcg15V
Vch=25V
LTPD符
Vencwo
VR>ERO
VeHRICEOI
极限值
最小值最大值
VaRCEO
检验或试验
发射极-基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极-发射极饱和压降
集电极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
A3分组
高温工作：
集电极-基极截止电流
3DK102A.C
3DK102BD
低温工作，
正向电流传输比
A4分组
特征频率
开路输出电容
饱和开启时间
饱和关闭时间
3DK102A.B
3DK102C.D
A5、A6和A7分组
不适用
SJ20055—92
续表1
GB4587
集电极-基极开路
Ve-1V,le-ImA
Ver-1V,le-10mA
Vcg=1V..le=30mA
Vee=1V.le50mA
Ie-30mAIg-3mA
lc=50mAI=5mA
Ic=30mAI=3mA
le=50mAI5mA
TA=+150℃
发射被-基极开路
Vc-15V
VeR-25V
Ve:=1V,lc=30mA
Vcx10V,le-20mA
f=100MHz
Vea=10V,Ig0
f=1MHz
l-30nAl-3mA
le=30mA
LTPP符
Vce(at)s
Vesias
VgEat)s
极限值
最小值
最大值
B1分组
可焊性
检验或试验
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开幅帽内部目检
（设计验证）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
（不工作）
最后测试：
SJ20055—92
表2B组检验
GJB128
见表4，步骤1、3和4
Ve=10VPu=300mW
Ta-25±3℃
不允许器件加放热器或强迫风冷见表4，步骤2和5
目检标准按鉴定时的设计
Ta=200℃
见表4.报骤2和5
每批个器件，0失效
20(C=0)
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检灌
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气（适用时）
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
SJ20055—92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条作A
试验条件E
见表4.步1.3和4
见表4.步骤1.3和4
T=25±3℃Ve=10V
Pu-300mW
不允许器件加放热器或
强迫风冷
见表4.步骤2和5
入=10
极限值
最小值最大值
检验或试验
集电极-基极截止电流
3DK102A.C
3DK102BD
集电极-基极截止电流
3DK102A.C
3DK102B.D
集电极-发射极饱和压降
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ20055—92
表4B组和C组的最后测试
GB4587
发射极-基极开路
Ve=15V
Ves-25V
发射极-基极开路
Vca=15V
Vca-25V
le=30mA
In=3mA
le=30mA
Te=30mA
注：1）对于本试验.超过A组极限值的器件不应接收。5
交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
Vegcatos
Ahergt
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1条）。极限值
最小值
初始值的
最大值
SJ20055-92
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，碗定品体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
测试电路见图A1。
电压源
A3步骤
集电极-发射极击穿电压测试电路限流电阻R，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR>CEO的最低极限，则晶体管为合格。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂负责起草。本规范主要起草人：王长福、、王承琳、谢佩兰。计划项目代号：B01012。
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