本规范规定了3DK1O3型NPN硅小功率开关品障管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级). SJ 20056-1992 半导体分立器件 ３ＤＫ１０３型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 SJ20056-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本规范规定了3DK1O3型NPN硅小功率开关品障管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).

GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法

1范围
中华人民共和国电子行业军用标半导体分立器件
3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
Semicunduelor diserele drierDelail speciricat Eun tor siliron NPNlowpowerswitchingtransistornftype3nk1031.1主题内容
SI2005692
本规范规定了3DK103型NPN硅小功率开关品送管《以下简称器件）的详细婴求，每独器件按GTB33半导体分立器件总规范的规定，提供产用保证的三个等级（GP.GT和GCT级)。
中国电子工业总公司1992-11-19发布1393-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ 20056—S2
外形尺寸应合GB7581《半导体公立器外形尺寸中的A3-01B型及如下规定，见图I
引出端吸性，
1.发射极
图1外形尺寸
3.集电极
TKAONKAca
1.3最大额定值
3DK1033
3DK103C
Ta=25r
Te25℃
SJ 20356-92
注：1）Ta>25℃时，按1.7mW/的速率线生降额。2）T>25C时，按6.3mW/的速率线性降额。1.4主要电特生(T-25℃)
tr(Ver=1V)
3DK103B
3DK103C
3DK109B
3DK103E
3DK103C
2引用文件
最大值
Ves-20V
le- 20mA
f=100MHz
般小笠
殿大道
Ie- 30m:A
Is=3nA
最小值
最大值
l:=10mA
斑小堂
敢大值
F-_MHz
Veh=10V
最小值·
最大宿
I:--50nA
In=smA
鼠小俏
GB4587-84双极型晶体管测试方法授大假
GB7581--87半导体分立舒件外形尺寸GJB33—85半导体分立器总规范
GJB128—86半导体分立器件试验方法Vaio
e= 30mA
最小值
最大值
le=30mA
Ja=3mA
最小值
最大值
H= 3CmA
最大值
—65~～ +205
fe=50mA
最大宣
最小他
le=33mA
Im= g= 3nA
最小值
最大值
Vurcan
Ic=50mA
In= 5mA
最小值
最大值
3要求
3.1详纸要求
S.J 20056—92
各项娶求应按GJB33和本热范的规定。3.2设计、结拘和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按B33非本规范的规定，3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为链金，镀锡或浸锡。对引出罪材料和塗层要求的选择或另有要求时,在合同或订单中应明碰规定（见第6意）。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抵样和检验
抽样和检验应按GJB 33和本观范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4. 3筛选(仅对 GT和GCT级）
应接CJB33表2和本规范的规延。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
( GJB 33 表 2)
7．中间参数测试
&功率老化
9．鼻后凝试
4.3.1功率老化茶件
TA—25±3C
Van15V(3DK103B)
Ve=25V(3DK1C3C)
Pur 3comW
注，不允许在器详上加散热器或强追风冷。4.4质量一致性检验
au hreg
见4.3.1条
测试或试验
云规范表1的A2分组；
2比-配始值的100%或2℃mA，其较大者25剂始值的士20%
质量一致性检验应GJB33的规定进行。4. 4.1 A组检验
TKAONKAca
SJ 20056—92
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4. 2 8 组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（A）要求应按本规范表4的步骤进行.
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化最（A)要求应按本规范表 4 的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列短定：4. 5. 1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128中3.3.2.1条的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机被检验
A2分组
集电极-基极击穿电压
3DK103B
3DK103
发射极-基极击穿电压
染电极-发射极击穿电压
3DK103B
3DK103C
集电极-发射摄击穿电压
3DK103B
3DK103C
集电极-基极截止电院
3DK103B
3DK103C
发射极-基极敲止电流www.bzxz.net
正向电流传输比
正柯电流传辆比
正向电流传输比
正间电流传输批
集电极-发射极恺和压降
GJE128中
2. 9. 2. 2
本规范
本规他
附录A
G34587
发身极-基极开路
梁电圾-驾极开路
Tk=10μA
发射极-基极开路
Ir-100μA
发射投-基极开路
发射极-基极开路
Veg-50V
集电被-基极汗路
V=1V,J,=1mA
Vce --1 V de -- 10mA
Vc=1VI= 30mA
Yc -1V.Ic - 50mA
1c—30mA3mA
ViBAce
极限值
最小值最大值位
VeHRXEOI
Vurinil
检验或试验
集电板-发射极饱和压降
基极-发射极抱和压降
基被-发射极饱和压降
A3 分组
高温工作，
燃电极-基极截止电流
DK103B
3DK103C
嵌温工作：
正间电流传输比
A4 分组
特征频率
开路输出电容
饱和开启时间
饱和关团时间
A5,A6和AT分组
不适用
SJ.20056—92
续表1
G13 4587
Ic- 50mA I-5mA
Ic=30mA
Te=50mAJ, 5mA
TA=+150℃
发射极-基极开酪
Vea30V
Via-50V
TA=55C
Vα-1V,Ie - 30mA
Vo--10V,Ie-- 20mA.
=-100MHz
VG-10V.le=-0
f=1MHz
tc - 30mA,In- 3mA
Ic=- 30mA,1 = I 2- 3mA
VeEcut
Vsecam
极限值
最小值最大道
TTKAONKACa-
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击(温度循环)
a细检摄
b.扭检渐
最后测试：
B3分组
藝态工作寿命
最后测试，
BA分组
开幅内部目检
（设计验证）
健合强度
B5分组
不适用
B6 分组
高寿命
(深工作）
最后测试！
SJ 20056—-92
表 2B组检验
GFB128
见表 1,步骤1:3 和4
Ven *-10V Pm -- 300mW
=25±3℃
不化许器件加散热器或强迫风冷见表1步燥2和5
目按标准按整定时的设计
TA200 C
见表4,步乐2和 6
每批-个器件0.失效
20(C=0)
检验或试验
C1分祖
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力）
引出蹦强度
a.细检滑
b.粗检滑
综合备度/湿度周期试验
外观及机旅检验
最后测试
ca 分组
变额报动
恒定加速度
最后测试:
C4 分组
盐气(适用时）
C5 分组
不适用
C6 分组
稳态工作寿命
最后测试：
SJ 20056--.92
表 3 C 组检验
见图1
试验条件A
试验条件E
可表4.兆频13和4
见表 4.步舜1.3和4
.Ta-25±3℃ Vtr-10V
Piu = 300mW
不允许器件加散热器或
强追风玲
比表4,步骤 2和 6
极限值
最小值最大值
TKAONKAca
检验或试验
电极-基极截止电瓶
3DK103B
3DK10SC
集电极-基极截止电流
3DK103B
3DK103C
电极-发射极炮和压降
延向电统传愉比
正问电谊传输比
SJ 20056—92
装4B组和C组的最后测试
发射极-基极开路
Vea= 30V
Ven= 50V
发射极-基极升路
Ves=30V
Vta= 5uV
Te30mA
Iμ=3mA
Te - 30mA
Te=30mA
试：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接改。5交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
合同或订货单应规定要求的引出端材料和层（见3.2.1条），极限值
最小值
初始值的
最大使
S1 20056--92
降景A
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下,确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低故限。A2测试电路
测试电路见图A1。
电压源
图A1渠电极-发射极击穿电压测试电路A3步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过度的也流流过晶控管利电流表，在发射极-基极开路的条件下，增加压直至达到规定的源试电流。如果在规定的测试电疏下所加的电压大于VR心ED)的最低极限，则晶体管为合格，附加说明：
本规范由中国电了工业总公司科技质基局提出，本规范由中国电子技术标准化研究所门口。本规范由中属电了技术标催化研究所和石家排无线电二厂负责起草。本规范主要起草人·长稿、主承琳、谢佩兰。计划项目代号：B01013。
rrrKAoNiKAca
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