本规范规定了3Dk104型NPＮ硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求;每种器件按ＧＪB33《半导体分立器件息规范》的规定，提供产品保证的三企等级(GP、GT和GCT级). SJ 20057-1992 半导体分立器件 ３ＤＫ１０４型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 SJ20057-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本规范规定了3Dk104型NPＮ硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求;每种器件按ＧＪB33《半导体分立器件息规范》的规定，提供产品保证的三企等级(GP、GT和GCT级).

GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法

1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
Semiconductor discrcte deviceDetail spceification for silicon NPNlow power switching transistor of type 3DK1041.1主题内容
SJ20057—92
本规范规定了3DK104型NPN硅小功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。
1992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ2005792
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-02B型及如下规定，见图1：
引出端极性：
1.发射极
3.集电极
图1外形尺寸
.0.407
A3-02B
1.3最大额定值
3DK104A
3DK104B
3DK104C
3DK104D
Te-25℃
SJ20057-92
注：1）T>25℃时，按4.0mW/℃的速率线性降额。2）Tc>25℃时.按15mW/C的速率线性降额。1.4主要电特性（T^=25℃)
3DK104A
3DK104B
3DK104C
3DK104D
3DK104A
3DK104B
3DK104C
3DK104D
3DK104A
3DK104B
3DK104C
3DK104D
最小值
最大值
f=30MHz
Veg-10V
le=50mA
最小值
最大值
Ie=100mA
Ig=10mA
最小值
最大值
注：1)脉冲法（见4.5.1条）。
hy(Veg=3V)
c=10mA
最小值
最大值
f=1MHz
Ves=10V
最小值
最大值
Ver(aul
le=300mA
Ig=30mA
最小值
最大值
le=200mA
最小值
最大值
le=300mA
Ig-30mA
最小值
最大值
Vakaut3
le-100mA
Ig=10mA
最小值
最大值
-65~+200
le=300mA
最小值
最大值
lc=300mA
Iai=lz30mA
最小值bzxz.net
最大值
VhE(nngl)
le300mA
Ig=30mA
最小值
最大值
引用文件
SJ20057—92
GB4587-84双极型晶体管测试方法GB7581—87
7半导体分立器件外形尺寸
GJB33--85
半导体分立器件总规范
GJB128-—86
半导体分立器件试验方法
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡.对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见第6章）。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
中间参数测试
8．功率老化
最后测试
4.3.1功率老化条件
TA=25±3℃
Vc=30V(3DK104A.C)
lcwon和hFes
见4.3.1条
测试或试验
按本规范表1的A2分组；
4/cn=初始值的100%或50nA，取其较大者；Ahrs=初始值的士20%
SJ20056--92
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（A）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（A)要求应按本规范表4的步骤进行.
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128中3.3.2.1条的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
集电极-基极击穿电压
3DK103B
3DK103C
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
3DK103B
3DK103C
集电极-发射极击穿电压
3DK103B
3DK103C
集电极-基极截止电流
3DK103B
3DK103C
发射极-基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极-发射极饱和压降
GJB128中
本规范
附录A
本规范
附录A
GB4587
发射极-基极开路
le-10μA
集电极-基极开路
Ik=10A
发射极-基极开路
le=100μA
发射极-基极开路
发射极-基极开路
Ves=30V
Vc#=50V
集电极-基极开路
Ve,-1V,lc-ImA
Vcg=1V.le=-10mA
Veg=1V,1c=30mA
Ve=1V,le50mA
Ic-30mAI-3mA
TPD符
VIRERO
极限值
最小值最大值
VHROCEO
VsKCEUe
Vegoani
检验或试验
发射极-基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极-发射极饱和压降
集电极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
A3分组
高温工作：
集电极-基极截止电流
3DK104AC
3DK104B.D
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
特征频率
开路输出电容
饱和开启时间
3DK104A.B
3DK104C、D
饱和关闭时间
3DK104A.B
3DK104C.D
A5、A6和A7分组
不适用
SJ20057--92
续表1
GB4587
集电极-基极开路
Vea=5V
Vcg=-3V,le-lmA
Vc-3V,l-10mA
Vc=3Vle=200mA
脉冲法（见4.5.1条）
Veg=3V.le=300mA
脉冲法（见4.5.1条）
le=100mAIg=10mA
le=300mAl:=30mA
脉冲法（见4.5.1条）
le=100mAg=10mA
le=300mA
lg=30mA
脉冲法（见4.5.1条）
TA=+150C
发射极-基极开路
Ven-80V
TA--55C
Ve3V.lc-10mA
Vcg-10V.le-50mA
f=30MHz
Vca-10V.1:=0
lcm300mAl=30mA
le=300mA
ImIg=30mA
LTPD符
VerGan
极限值
最小值最大值
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开帽内部目检
（设计验证）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
(不工作）
最后测试：
SJ20057-92
表2B组检验
GJB128
见表4.步骤1.3和4
Vem=30VPu=700mW
T-25±3C
不允许器件加热器或强迫风冷
见表4，步骤2和5
目检标准按鉴定时的设计
TA-200℃
见表4，步骤2和5
每批一个器件，0失效
20(C0)
C1分组
检验或试验
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试，
C3分组
变频摄动
恒定加速度
最后测试，
C4分组
盐气（适用时）
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
SJ20057—92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4.步骤1.3和4
见表4，步骤1、3和4
TA-25±3CVch-30V
Pa.=700uw
不允许器件加散热器或
强迫风冷
见表4.步骤2和5
入=10
极限值
最小值最大值
检验或试验
集电极-基极截止电流
3DK104A.C
3DK104B.D
集电极-基极截止电流
3DK104A.C
3DK104B、D
集电极-发射极饱和压降
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ20057—92
表4B组和C组的最后测试
CB4587
发射极-基被开路
Ven=60V
VeB-80V
发射极-基极开路
Vc#=-60V
Von-80V
Ic=100mA
1=10mA
脉冲法（见4.5.1条）
VeE-3V
le=200mA
脉冲法（见4.5.1条）
Ver=3V
le200mA
脉冲法（见4.5.1条）
注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
极限值
最小值
初始值的
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1条）。段大值
A1目的
SJ20057-92
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
测试电路见图A1。
电压源
集电极-发射极击穿电压测试电路A3步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过度的电流流过品体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(nRCEO的最低极限，则晶体管为合格。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂负责起草。本规范主要起草人：王长福、、王承琳、谢佩兰。计划项目代号：B01014。
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