本规范规定了3DK105型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20058-1992 半导体分立器件 ３ＤＫ１０５型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 SJ20058-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本规范规定了3DK105型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件）的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

GB 4787-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法

1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK105型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificationForsiliconNPNlowpower switching transistor of type3DK1051.1主题内容
SJ20058-92
本规范规定了3DK105型NPN硅小功率开关品体管（以下简称器件）的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。
中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ20058-92
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-02B型及如下规定，见图1
引出端极性：
1.发射极
3.集电极
中40.30?x?
图1外形尺
A3-02B
1.3最大额定值
3DK105A
3DK105B
TA=25℃
Te-25℃
SJ20058—92
注：1）T>25C时，按4.0mW/℃的速率线性降额。2）Tc>25℃时，按15mW/℃的速率线性降额。1.4主要电特性（T^25℃）
3DK105A
3DK105B
3DK105A
3DK105B
3DK105A
3DK105B
注：1)
le=ImA
最小值
最大值
Veg-10V
Ie-50mA
f-30MHz
段小值
最大值
Ie300mA
In=30mA
最小值
最大值
脉冲法（见4.5.1条）。
引用文件
GB4587--84
GB7581-87
GJB3385
hg(Veg=1V)
le10mA
最小值
最大值
f=1MHz
Vec=-10V
最小值
最大值
Vceiama
le50GmA
Ig=50mA
最小值
双极型品体管测试方法
段大值
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
le=300mA
最小值
最大值
lc=500mA
Ig=50mA
最小值
最大值
le=300mA
l=30mA
最小值
最大值
—65~+200
lc=500mA
最小值
最大值
lc=500mA
Im-=50mA
最小值
最大值
le=500mA
最小值
最大值
GJB128-86
3要求
3.1详细要求
SJ20058—92
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见第6章）。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
7.中间参数测试
8．功率老化
最后测试
4.3.1功率老化条件
T=25±3℃
Vc=20V(3DK105A)
VcB=30V(3DK105B)
Ptot=700mW
注：不允许在器件上加散热器或强迫风冷。4.4质量一致性检验
les和hyey
见4.3.1条
测试或试验
按本规范表1的A2分组；
A/cu=初始值的100%或30nA，取其较大者A/=初始值的土20%
质盘一致性检验应按GJB33的规定进行。4
4.4.1A组检验
SJ20058-92
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按CJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。瑕后测试和变化量（A）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128中3.3.2.1条的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
集电极-基极击穿电压
3DK105A
3DK105B
发射极-基极击穿电压
染电极-发射极击穿电压
3DK105A
3DK105B
集电极-发射极击穿电压
3DK105A
3DK105B
集电极-基极截止电流
3DK105A
3DK105B
发射极-基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
GJB128中
本规范
附录A
本规范
附录A
GB4587
发射极-基极开路
Te10pA
集电极-基极开路
Ig-10μA
发射被-基极开路
le=100A
发射极-基极开路
脉冲法（见4.5.1条）
发射极-基级开路
VeH=30V
集电投-基极开路
Ve-[V,le=ImA
Vez-1V.l.=10mA
Vey-1Vle300mA
Ve-1V.l:500mA
Venncho
VRCHON
极限值
最小值最大值
检验或试验
集电极-发射极饱和压降
集电极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
基极-发射极他和压降
A3分组
高温工作：
集电极-基极截止电流
3DK105A
3DK105B
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
特征频率
开路输出电容
饱和开启时间
饱和关闭时间
A5、A6和A7分组
不适用
SJ20058-—92
续表1
GB4587
le300mA
le=500mAl=50mA
脉冲法（见4.5.1条）
lc=300mAIg=30mA
le=500mA
Ig=50mA
脉冲法（见4.5.1条）
Ta=+150℃
发射段-基极开路
Vea=30V
Ven-50V
Ta=-55C
Ver=-1V.le=10mA
Vug-10V.=50mA
f=30MHz
Vcx=10V,1g=0
f-1MHz
lc-500mA.1=50mA
le-50UmA./=/=50mA
LTPI符
VnECani
VHECnt
极限值
最小做
最大值
检验或试验
B1分组
可焊性·
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开暂内部目检
（设计验证）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
(不工作）
最后测试：
SJ20058--92
表2B组检验
GJB128
见表4，步骤1.3和4
Vea=20VPu=700nW
Ta=25±3℃
不允许器件加教热器或强迫风冷见表4,步骤2和5
日检标准按鉴定时的设计
Ta=200℃
见表4.步骤2和5
每批一个器件，0失效
20(C=0)
C1分组
检验或试验
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试，
C4分组
盐气（适用时）
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
SJ20058—92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4.步骤1、3和4
见表4,步1、3和4
T=25±3CVe=20V
pu=700mW
不充许器件加散热器或
强迫风冷
见表4.步骤2和5
LTPD符号
极限值
最小值最大值
检验或试验
集电极-基极截止电流
3DK105A
3DK105B
集电极-基极搬止电流
3DK105A
3DK105B
集电极-发射极饱和压降
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ2005892
表4B组和C组的最后测试
GB4587
发射极-基极开路
Vegm30V
Vea50V
发射极-基极开路
Vea-30V
Ves=50V
lc=300mA
I=30mA
脉冲法（见4.5.1条）
lc=300mA
脉冲法（见4.5.1条）
Veg=-1V
le=300mA
脉冲法（见4.5.1条）
注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
6-说明事项
Ahpggi
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1条）。极限值
最小值
初始值的
最大值
SJ20058-92
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条下，确定品体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路免费标准下载网bzxz
测试电路见图A1。
电压源
A3步骤
集电极-发射极击穿电压测试电路限流电阻R，应足够大，以避免过度的电流流过品体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(限)CBO的最低极限，则晶体管为合格。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂负责起草。本规范主要起草人，王长福、、王承琳、谢佩兰。计划项目代号：B01015。
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