SJ 20059-1992
基本信息
标准号： SJ 20059-1992
中文名称：半导体分立器件 ３ＤＧ１１１型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
发布日期：1992-11-19
实施日期：1993-05-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：KB
标准分类号
中标分类号：综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理
关联标准
出版信息
出版社：电子工业出版社
页数：10页
标准价格：14.0 元
出版日期：1993-04-01
相关单位信息
起草人：王长福、王承琳、谢佩兰
起草单位：中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂
归口单位：中国电子技术标准化研究所
提出单位：中国电子工业总公司科技质量局
发布部门：中国电子工业总公司
标准简介
本规范规定了３DG111型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级). SJ 20059-1992 半导体分立器件 ３ＤＧ１１１型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范 SJ20059-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本规范规定了３DG111型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).
本规范规定了３DG111型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).
标准图片预览
标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ20059—92
3DG111、3DG120型
NPN硅高频小功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for silicon NPN high--frequenclow-powertransistoroftype3DG111and3DG1201992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DG111型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificationforsiliconNPNhigh-frequencylow-powertransistoroftype3DG1111.1主题内容
SJ20059—92
本规范规定了3DG111型NPN硅高频小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。
中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ2005992
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-01B型及如下规定，见图1：
引出端极性：
1.发射极
3.集电极
图1外形尺寸
A3-01B
1.3最大额定值
3DGI11B
3DG111C
3DGI11E
3DG111F
TA-25C
Te-25℃
SJ20059-92
注：1）T^>25C时，按1.7mW/C线性地降额。2）Te>25C时，按5.7mW/℃线性地降额。主要电特性（T^=25℃）
3DG111B
3DG111C
3DG111E
3DG111F
3DG111B
3DG111C
3DG111E
3DG111F
最小值
最大值
f=1MHz
Vcs-10V
最小值
引用文件
GB4587—84
GB7581-87
GJB33—85
GJB128--86
最大值
hrE(Vc-10V)
lc=3mA
最小值
Va-10V
le=10mA
f=100MHz
最小值
最大值
双极型晶体管测试方法
最大值
Ie-10mA
最小值
VcE(at)
le=10mA
Ig=1mA
最小值
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
最大值
最大值
VrE(at)
-65~～+200
Ic=30mA
最小值
le-10mA
最小值
最大值
最大值
Veg=10V
Ic=10mA
f-30MHz
最小值最大值
3要求
3.1详细要求
SJ20059-92
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计，结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见第6章）。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
7.中间参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
TA=25±3℃
Vcn=20V(3DG111B,E)
Vc=30V(3DGI111C.F)
Ptot-300mW
注：不允许在器件上加散热器或强追风冷。4.4质量致性检验
Icon和hres
见4.3.1条
试或试验
按本规范表1的A2分组；
AIcnor=初始值的100%或5nA，取其较大者：Ahrea=初始值的士15%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行，4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
SJ20059—92
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（4）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128中3.3.2.1条的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
集电极-基极击穿电压
3DG111B.E
3DG111C.F
集电极-发射极击穿电压
3DG111B.E
3DG111C、F
发射极-基极击穿电压
集电极-基极截止电流
3DG111B、E
3DG111C.F
发射极-基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
，集电极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
GJB128中
本规范
附录A
GB4587
发射极-基极开路
Ic=10μA
发射极-基极开路
Ic=5mA
脉冲法（见4.5.1条）
集电极-基极开路
Ig=10μA
发射极-基极开路
Vca=30V
Vca-50V
集电极-基极开路
Vck10V
Vce-10V
Ic=3mA
Vee-10V
Ie=10mA
VcE=-10V
Ic=30mA
Te=10mV
Is=ImA
le=10mA
Ig-ImA
TPE符
VRREnO
Vce(at)
VsE(at)免费标准下载网bzxz
VcBR)CBO
V(BRXCEO
极限值
最小值最大值
检验或试验
A3分组
高溢工作：
集电极-基极载止电流
3DG111B.E
3DG111C.F
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
开路输出电容
特征颖率
3DG111B.C
3DG111E.F
功率增益
A5、A6和A7分组
不适用
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（蕴度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
SJ20059—92
续表1
GB4587
TA=+150℃
发射极-基极开路
VcB=30V
Vcg-50V
TA—-55C
Vca-10V
Ic10mA
Vc-10V,lg=0
Vcg=10V,lc=10mA
f100MHz
VcE-10V
f-30MHz
表2B组检验
GJB128
见表4，步骤1、3和4
TPE符
极限值
最小值最太值
检验或试验
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开幅内部目检
(设计验证）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
（不工作）
最后测试：
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检溺
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盘气（适用时）
SJ20059—92
续表2
GJB128
Vcs=20V,Pot=300mW
TA=25士3℃
不充许器件加散热器或强迫风冷见表4，步骤2和5
目检标准按鉴定时的设计
TA=200℃
见表4，步骤2和5
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4.步骤1.3和4
见表4，步骤1、3和4
每批一个器件，0失效
20(C-0)
极限值
最小值最大值
C5分组
不适用
C6分组
检验或试验
稳态工作寿命
最后测试：
检验或试验
集电极-基极截止电流
3DG111B、E
3DG111CF
集电极-基极截止电流
3DG111B.E
3DG111CF
集电极一发射极饱和压降
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ20059—92
续表3
GJB128
TA=25±3CVca-20V
Pt=300mW
不充许器件加散热器或强迫
见表4，步骤2和5
表4B组和C组的最后测试
GB4587
发射极-基极开路
Vca=30V
VcB=50V
发射极-基极开路
VeB=30V
VcB=-50V
c=10mA
Ig=1mA
Ver=10V
Ic=10mA
Ver=10V
le=10mA
注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5：交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1条）。8
极限值
最小值最大值
最小值
最大值
初始值的
SJ20059—92
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法(补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
测试电路见图A1.
电压源
集电极-发射极击穿电压测试电路图A1
A3步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过度的电流流过品体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BRCEO的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂负责起草。本规范主要起草人，王长福、谢佩兰、王承琳。计划项目代号：B01018。
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半导体分立器件
SJ20059—92
3DG111、3DG120型
NPN硅高频小功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for silicon NPN high--frequenclow-powertransistoroftype3DG111and3DG1201992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DG111型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificationforsiliconNPNhigh-frequencylow-powertransistoroftype3DG1111.1主题内容
SJ20059—92
本规范规定了3DG111型NPN硅高频小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。
中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ2005992
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-01B型及如下规定，见图1：
引出端极性：
1.发射极
3.集电极
图1外形尺寸
A3-01B
1.3最大额定值
3DGI11B
3DG111C
3DGI11E
3DG111F
TA-25C
Te-25℃
SJ20059-92
注：1）T^>25C时，按1.7mW/C线性地降额。2）Te>25C时，按5.7mW/℃线性地降额。主要电特性（T^=25℃）
3DG111B
3DG111C
3DG111E
3DG111F
3DG111B
3DG111C
3DG111E
3DG111F
最小值
最大值
f=1MHz
Vcs-10V
最小值
引用文件
GB4587—84
GB7581-87
GJB33—85
GJB128--86
最大值
hrE(Vc-10V)
lc=3mA
最小值
Va-10V
le=10mA
f=100MHz
最小值
最大值
双极型晶体管测试方法
最大值
Ie-10mA
最小值
VcE(at)
le=10mA
Ig=1mA
最小值
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
最大值
最大值
VrE(at)
-65~～+200
Ic=30mA
最小值
le-10mA
最小值
最大值
最大值
Veg=10V
Ic=10mA
f-30MHz
最小值最大值
3要求
3.1详细要求
SJ20059-92
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计，结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见第6章）。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
7.中间参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
TA=25±3℃
Vcn=20V(3DG111B,E)
Vc=30V(3DGI111C.F)
Ptot-300mW
注：不允许在器件上加散热器或强追风冷。4.4质量致性检验
Icon和hres
见4.3.1条
试或试验
按本规范表1的A2分组；
AIcnor=初始值的100%或5nA，取其较大者：Ahrea=初始值的士15%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行，4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
SJ20059—92
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（4）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128中3.3.2.1条的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
集电极-基极击穿电压
3DG111B.E
3DG111C.F
集电极-发射极击穿电压
3DG111B.E
3DG111C、F
发射极-基极击穿电压
集电极-基极截止电流
3DG111B、E
3DG111C.F
发射极-基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
，集电极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
GJB128中
本规范
附录A
GB4587
发射极-基极开路
Ic=10μA
发射极-基极开路
Ic=5mA
脉冲法（见4.5.1条）
集电极-基极开路
Ig=10μA
发射极-基极开路
Vca=30V
Vca-50V
集电极-基极开路
Vck10V
Vce-10V
Ic=3mA
Vee-10V
Ie=10mA
VcE=-10V
Ic=30mA
Te=10mV
Is=ImA
le=10mA
Ig-ImA
TPE符
VRREnO
Vce(at)
VsE(at)免费标准下载网bzxz
VcBR)CBO
V(BRXCEO
极限值
最小值最大值
检验或试验
A3分组
高溢工作：
集电极-基极载止电流
3DG111B.E
3DG111C.F
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
开路输出电容
特征颖率
3DG111B.C
3DG111E.F
功率增益
A5、A6和A7分组
不适用
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（蕴度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
SJ20059—92
续表1
GB4587
TA=+150℃
发射极-基极开路
VcB=30V
Vcg-50V
TA—-55C
Vca-10V
Ic10mA
Vc-10V,lg=0
Vcg=10V,lc=10mA
f100MHz
VcE-10V
f-30MHz
表2B组检验
GJB128
见表4，步骤1、3和4
TPE符
极限值
最小值最太值
检验或试验
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开幅内部目检
(设计验证）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
（不工作）
最后测试：
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检溺
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盘气（适用时）
SJ20059—92
续表2
GJB128
Vcs=20V,Pot=300mW
TA=25士3℃
不充许器件加散热器或强迫风冷见表4，步骤2和5
目检标准按鉴定时的设计
TA=200℃
见表4，步骤2和5
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4.步骤1.3和4
见表4，步骤1、3和4
每批一个器件，0失效
20(C-0)
极限值
最小值最大值
C5分组
不适用
C6分组
检验或试验
稳态工作寿命
最后测试：
检验或试验
集电极-基极截止电流
3DG111B、E
3DG111CF
集电极-基极截止电流
3DG111B.E
3DG111CF
集电极一发射极饱和压降
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ20059—92
续表3
GJB128
TA=25±3CVca-20V
Pt=300mW
不充许器件加散热器或强迫
见表4，步骤2和5
表4B组和C组的最后测试
GB4587
发射极-基极开路
Vca=30V
VcB=50V
发射极-基极开路
VeB=30V
VcB=-50V
c=10mA
Ig=1mA
Ver=10V
Ic=10mA
Ver=10V
le=10mA
注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5：交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1条）。8
极限值
最小值最大值
最小值
最大值
初始值的
SJ20059—92
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法(补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
测试电路见图A1.
电压源
集电极-发射极击穿电压测试电路图A1
A3步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过度的电流流过品体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BRCEO的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂负责起草。本规范主要起草人，王长福、谢佩兰、王承琳。计划项目代号：B01018。
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。