本规范规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求.该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级). SJ 20060-1992 半导体分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范 SJ20060-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本规范规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求.该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).

GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7092-1986 半导体集成电路外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法

1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DG120型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
Senicontlerctor discrete deviceDetail specificationfersiliconNpN tigih--frequencylow--power transistor of type 3DG1201.1主题内容
SJ 2006092
本规范规定了3DG120型NPN硅高小功率晶体管（以下简称器件>的详细要求.该种器件按GIB33半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP.GT和GCT级)。
中国电子工业总公司1992-11-19发布1
1993-05-01实施
1.2外形尺寸
S.J20060—92
外形尺寸应符合GB7581卡导体分立器件外形尺寸中的A3-02B型及如下规定，见图1：
引出端极性：
1.发射极
3.集电板
Fpu. 30f M
0. 35 (MxM
图1外形尺寸
A3-02B
rKAoNiKAca
1.3最大额定值
3G120A
3DG120B
3DG120C
3DG120D
Te=25c
S.I 20060 - 92
注：1）T25它时，按2.9mW/C线性地降额。2)Te>25C时,按 10mW/线性池降额。主要电特性（TA25C)）
3DG120A
3DG120B
3DG120C
3DG120D
3EG120A
3XG120F
3DG120C
3DG120D
最小值
最大值
J-IMHz
VeB 1V
最小值：最大值
(Ver-10V)
Je=3mA
最小值
Ver-10V
Ic—50mA
f-100MHz
最小值最大值
注：1)脉冲法（见4.5.1条）。
2 引用文件
GB4587—84双极型晶体管测试方法最大值
Ic-30mA
最小值
Ie=50mA
In=5mA
最小馆最大值
GB7581—81半导体分立器件外形尺寸GJB 33—85
半导体分立器件总规
GJB128—86半导体分立器件试验方法最大值
—65～+200
Ic=100mA
最小值
le=50mA
最小值
最大值
最大值
Ver =10V
Ic 30mA
f—30MHz
最小值最大值
3要求
3.1详细要求
SJ 20060-92
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计,结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按 GJB33和本规范的规定，3.2.1 引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见第6章）。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和捡验应按GJB33和本规范的规定。4. 2鉴定检验
鉴定检验应按 GJB 33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（GJB33表2）
7.中间参数测试
8.功率老化
9. 最后测试
4.3. 1功率老化条件
功率老化条件如下，
TA=25±3
VcB=- 20V(3DG120A,C)
Vce - 30V (3DG120B,D)
P tot =- 5 00m W
注：不无评在器件上加散热器或强追风玲。4.4质量--致性检验
Ieoi和hyca
见4.3.1条
测试戴试验
按本规范表1的A2分组；
Mor=初始值的 100%或 5nA,其较大者+4m;=初始值的士20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A 组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B 组检验
TKAONKAca
SJ 2006092
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量()要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB 33和本规范表 3的规定进行。最后测试和变化量()要求应按本规范表 4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
捡验稚试验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测[试应按 GJB 128 中 3. 3. 2. 1 条的规定,表 1 A 组按验
检验或试验
AI分组
外观和机械验
A2分组
集电极-基极击穿电压
3nG120A.C
3DG120B.D
集电极-发射极击穿电压
3DG120A.C
3DG120B,D
发射极-基极专穿电压
单电-基极截止电流
3DG120A,C
3DG120B,D
发射板-基极截止电流
正向电施传输比
正向电斑传输理
正向电统传掩比
正向电流传输比
巢电极-发射极饱和压降
基摄-发射极跑和压降
GJR128中
2. 9. 2. 1
本规范
附录A
2. 9. 2. 2
GB4587
茶．件
发射极-基极开路
Ic=10μA
发射极-蒸极开路
fe 5mA
脉冲法(见 4.5.1条)
集电极-基极开路
Ig=10pA
发射极-基极并路
Vce= 30
Voa-50V
算电极-基极开路bZxz.net
Ve=10V
4e=0. 5mA
Ver-10V
Is = 3mA
Yee=JoV
fe =- 30mA
Vcr-10V
fe=100mA
肽冲法(见 4. 5. 1 条)
Ie= 50mA
Ig=5mA
Ic=50mmA
HTPD符
Vaeexca
极限值
最小值最大值
VARTEB)
检验或试验
A3分组
高温工作：
集电极-基极截止电谊
3DG120A.C
3DC120B,D
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
开路输出电容
等征频率
3DG120A,B
3DG120C.D
动率益
A5.A6和 A7 分组
不追用
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久杜
B2分组
热冲击(温度循环)
a.细检漏
l.粗检漏
最后测试：
SJ 20060—-92
续表1
GB4587
Ta=+150r
发射极-基极开路
VecB— 30V
Vcn= 50V
TA-—55C
V= 10V
Ic-30mA
Vc6-10V,Je-- 0
↑=1MHz
Ver - 10V.Ic - 30mA
f-100MHz
Vee-lov
Ic=30mA
f=30MHz
表 B组检验
GJB128
见表4步骤1,3和4
LTPL符
极限值
最小值最大值
TTKAONKACa-
B3分组
抢验或试验
穗态工作寿命
最后测试：
B+分组
开幅内部目检
(设计验证》
链合强度
B5 分组
不适用
R6分组
高温寿命
(不工作)
最后测试，
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
a.结检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械控验
最后测试，
C3分组
变频振动
值定加邀度
最后测试：
SJ 2006092
续表 2
GJE128
Veg=20V ,Ptu- 500m
TA=25±3℃
不允许器件加散热器或强追风冷见表 4 +步显 2 和 5
目枪标准按鉴定时的设计
TA-200℃
见表4,步膜&和5
表 3 C 组检验
GJB128
见图 1
试验条件 A
试验条件E
死表 4,步骤 1.3 和 4
见表 4,步骤 1,3 和 4
每批一个器作,D 失效
20(C=0)
极限值
最小值最大值
C4分组
检验或试验
盐气（适用时）
C5 分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
检验或试验
集电极-基极截止电流
3DG120A.C
3DG120B、D
集电极-基极截止电流
3XG120A.C
3DG120B.D
集电极-发射极饱和压降
正向电铺传输比
正向电流传输比
SJ 20060-92
续表3
GJB128
TA-25±3℃,Vrg-20V
Pu=500mW
不允许器件加散热器或强追风
见表 4,步骤 2 和 5
表 4 B 组和 C 组的最后测试
GB 4587
发射摄-基极开路
Vea=30V
Ven=50V
发射极-基极开路
Ven=30V
Vra-50V
Ia = 50mA
Ia-SmA
Ver=10V
Iα= 30mA
Vere-10V
= 30mA
注：1)对于本试验,超过 A组极限值的器件不应接收。5交货准备
包装要求应按 GJB 33 的规定,
6说明事项
VeEuants
Alipagu
合同或订货单应规定要求的引出端材料和途层（见3.2.1条）极限值
最小值最大值
极限值
最小值
最大值
初始值的
-rKAONKAca-
A1目的
SJ2006092
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
测试电略见图A1.
电压源
翻A1集电极-发射极击穿电压测试电路A3步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过度的电流流过品体管和电流表，在发射极-基极开路的条件下,增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于(BR)CED的最极限值，则晶体管为合格，附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出，本规范出中国电子技术标化研究所归口，本现范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂负资起草。本规范主要起节人,王长福谢佩兰、王承琳。计划项目代号，B01019。
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