This standard specifies the type, size, technical requirements, inspection rules, test methods, marking, packaging, transportation, storage and other requirements of aluminum nitride ceramic wafers (hereinafter referred to as "aluminum nitride ceramic wafers") for power semiconductor modules. This standard applies to the production, sale and use of aluminum nitride ceramic wafers for power semiconductor modules. JB/T 8736-1998 Aluminum nitride ceramic wafers for power semiconductor modules JB/T8736-1998 Standard download decompression password: www.bzxz.net

中华人民共和国机械行业标准
JB/T 8736-1998
电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片1998-05-28发布
中华人民共和国机械工业部
1998-11-01 实施
JB/T8736-1998
随着电力半导体模块技术的发展，其产品质量与基片技术性能的关系愈来愈密切。电力半导体模块内部发热量较大，采用高导热率基片，才能有效地降低产品的内部结温，提高产品的可靠性。氮化铝（ALN)便是一种很有前途的高导热材料，ALN基片具有热导率高（可达270W/m·K)、热胀系数与硅相近、电气绝缘性能、介电常数与介质损耗低、机械性能好、无毒等特点，可广泛应用于电力电子、功率电路、半导体制冷等领域。为适应市场需要和进一步促进ALN基片的生产和应用，特制定本标准。本标准针对电力半导体模块对高导热率ALN基片的需求特点，规定了ALN基片的性能、技术指标、检验规则等。对ALN基片几何尺寸，本标准仅规定了前用于电力半导体模块的几种典型产品。本标准目前智无与之对应的国际标准。本标准于1998年5月28日首次发布并实施。本标准由机械工业部西安电力电子技术研究所提出并归口。本标准由电子工业部第四十三所负责起草。本标准主要起草人：徐东升、黄岸兵、崔嵩、雷剑。1范围
中华人民共和国机械行业标准
电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片JB/T8736-1998
本标准规定了电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片(以下简称基片)的型式、尺寸、技术要求、检验规则、试验方法以及标患、包装、运输、览存等要求。本标准适用于电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片的生产、销售和使用。2引用标准
下列标准包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。在标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB191--90
包装储运图示标志
GB/T1958-80
形状和位置公差检测规定
GB/T2413—80
压电陶瓷材料体积密度测量方法GB/T2828—87
GB/T5593—85
逐批检查计数抽样程序及抽样表电子元器件结构陶瓷材料
GB/T5594.3--85电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法平均线性膨胀系数测试方法GB/T5594.5-85电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法体积电阻率测试方法GB/T14619--93厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片QJ/T1868--90
激光脉冲法热扩散系数测试方法3型式、尺寸
3.1型号
氮化铝陶瓷基片的型号由字母和数字两部分组成。字母部分用AN两个字母表示氮化铝陶瓷基片。数字部分有两种表示方法，五位数字表示圆形基片，前三位数字代表直径的十倍尺寸，后两位数字代表厚度的十倍尺寸，单位：mm；八位数字表示矩形基片，前三位与四到六位数字分别代表长与宽的十倍尺寸，后两位数字代表厚度的十倍尺寸，单位：mm。示例如下：示例1：
示例2：
AN28010
表示圆形基片，直径为28.0mm，厚度为1.0mm表示“氮化铝陶瓷基片”
AN17515515
表示矩形基片，尺寸为17.5mm×15.5mm×1.5mm表示“氮化铝陶瓷基片”
机械工业部1998-05-28批准
1998-11-01 实施
3.2外形尺寸
JB/T8736-1998
3.2.1氮化铅陶瓷基片的外形尺寸及公差应符合图1、图2和表1、表3的规定。图1圆形氮化铝陶瓷基片外形
图2矩形氮化铝陶瓷基片外形
表1氮化铝陶瓷基片规格尺寸
长×宽
17.5×15.5
3.2.2“基片的其它外形及尺寸也可根据承制方与定购方的协议另行商定。4技术要求
4.1外观要求
基片外观应无裂纹、瓷疱、凸脊、毛刺、痕迹、缺损、凹坑，确定这些缺陷的方法按GB/T14619的有关规定。
4.2材料性能
氮化铝陶瓷基片的材料性能应符合表2规定。表2氮化铝陶瓷基片的材料性能
导热率
体积电阻率
介电常数(1MHz）
介质损耗（1MHz）
抗压力
W/m·K
性能指标
≥140
≥10\
≥170
线膨胀系数
体积密度
击穿(绝缘)强度
公差项目、数值列于表3。
翘曲度
厚度公差
长、宽公
平面度
表面粗糙度
JB/T 8736-1998
表2(完）
表3氮化铝陶瓷基片的公差
性能指标bzxz.net
≤5.0×105
性能指标
0.05mm/25mm（长）
±1%（但最小值为0.10mm）
≤0.05mm
表面粗糙度Ra应不大于1.6um。
检验规则和试验方法
产品检验分为出厂检验和型式检验。5.1检验批
一个检验批应由按同一配方、在基本相同条件下生产，并在同一时间内提交检验的氮化铝基片组成。5.2出厂检验
5.2.1每批产品应按表4规定的项目进行出厂检验。抽样方案按GB/T2828采用次正常抽样方案。5.2.2若出厂检验不合格，该批产品应进行百分之百挑选后再次提交检验，但必须使用加严检查。若加严检查仍不合格，则该批产品拒收。表4出厂检验
检验或试验项目
外形尺寸及厚度公差
翘曲度
平面度
型式检验
进行。
检验或试验方法
于分表、游标卡尺等能满足精度要求的任何测量器具
GB/T 14619—93中 4.4.2
GB/T1958--80中附录—(2)
合格判据
抽样方案
型式检验应按表5规定进行。型式检验的间隔期不得超过一年。当原料、工艺有较大改变时也要3
检验或试验项目
导热率
体积电阻率
介电常数
介质损耗
抗压力
线膨胀系数
体积密度
击穿(绝缘)强度
表面粗度
QJ/T1868
GB/T5594.5
JB/T8736-1998
表5型式检验
检验或试验方法
GB/T5593—85中3.10
GB/T5593—85中3.11
本标准5.4
GB/T5594.3，测试温度范翻为20～500CGB/T2413
GB/T5593--85 3.15
针触式表面粗糙度测试仪
合格判据
抽样方案
若型式检验合格，则本周期生产的基片经出厂检验合格的批可以出厂或交货。若型式检验不合格，5.3.2
可以两倍数量的样品对不合格的项目进行一次复验。若复验合格，则型式检验合格。若复验仍不合格，则型式检验为不合格，本周期生产的基片应停止交收，并将已经出厂检验而未出厂的基片停止出厂，已出厂的基片供需双方协商解决。同时，承制方应针对不合格进行分析，查明原因，采取纠正措施。5.4抗压力试验方法
5.4.1试验设备
抗压力试验应采用额定压力大于25t吨)的液压机，并应满足设备操作规程要求。5.4.2测试夹具
测试夹具夹持面的平面度应小于0.1mm，硬度大于60洛氏硬度。夹持面的面积必须大于被测基片面积。
5.4.3样品
测试样品直径@为35mm土0.3mm，厚度h为1mm士0.1mm。5.4.4测试要求
测试时夹具的上下面必须平行，基片的受力时间为30s。6标志、包装、运输、贮存、订货单6.1包装
产品出厂时应采用能防震的容器包装。6.2标志
氮化铝基片包装标志等应满足GB191的要求，并应符合以下规定：6.2.1氮化铝基片的包装内应放入标签，其上应注明：a）制造厂名称：
b）产品名称；
c）商标；
d）产品型号或标记；
e）制造日期(或编号)或生产批号：f）标准代号：
g）合格证。
6.2.2氮化铝基片的包装容器上应有如下标志；4
a）制造厂名称；
b）产品名称或型号规格代号：
c）商标；
d）产品型号或标记；
e）制造日期或生产批号：
f“怕湿”、“小心轻放”等。
JB/T8736-1998
氮化铝基片可用任何运输工具运输，但应作好防护，防让运输期间碎裂、擦伤。贮存
氮化铝基片应贮存在通风、干净的库房内。5
中华人民共和国
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电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片JB/T 8736-1998
机械科学研究院出版发行
机械科学研究院印刷
（北京首体南路2号
开本880×1230
邮编100044）
印张X/X
字数XXX,XXX
19XX年XX月第X版
19XX年XX月第X印刷
定价XXX.XX元
印数1-XXX
XX-XXX
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