本部分等同采用IEC 60747-4-1：2000《半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范》。本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，具体内容包括：机械说明；简要说明；质量评定类别；极限值；电特性；标志；订货资料；试验条件和简要要求等。 GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 GB/T21039.1-2007 标准下载解压密码：www.bzxz.net

ICS31.080.30
中华人民共和国国家标准
GB/T21039.1--2007/IEC60747-4-1:2000半导体器件
分立器件
第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范Semiconductor devices---Discrete devices-Part 4-1:Microwave diodes and transistors--Microwave field effecttransistors--Blank detail specification(IEC60747-4-1:2000,IDT)
2007-06-29发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
2007-11-01实施
GB/T21039.1—2007/IEC60747-4-1:2000本部分是《半导体器件分立器件》系列国家标准之一。下面列出本系列已有的和正在制定的国家标准：
第10部分：分立器件和集成电路总规范》；GB/T4589.1一2006《半导体器件-GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范”：GB/T175731998《半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则》；-GB/T4023一1997《半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管》；-GB/T6571一1995《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》；-GB/T20516一20G6《导体器件分立器件第4部分：微波器件》；-GB/T21039.1--20J7《半导体器件分立器件第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范》；
GB/T15291-199《半导体器件第部分：晶闸管：-GB/T4587--1094《半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》；-GB/T4583—1994《半导体器件分乙器件第8部分：场效应晶体管》：《半导体器件，分立器件第！部分：绝缘栅双极型品体管本部分等同采用IEC60747-4-1：2013半导体器件：分立器件第4-1部分：微波极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范》（英文版）。为了便于使用，本部分作了如下编辑性修改：a)
用小数点”“代替作为小数点的退号”“：删除国际标准的前言；
第7章订货资料“…3?规定的质量评定类别\和\36规定的筛选顺序….”原文中c)
章条号编辑性错误，应为“.8规是的质量评定类别”和3.7规定的筛选顺序”；第8章试验条件和检验要求”…·*，用或重新规定（3T12560一1999中3.8的数值。”原d)
文中章条号编辑错误，应为\，川或重新现定GB「2560一1999中3.7的数值。”；e)
C3分组，检验要求极限中\》无损坏”，原文编辑性错误，应为“无损坏”：经比较本部分C8分组的引用标准IEC60747-8-1附录1在内容上与本部分附录A一致，因此本部分中C8分组的引用标准改为本部分附录A。本部分中引用的国家标准对应等同采用的IEC标准是：国家标准编号
GB/T 4589.1—2006
GB/T20516—2006
GB/T12560—1999
IEC标准编号
IEC60747-10(1991)
IEC 60747-4(2001)
IEC60747-11(1985)
本部分中引用的国家标准及试验方法号相对应等同采用的IEC标准中的试验方法是：国家标准编号及方法号
GB/T4586—19944.2
GB/T4586—19944.5
GB/T4586—19944.3
GB/T4587—19954.1.13.6
IEC标准试验方法号
GB/T21039.1—2007/IEC60747-4-1:2000本部分附录A是规范性附录。
本部分由中华人民共和国信息产业部提出。本部分由全国半导体分立器件标准化分技术委员会归口。本部分由中国电子技术标准化研究所。本部分起草人：罗发明、刘春勋。42
GB/T21039.1—2007/IEC60747-4-1:2000半导体器件分立器件
第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空自详细规范IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC章程并在IEC授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。
本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准一起使用。GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范（IEC60747-10：1991,IDT)
GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范（idtIEC60747-11：1996）要求的资料
本页及下页方括号内的数字与下列各项要求的资料相对应，这些资料应填入相应栏中。详细规范的识别
[1]授权发布详细规范的国家标准化机构名称。[2]
详细规范的IECQ编号。
[3]总规范和分规范的编号及版本号。［4］详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的任何资料。器件的识别
[5]器件的类型。
[6］典型结构和应用资料。如果一种器件有几种应用，则应在详细规范中说明。这些应用的特性、极限值和检验要求均应予以满足。如果器件是静电敏感型或含有危险材料，如氧化铍，应在详细规范中给出注意事项。
[7]外形图和(或)引用有关的外形标准。[8]质量评定类别。
[9]能在器件型号之间比较的最重要特性的参考数据。[在本规范中，方括号里给出的文字是用于指导详细规范的编写者，不应纳人详细规范中。］[在本规范中，“×”表示应在详细规范中规定特性或额定值的值。］［负责发布规范的国家代表机构（NAI)或团体的名称（地址）
评定电子元器件质量的依据：
【IECQ详细规范编号、版本号和（或）日期］[]
总规范：GB/T4589.1-2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范分规范：GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范免费标准bzxz.net
微波场效应晶体管空白详细规范【有关器件的型号。]
订货资料：见本规范第7章。
QC750115
详细规范的国家编号
［如果国家编号与IECQ编号相同，则本栏可不填写。]43
GB/T 21039.1—2007/IEC60747-4-1:2000机械说明
外形标准：
IEC60191-2
外形图
【可以转到本规范第10章或给出更详细的资料。]引出端识别
【给出管脚排列分布图，包括图形符号。］标志：
【字母和图形或色码。］
［要求时，详细规范应规定标志在器件上的内容。］续表
2简要说明
［见GB/T4589.1—2006的2.5和（或)本规范第6章。【如采用特殊方法，需标明极性。］微波场效应晶体管
半导体材料：[GaAs]。
封装：[空腔或非空腔]。
应用：见本规范第5章。
注意：遵守操作静电敏感器件预防措施的事项[要求时]。3质量评定类别
［按GB/T4589.1—2006的2.6规定。］参考数据
按本规范鉴定合格的器件，其制造厂的有关资料见现行合格产品目录(QPL)。极限值（绝对最大额定值体系）除另有规定外，这些极限值适用于整个工作温度范围。【只重复带有标题的条号。任何附加的值在适当的地方给出，但没有条号。［曲线最好在本规范的第10章给出。］A类：功率器件
B类：低噪声器件
极限值
工作环境温度或管壳温度
贮存温度
漏-源电压（规定条件下的）
栅-源反向电压
栅-漏电压（源极开路）
漏极电流
沟道温度
总耗散功率?
Tamb/Tease
Vpsx/Vpss/VpsR
最小值
最大值
最小值
a在规定工作环境温度或参考点温度范围内的最大值。应对任何通风或安装的特殊要求进行说明。5
电特性
检验要求见本规范第8章。
［只重复使用带有标题的条号。任何附加的特性在适当的地方给出，但没有条号。[8]
最大值
[当在同一详细规范中规定几种器件时，有关的值应以连续的方式给出，以避免相同值的重复。［曲线最好在本规范的第10章给出。］44
电特性和条件除另有规定外，
Tmb=25℃或Tease=25℃（见总规范第4章）栅-源短路时的漏极电流（规定Vps）栅-源截止电压（规定Vs和Ips）栅-源击穿电压（规定IG），或
漏-源短路时的栅极截止电流（规定VGs）沟道到壳的热阻（规定Tc和IG）1dB压缩点输出功率（规定f、Vns和Is),或输出功率（规定f、Vts、Ips和Pin）1dB压缩点功率增益（规定f、Vns和Ips）功率附加效率（规定f、Vtslus和Pi）噪声系数（规定f、Vns和ips）
相关增益（规定f、Vs和Ips）
最高振荡频率（规定f、Vps和I）最大有效增益（规定f、Vps和Ips）适用时S参数的幅值和角度（规定T、Vis和Is）GB/T21039.1—2007/IEC60747-4-1:2000符号
V(BR)GS
Po1 dBy
Gpal aB
Gacmex)
Siuamp
Si2amnp
Si2amk
Salamp
Se2apy
a如采用规定输入功率时的输出功率，可以省略1dB压缩点功率增益。6标志
最小值
最大值
最小值
最大值
［除了第1章中第[7]栏和（或）总规范中2.5所给出的外，其他任何特殊标志应在这里规定。］7订货资料
[除另有规定外，订购一种器件至少需要以下资料：-准确型号（如要求，给出标称电压值）；当有关时，带版本号和（或）日期的详细规范：GB/T12560~-1999的3.8规定的质量评定类别和GB/T12560—1999的3.7规定的筛选顺序（如要求时）；
其他特殊要求。
8试验条件和检验要求
【在下表中给出的试验条件和检验要求，其中用到的数值和确切的试验条件应按给定型号的要求以及相关标准中有关试验的要求规定。仅对第5章表中规定用途的电特性进行测试。45
GB/T21039.1—2007/IEC60747-4-1:2000［编写详细规范时，应选定可替换的试验或试验方法。［当在同一详细规范中包括几种规格的器件时，有关条件和（或）数值应以连续的方式给出，以尽可能避免相同条件和(或)数值的重复。在以下各表中，除另有规定外，引用的章条号对应于总规范的章条号，其试验方法引自GB/T12560-1999的第4章。
［抽样要求，按照适用的质量评定类别，引用或重新规定GB/T12560--1999的3.8的数值。］［对于A组，在详细规范中选择AQL或LTPD方案。]A组逐批
全部试验都是非破坏性的（3.6.6）条件除另有规定外，
检验或试验
A1分组
外部目检
A2a分组
不能工作器件
A2b分组
栅-源短路时的漏极电流
栅-源截止电压
栅-源击穿电压，或
漏-源短路时的栅极截止电流
A4分组
1dB压缩点输出功率，或
输出功率
1dB压缩点功率增益
功率附加效率
噪声系数
相关增益
VeBROGS
PoriaB)
GpetaBy
（对1类的要求见总规范2.6。）引用标准
GB/T4589.1--2006
GB/T4586—1994
GB/T4586—1994
GB/T20516—2006
GB/T 4586-1994,4. 2
GB/T20516-2006
B组逐批
LSL一规范的下限值
USL规范的上限值
标有(D)的试验是破坏性的(3.6.6)46
Tamb或Teas=25℃
（见总规范第4章）
见第5章
见第5章
根据A组
检验要求极限值
『最大
短路：VGsolf>（3VGstfimax）
或Ics>（10IcSmax）
开路：Vcsof<(0.1Vcstmin）
B1分组
B3分组
检验或试验
引出端强度
引线弯曲(D)(适用时）
B4分组
可焊性
B5分组
快速温度变化
a）空腔封装
快速温度变化
继之以：
电测试
栅-源击穿电压
漏-源短路时的栅极截止电流
栅-源截止电压
细检漏
粗检漏
b）非空腔和环氧树脂密封空
腔封装
快速温度变化
继之以：
外部目检
稳态湿热
电测试
B8分组
电耐久性(168h)）
继之以：
电测试
栅-源击穿电压
VeBROGS
引用标准
GB/T4589.1—2006
4.2.2附录B
IEC60749:1995
IEC60749:1995
IEC607491995
IEC60749：1995
3.5.2或3.5.3
IEC60749.1995
GB/T4589.1—2006
IEC60749:1995
本标准附录A
GB/T21039.1--2007/IEC60747-4-1:2000条件除另有规定外
Tmb或Tae=25℃
（见总规范第4章）
F=（见
IEC60749:1995
［首选焊槽法】
10次循环
按规定
按规定
10次循环
严酷度：3，24h
按a)规定
高温反偏或工作寿命
检验要求极限值
最小最大
最小最大
见本规范第1章
无损坏
，浸润良好
GB/T21039.1--2007/IEC60747-4-12000检验或试验
漏-源短路时的栅极截止电流
栅-源截止电压
栅-源短路时的漏极电流
CRRL分组
B组(续）
引用标准
B3、B4、B5和B8分组属性资料
周期试验
（对I类的要求见总规范2.6。）LSL一规范的下限值
USL一规范的上限值
标有(D)的试验是破坏性的(3.6.6)检验或试验
C1分组
C2a分组
最高振荡频率
最大有效增益
S参数的幅值和角度（适用时）
C2b分组
漏-源短路时的栅极截止电流
C2d分组
沟道到管壳的热阻
C3分组
引出端强度(适用时）
拉力和（或）
转矩(D)
Ga(max)
Smuamp
Sztamp
S22ang
Rehi-)
引用标准
条件除另有规定外，
Tamb或 Tease=25℃
（见总规范第4章）
根据A组
条件除另有规定外，
Tamb或Teax=25℃
（见总规范第4章）
GB/T4589.1—2006
4.2.2附录B
见第5章
GB/T20516—2006
GB/T4587--1995
GB/T4586—1994
IEC60749:1995
T=[规定的高温]
Vcs=(65%~85%)
VcSRma
按规定
检验要求极限值
最小最大
0.8LSL1.2USL0.8LSL1.2USL
0.9LSL1.1USL0.9LSL1.1USI
检验要求极限值
最小最大最小最大
见本规范第1章
无损坏
C4分组
检验或试验
耐焊接热(D)
继之以电测试：
栅-源击穿电压，或
漏-源短路时的栅极截止电流
栅-源截止电压
C5分组
快速温度变化”
a）空腔封装
快速温度变化
继之以：
电测试
栅-源击穿电压
漏-源短路时的栅极截止电流
栅-源截止电压
细检漏
粗检漏
b）非空腔和环氧树脂密封空
腔封装
快速温度变化
继之以：
外部目检
稳态湿热
电测试
C6 分组
恒定加速度（空腔封装）
电测试
C7分组
稳态湿热
空腔封装
VeaR)os
VoBR>Cs
C组（续）
引用标准
：IEC60749:1995
IEC60749:1995
IEC60749:1995
3.5.2或3.5.3
IEC60749:1995
GB/T4589.1—2006
IEC60749：1995
IEC60749:1995
见 C4分组
IEC60749:1995
GB/T21039.1—2007/1EC60747-4-1:2000条件除另有规定外，
Tamb或Tc=25℃
（见总规范第4章）
周期=6个月
10次循环
按规定
按规定
500次循环
严酷度：3，24h
按a)规定
按 C4规定
严酷度：对于2类
和3类，56天；对于
1类，21天
检验要求极限值
GB/T21039.1—2007/IEC60747-4-1:2000检验或试验
非空腔和环氧树
脂密封空腔封装
电测试（两种类型）
C8分组
电耐久性(1000h)
继之以：
电测试
栅-源击穿电压
漏-源短路时的栅极截止电流
栅-源截止电压
栅-源短路时的漏极电流
C9分组
高温存贴(D)
电测试
CRRL分组
C组（续）
引用标准
IEC60749:1995
见C4分组
本标准附录A
V(BR>GS
Vesott
IEC60749:1995
见C8分组
C3、C6和C9分组属性资料。
条件除另有规定外，
Tamb或Tease -=25℃
（见总规范第4章）
严酷度1，偏置：按
详细规范规定：周
期：对于2类和3
类，1000h；对于1
类，500h
按C4规定
高温反偏或工作寿命
max，至少1000h
按C8规定
在C8分组之前或之后的测量资料。当连续三次试验通过，周期试验可以延长到一年一次。9D组—鉴定批准试验
［当要求时，这些试验应在详细规范中规定，仅用于鉴定批准。10附加资料（不作检验用）
【只有规范和器件应用需要时给出，例如：与极限值有关的温度降额曲线；一测量电路或补充方法的完整说明；详细的外形图；
一适用时，有关搬运注意事项的说明或静电放电敏感器件的标记。50
检验妻求极限值
0. 8LSL/1. 2USL0. 8LSL1. 2USL0. 91SL1. 1USL0. 9LSL1.1USL
附录A
（规范性附录）
GB/T21039.1-2007/IEC60747-4-1:2000场效应晶体管的电耐久性试验方法A1工作寿命的试验应在Tamb或Tese=Ttest时进行，Tres在降额曲线上的拐点温度Tbr和与20%耗散点对应的温度之间选择（但是，尽可能接近Tbr点），同时有：IpXVps=Ptotmax（规定Ttet）
ID最好能按如下调整：
RsVps/Ip
Vps=按规定（推荐0.8Vpsmax）
为了避免超过Vpsx，可以与器件并联一个箱位电路。A.2对耗尽型或增强型场效应晶体管，高温反偏应在如下条件进行：耗尽型：
Vcs=（0.7~0.8)Vcsomx（推荐0.8倍）T= Tamb max或 Tease max
R-—限流电阻
增强型：
Vrs=（0.7~0.8)Vpssmax（推荐0.8倍）Vp = 2Vps
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