NB/T 20019-2010 核电厂安全级仪表和控制设备电子元器件老化筛选和降额使用规定 NB/T20019-2010 标准下载解压密码：www.bzxz.net

ICS 27.120.99
备案号：29117-2010
中华人民共和国能源行业标准　NB/T20019—2010
代替EJ/T504-1990
核电厂安全级仪表和控制设备电子元器件老化筛选和降额使用规定
Ageing, screening,and derating rules of electronic elements and devices in safetyclassinstrumentandcontrolequipmentofnuclearpowerplants2010-05-01发布
国家能源局
2010-10-01实施
规范性引用文件
3术语和定义，
老化筛选顺序和项目
老化筛选条件和方法
老化筛选前提条件
外观检查
高温贮存.
温度循环，
功率老炼.
高温反偏
标识。
老化筛选合格性准则
元器件降额使用规定
二极管
品体管.
光电器件
晶闸管
模拟集成电路
数字集成电路
电位器
电容器
参考文献
NB/T20019—2010
NB/T20019—2010
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。本标准代替EJ/T504-1990《三十万千瓦压水堆核电厂定》，与EJ/T504-1990相比，主要技术变化如下：修改了适用范围：
一增加了规范性使用文件；
-增加了术语和定义；
明确了电子元器件老化筛选顺序安全级电子元器件老化筛选和降额适用规增加了在老化筛选试验前后对元器件进行外观检查的要求；增加了老化筛选合格性准则：
一在电子元器件老化筛选项目中取消了“湿热贮存”试验，增加了“高温反偏”试验；一增加了晶体管、光电器件、模拟集成电路、数字集成电路、电位器、电容器的降额使用规定本标准由中国核工业集团公司提出。本标准由核工业标准化研究所归口。本标准起草单位：上海核工程研究设计院，中科华核电技术研究院有限公司北京分院。本标准主要起草人：李美儒、曹梅新、邱建文、马象睿、耿文行。I
NB/T20019—2010
核电厂安全级仪表和控制设备电子元器件老化筛选和降额使用规定1范围
本标准规定了对核电厂安全级仪表和控制设备中电子元器件进行老化筛选和降额使用时的技术要求。
本标准适用于核电厂安全级仪表和控制设备的电子元器件老化筛选及降额使用，也可供其它安全级电气设备的电子元器件老化筛选及降额使用时参照或参考使用。2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温GB/T2423.2-2001
GB/T2423.22-2002电工电子产品环境试验第22部分：试验方法试验N：温度变化GJB63B-2001
GJB128A-1997
GJB360A-1996
GJB548A-1996
GJB 733A-1996
GJB972A-2002
GJB/Z35-1993
3术语和定义
有可靠性指标的固体电解质钼固定电容器总规范半导体分立器件试验方法
电子及电气元件试验方法
微电子器件试验方法和程序
有可靠性指标的非固体电解质钼固定电容器总规范有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范元器件降额准购
下列术语和定义适用于本文件。3.1
半导体器件semiconductordevice其基本特性是由在半导体中的载流子流动所决定的器件。3.2
semiconductor discrete device半导体分立器件
被规定完成某种基本功能，并且其本身在功能上不能再细分的半导体器件。3.3
膜film
用任何淀积工艺在固体基片上形成的固休层。3.4
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integratedcircuit
集成电路
将若干电路元件不可分割地连在一起，并且在电气上互连，以致就规范、试验、贸易和维修而言，被视为不可分割的一种电路。
半导体集成电路
semiconductor integrated circuit在半导体内部和上面形成元件并互连的集成电路。3.6
ffilm integrated circuit
膜集成电路
元件和互连均以膜形式在绝缘基片表面上形成的集成电路。3.7
fhybridintegrated circuit
混合集成电路
由半导体集成电路与膜集成电路的任意组合，或由任何这些电路同分立元件的任意组合形成的集成电路。
光电器件photoelectricdevice
具有光电转换功能的器件。
ageing and screening
老化筛选
将机械应力、电应力、光应力和热应力分别或同时施加到元器件上，以鉴别和剔除元器件潜在的或始发性缺陷的一种工艺或方法。3.10
试验test
-项完整的环境试验操作程序，通常包括：a)
预处理（必要时）；
初始检测（必要时）；
条件试验；
恢复；
最后检测。
在条件试验和（或）恢复期间可能要求中间检测。3.11
预处理下载标准就来标准下载网
pre-conditioning
为消除或部分抵消试验样品以前经历的各种效应，在条件试验前对试验样品所做的处理。3.12
recovery
在条件试验之后，最后检测之前为使试验样品的性能稳定所做的处理。2
derating
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元器件使用中承受的应力低于其额定值，以达到延缓其参数退化，提高使用可靠性的目的。通常用应力比和环境温度来表示。
stressratio
应力比
元器件工作应力与额定应力之比。应力比又称降额因子。老化筛选顺序和项目
对仪表和控制设备用电子元器件进行老化筛选的目的是为了在设备制造前暴露和发现在早期运行时出现的潜在的电子元器件缺陷，别除有缺陷的元器件，以保证设备的质量。对电子元器件的一般老化筛选顺序是：a)
外观检查；
常温测试；
高温贮存；
温度循环：
常温测试；
功率老炼；
常温测试；
高温反偏；
外观检查；
最终测试；
打印标记。
对不同元器件的具体老化筛选项目，见表1。5老化筛选条件和方法
老化筛选前提条件
对元器件进行老化筛选的前提条件是：元器件具有产品合格证书或相应的技术资料；对元器件进行检查和测试，其参数符合产品规范要求。5.2外观检查
5.2.1概述
在对元器件进行老化筛选试验前和试验后应进行外观检查。在对元器件进行外观初查或外观复查时，用目视或用适度的放大镜对元器件进行外观检查。5.2.2半导体分立器件
对半导体分立器件应检查：
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产品的外引线或管脚不应有机械损伤、断裂、锈蚀等现象；a)
产品的主体不应有变形、颈缩、严重掉漆、开裂等现象；b）
c）产品型号、极性（二极管）等标志应清楚、正确。5.2.3集成电路
对集成电路应检查：
电路表面不应有污渍、锈蚀、镀层起泡脱落等损伤：b)
电路壳体不应有变形、碎裂，引线不应有机械损伤、锈蚀等现象；c)
电路的型号等标志应清楚、正确。电阻器、电容器、电位器
对电阻器、电容器、电位器等应检查a）产品的主体不应有变形、破损，引线不应有损伤、断裂、锈蚀等现象：b）产品型号、极性（电容器）等标志应清楚、正确。5.3高温购存
对半导体分立器件和集成电路，应进行高温存试验。将拆除包装的元器件置于高温试验箱中，在规定的贮存温度下连续存放规定的时间，然后取出置于试验室正常坏境温度下恢复至室温。对不同元器件的存温度和贮存时间等试验条件见表1，试验方法按GB/T2423.2—一2001中试验Bb执行。
试验箱内所存放元器件的总体积不应大于高温试验箱容积的20%。5.4温度循环
对半导体分立器件、集成电路、电阻、电位器、电容器和电感器，应进行温度循环试验。将拆除包装的元器件置于低温试验箱（低温试验区）中，在规定的低温下存放30min，再取出放到高温试验箱（高温试验区）中，在规定的高温下存放30min，至此完成一个循环。高低温之间的总转移时间不应大于2min～3min，循环次数见表1规定。对不同元器件的高温值、低温值和循环次数等试验条件的规定见表1，试验方法按GB/T2423.222002中试验Na执行。
必要时，对分立元器件的试验方法见GJB128A-1997中方法1051，对半导体集成电路和混合集成电路的试验方法见GJB548A-1996中方法1010A，对电容、电阻、电位器的试验方法见GJB360A-1996中方法107。
试验时温度试验箱内所存放元器件的总体积不应大于试验箱容积的20%。5.5功率老炼
对半导体分立器件（场效应管除外）、集成电路应进行功率老炼试验，对电容器应进行高温电老炼试验。
功率老炼试验是指对不同元器件按照本条和表1规定的温度条件、负荷条件和时间对元器件进行的老炼试验。对分立元器件（二极管、二极管、场效应管等）的具体试验方法见GJB128A-1997中方法1038、1039、1040、1042，对半导体集成电路、混合集成电路的具体试验方法见GJB548A-1996中方法1015，对电容的具体试验方法见GJB733A-1996、GJB63B-2001、GJB972A-2002。具体的老炼参数如下：
a）温度：
1）对二极管、三极管、场效应管，在实验室正常环境温度下进行老炼；NB/T20019—2010
2）对光电器件、晶闸管、半导体集成电路、混合集成电路、电容器等的老炼温度见表1。负荷，各种元器件的老炼负荷条件见表1：b）
老炼时间，对不同元器件要求的老炼时间见表1。c）
5.6高温反偏
对二极管、三极管、场效应管应进行高温反偏试验。反偏试验的温度条件、电压条件和时间见表1，对二极管的具体试验方法见GJB128A-1997中方法1038，对三极管和小功率场效应管的具体试验方法见GJB128A-1997中方法1039，对大功率场效应管的具体试验方法见GJB128A-1997中方法1042。5.7测试
在正常大气条件（即实验室正常环境条件）下，按产品规范或协议，对元器件的电参数进行常温测试。
在按照第4章中规定的老化筛选顺序完成相应的老化筛选试验后，在实验室正常环境条件下恢复1h，再对元器件逐个（100%）按产品规范或设计要求进行电参数的最终测试5.8标识
对经过老化筛选的元器件，应按相关文件规定进行标识。6老化筛选合格性准则
6.1当元器件在老化筛选过程中或最终测试出现功能性失效、并经分析认为具有批次性时，应判定为批次不合格。
6.2当最终测试的不合格率大于10%或单项试验不合格率大于5%时（送交老化筛选的数量大于20只），可判定为批次不合格。
6.3对于送交老化筛选的数量较少（少于20只）的批次，可针对不合格品的分布情况进行具体分析并确定处理意见。
7元器件降额使用规定
7.1概述
为延缓电子元器件参数退化，提高元器件在安全级仪表和控制电路中使用的可靠性，在选用元器件参数时采取降额使用，留有适当余量。在安全级仪表和控制电路中元器件降额使用见GJB/Z35-1993中对地面保障设备的降额（ⅡI级和IⅡII级）规定，具体可按7.2～7.10规定执行。2二极管
二极管降额使用规定如下：
a）反向电压为反向峰值工作电压的70%～80%；工作电流为最大正向平均电流的65%--80%；b)
功率为最大允许功率的65%～80%。c)
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7.3晶体管
晶体管降额使用规定如下：
反向电压为额定反向电压的60%70%；工作电流为额定电流值的70%～80%；功率为额定功率的65%～75%。
7.4光电器件
光电器件降额使用规定如下：
电压为额定电压的70%80%；
工作电流为额定电流的65%~-80%。7.5晶闸管
晶闸管降额使用规定如下：
电压为额定电压的70%～80%；
工作电流为额定平均通态电流的65%～80%b)
7.6模拟集成电路
模拟集成电路降额使用规定如下：a)
电源电压小于额定值乘以降额因子；输入电压小于额定值乘以降额因子；输入输出电压差小于额定值乘以降额因子：输出电流小于额定值乘以降额因子：功率小于最大允许值乘以降额因子。各种模拟集成电路对应于不同降额参数的降额因子见表2。7.7
数字集成电路
数字集成电路降额使用规定如下：a)
双极型数字电路电源电压须稳定，其容差范围为：土5%或按相关规范要求；双极型数字电路的频率小于额定值的90%；双极型数字电路的输出电流\小于额定值的90%；MOS型数字电路的电源电压”小于额定值的80%：MOS型数字电路的频率为额定值的80%～90%；MOS型数字电路的输出电流\小于额定值的90%。电阻
电阻降额使用规定如下：
施加于各种电阻器的电压小于最大工作电压的75%：合成型、薄膜型电阻器及电阻网络的功率为额定功率的60%～70%；输出电流降额将使扇出减少，可能导致使用器件的数量增加，反而使设备的预计可靠性下降。降额时应防止这1)
种情况发生。
电源电压降额后不应小于推荐的正常工作电压：输入电压在任何情况下不得超过电源电压。仅适用于缓冲器和触发器。
功率型线绕电阻器的功率为额定功率的60%～70%：精密型线绕电阻器的功率为额定功率的45%～60%。电位器
电位器降额使用规定如下：
施加于各种电位器的电压小于最大工作电压的75%；合成型、薄膜型非线绕电位器的功率为额定功率的45%～60%；精密塑料型非线绕电位器的功率小于额定功率的50%；非密封功率型线绕电位器的功率小于额定功率的70%；普通型、微调线绕型线绕电位器的功率为额定功率的45%～50%。电容器
电容器降额使用规定如下：
NB/T20019—2010
薄膜、玻璃釉、云母、陶瓷电容器以及钮电解电容器的直流工作电压为额定电压的60%～70%；铝电解电容器的直流工作电压为额定电压的60%～70%；可变电容器的直流工作电压小于额定电压的50%。NB/T 20019—2010
雅FS8
(EFOt-
（EF0-蒜样辣面）
“凝样林面
拜管李
（496
FS8雅拜面
（EFO-游样球）
深择林面
蔡样律露
（EFt—持球丽）
FS8“晶!S添择
晶!S森样露
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