GB/T 20870.10-2023
基本信息
标准号： GB/T 20870.10-2023
中文名称：半导体器件 第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序
标准类别：国家标准(GB)
英文名称：Semiconductor devices—Part 16-10:Technology Approval Schedule for monolithic microwave integrated circuits
标准状态：现行
发布日期：2023-09-07
实施日期：2024-01-01
出版语种：简体中文
下载格式：.pdf .zip
下载大小：20942054
相关标签： 半导体器件 单片 微波 集成电路 技术 接收 程序
标准分类号
标准ICS号：电子学>>31.200集成电路、微电子学
中标分类号：电子元器件与信息技术>>微电路>>L56半导体集成电路
关联标准
采标情况：IEC 60747-16-10:2004,IDT
出版信息
出版社：中国标准出版社
页数：52页
标准价格：81.0
相关单位信息
起草人：沈彤茜、邱钰、谢小品、张瑞霞、刘立新、薛克瑞、彭浩、裴选、高蕾、尹丽晶、洪剑华、邓致超、李明钢
起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、装备发展部军事代表局驻武汉地区军事代表室、河南卓正电子科技有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、深圳市良机自动化设备有限公司、漳州和泰电光源科技有限公司、池州市芯达电子科技有限公司、山东省中智科标准化研究院有限公司
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
提出单位：中华人民共和国工业和信息化部
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
标准简介
本文件规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。
标准图片预览
标准内容
ICS31.200
CCSL56
中华人民共和国国家标准www.bzxz.net
GB/T20870.10-—2023/IEC60747-16-10:2004半导体器件
第16-10部分：
单片微波集成电路技术可接收程序Semiconductordevices-Part16-10:TechnologyApproval Scheduleformonolithice microwaveintegrated circuits(IEC60747-16-10：2004,IDT）
2023-09-07发布
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会
2024-01-01实施
规范性引用文件
术语、定义和缩略语
单位、符号和术语
标准值和优选值
术语和定义
缩略语
关于技术可接收程序范围的定义4
器件技术的定义
器件技术的范围
活动说明及流程图
技术摘要
分包商控制要求
5MMIC的器件设计
MMIC的器件设计范围
活动说明及流程图
过程的确认与控制
掩模制造
掩模制造的范围
活动说明及流程图
工艺的确认和控制
6.4分包商、供应商和内部供方
MMIC的晶圆制造
MMIC的晶圆制造范围
活动说明和流程图
材料·
工艺的确认方法和控制
相互关系
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2004次
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:20048
MMIC的晶圆测试
MMIC的晶圆测试的范围
活动说明和流程图
测试程序
相互关系
裸芯片交付的背面工艺
裸芯片交付的背面工艺的范围·活动说明和流程图
工艺的确认方法和控制
相互关系
放行的有效性
MMIC组装
MMIC组装的范围
活动说明和流程图
材料、检验和处理
工艺的确认和控制
相互关系
11MMIC测试
MMIC测试的范围
活动说明和流程图
测试程序
工艺的确认和控制
工艺极限验证
产品验证
12工艺表征
工艺表征的识别
活动说明
表征程序
包装和运输
活动说明和流程图
13.3放行的有效性
14撤销技术可接收
参考文献
.............
AAAaAAe
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:200438
......
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2004前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件是GB/T20870《半导体器件》的第10部分。GB/T20870已经发布了以下部分：第16-1部分：微波集成电路
放大器；
第16-2部分：微波集成电路
预分频器；
第16-5部分：微波集成电路
振荡器；
第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序。第16-10部分单片微波集成电路技术可接本文件等同采用IEC60747-16-10：2004《半导体器件收程序》。
本文件增加了“规范性引用文件”和“术语、定义和缩略语”两章，请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。本文件起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、装备发展部军事代表局驻武汉地区军事代表室、河南卓正电子科技有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、深圳市良机自动化设备有限公司、漳州和泰电光源科技有限公司、池州市芯达电子科技有限公司、山东省中智科标准化研究院有限公司。本文件主要起草人：沈彤茜、邱钰、谢小品、张瑞霞、刘立新、薛克瑞、彭浩、裴选、高蕾、尹丽晶、洪剑华、邓致超、李明钢。
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-102004引言
半导体器件是电子行业产业链中的通用基础产品，为电子系统中的最基本单元，GB/T20870《半导体器件》为微波集成电路产品标准，是微波集成电路进行研制生产和检验的基础性和通用性标准，对于评价和考核微波集成电路的质量和可靠性起着重要作用，拟由10个部分构成。一第16-1部分：微波集成电路放大器。目的在于规定微波集成电路放大器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。
第16-2部分：微波集成电路预分频器。目的在于规定微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。第16-3部分：微波集成电路
变频器。自的在于规定微波集成电路变频器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。
第16-4部分：微波集成电路
开关。目的在于规定微波集成电路开关的术语、基本额定值、特性以及测试方法。
第16-5部分：微波集成电路
值、特性以及测试方法。
第16-6部分：微波集成电路
值、特性以及测试方法。
第16-7部分：微波集成电路
值、特性以及测试方法。
—第16-8部分：微波集成电路
值、特性以及测试方法。
第16-9部分：微波集成电路
值、特性以及测试方法。
振荡器。目的在于规定微波集成电路振荡器的术语、基本额定倍频器。目的在于规定微波集成电路倍频器的术语、基本额定衰减器。自的在于规定微波集成电路衰减器的术语、基本额定限幅器。自的在于规定微波集成电路限幅器的术语、基本额定移相器。目的在于规定微波集成电路移相器的术语、基本额定第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序。目的在于规定单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。该系列标准等同采用IEC60747-16系列标准，保证微波集成电路产品标准与国际标准一致，实现微波集成电路产品标准与国际接轨。通过制定该系列标准，统一微波集成电路产品的术语定义、基本额定值和特性、测试方法，对微波集成电路的研究、生产、检验和使用具有重要意义，同时补充完善平导体集成电路标准体系，为微波集成电路行业的发展起到指导作用。I
1范围
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2004半导体器件第16-10部分：
单片微波集成电路技术可接收程序本文件规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件，不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
ISO10ooSI单位及其倍数单位和一些其他单位应用的建议（SIunits and recommendationsforthe use of their multiples and certain other units)IEC60027（所有部分）电工技术用字母符号（Lettersymbolstobeusedinelectricaltechnology）IEC60050国际电工词汇（InternationalElectrotechnicalVocabulary）IEC60068（所有部分）环境试验（Environmentaltesting）注：GB/T2423（所有部分）环境试验[IEC.60068（所有部分）】IEC60191-2半导体器件的机械标准化第2部分：尺寸（Mechanical standardisationofsemiconductordevicesPart2Dimensions)IEC60617（所有部分）简图用图形符号（Graphicalsymbolsfordiagrams）注：GB/T4728（所有部分）电气简图用图形符号[IEC60617（所有部分）】IEC60747-1半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则（Semiconductordevices一Discretedevices and integrated circuitsPartl:General)IEC60747-16-1半导体器件第16-1部分：微波集成电路-放大器（Semiconductordevices一Part16-l:Microwaveintegrated circuitsAmplifiers)注：GB/T20870.1一2007半导体器件第16-1部分：微波集成电路放大器（IEC60747-16-1：2001，IDT）IEC60747-16-2半导体器件第16-2部分：微波集成电路预分频器（SemiconductordevicesPart 16-2: Microwave integrated circuits—Frequency prescalers)IEC60747-16-3半导体器件第16-3部分：微波集成电路变频器（SemiconductordevicesPart16-3:Microwave integrated circuits—Frequency converters)IEC60747-16-4半导体器件第16-4部分：微波集成电路开关（SemiconductordevicesPart16-4:Microwaveintegrated circuits-Switches)IEC60748-1半导体器件集成电路第1部分：总则（SemiconductordevicesIntegratedcircuitsPart l:General)
QC001002-3：2005电子元器件IEC质量评定体系（IECQ）程序规则第3部分：批准程序（IECQuality Assessment System for Electronic Component（IECQ)-Rule of procedure-Part 3:Approvalprocedure
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2004QC001005：2000电子元器件IEC质量评定体系（IECQ）程序规则-经IECQ-CECC体系，包括ISO9ooo批准的企业、产品和服务的登记表（IECQualityAssessmentSystemforElectronicComponent(IECQ)-Register of firms,products and services approvedunder theIECQ-CECCsystem,includingISO9000)
3术语、定义和缩略语
3.1单位、符号和术语
在可能的情况下，单位、图形符号、字母符号和术语应取自下列标准：IEC60027：电工技术用字母符号IEC60050：国际电工词汇
IEC60617-DB：简图用图形符号
ISO1000：SI单位及其倍数单位和一些其他单位应用的建议本文件范围内的其他单位、符号和术语应取自规范性引用文件中列出的相关文件。2标准值和优选值
技术可接收允许定制器件或工艺来适应每个客户。因优选值的传统概念应用可以有一定局限性，当采用公认的优选值时，宜使用如电压、温度和尺寸等值，并参考合适的IEC或ISO出版物，即：电压IEC60747-1；
温度IEC60747-1；
—尺寸IEC60191-2。
术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。3.3.1
microclectronics
微电子学
处理高度小型化电路及其应用的科学和工程领域3.3.2
各microcircuit
微电路
具有高密度电子元件、并可作为独立件的微电子器件。3.3.3
集成电路
fintegratedcircuit
将全部或若干电路元件不可分割地连接在一起，并且在电气上互连，以致就结构和贸易而言，就视为不可分割的一种电路。
注1：IECTC47标准中的半导体集成电路通常是指设计成微电路的集成电路、注2：为进一步定义集成电路的类型，可采用限定语，如单芯片集成电路、多芯片集成电路、薄膜集成电路、厚膜集成电路、混合集成电路、混合半导体集成电路。3.3.4
integratedmicrocircuit
集成微电路
为了规范、测试、商业和维护的目的，许多电子元件不可分离地连接在一起，并在电气上互连，且不可分割的微电路。
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2004注1：该定义中，电路元件无外壳或外部连接，也未作为单独的部分定义或出售，注2：在不产生混滑时，“集成微电路”可缩写为“集成电路”。注3：进一步的限定术语可用于说明用于制造特定集成微电路的技术，限定术语的使用示例：半导体单片集成电路、半导体多芯片集成电路、游膜集成电路、厚膜集成电路、混合集成电路。3.3.5
微型组件micro-assembly
由不同的、单独制造的、可在组装和封装之前能进行测试的器件和/或集成微电路组成的微电路。注1：该定义中，器件有外部连接，可能有外壳，也能作为单独的部分定义和出售。注2：进一步的限定术语可用于说明特定微型组件制造用的器件和/或组装技术的形式。限定术语的使用示例：半导体多芯片微型组件、分立器件微型组件。3.4缩略语
下列缩略语适用于本文件。
ASIC——专用集成电路（ApplicationSpecificIntegratedCircuit)；BDS空白详细规范（BlankDetailSpecification）；BICMOS双极互补金属氧化物硅（BipolarandComplementaryMetalOxideSilicon）；CAD计算机辅助设计（ComputerAidedDesign）；CAE一计算机辅助工程（ComputerAidedEngineering）；CECC
mittee);
欧洲电工标准化委员会电子元器件委员会（CENELECElectronicComponentsCom）合同管理处（ContractManagementBranch）；关键过程能力指数（Indexofcriticalprocesscapability）；Cpk
DieShear-芯片剪切；
双列直插封装（DualInLinePackage)；DIL
设计规则检查（DesignRulesCheck）；DyePenetrant(ZYGLO）染料浸透（即荧光透视法）密封试验；EDP
电子数据处理（ElectronicDataProcessing）；电气故障率（ElectricalFailureRate）；电气规则检查（ElectricalRulesCheck）；静电放电（Electro Static Discharge)；砷化镓（GalliumArsenide）；
异质结双极晶体管（Hetero-junctionBipolarTransistor）；高电子迁移率晶体管（HighElectronMobilityTransistor）；—ISO国际质量标准（ISOInternationalQualityRules）；ISO9000-
结型场效应管（JunctionFieldEffectTransistor）；延迟线反射匹配（LineReflectMatch）；电平敏感扫描设计（LevelSensitiveScanDesign）；布局与原理图（LayoutVersusSchematics）；一金属半导体场效应晶体管（MetalSemiconductorFieldEfectTransistor）；MESFET
MODFET
单片微波集成电路（MonolithicMicrowave Integrated Circuits）；调制掺杂场效应晶体管（ModulationDopedFieldEffectTransistor）；平均失效时间（MeanTimetoFailure)；3
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2004MTBF
平均失效间隔时间（MeanTimeBetweenFailures）；平均维修时间（MeanTimeToRepair）；NMOSN沟道金属氧化物硅（MetalOxideSiliconNchannel）：OS操作系统（OperatingSystem）；—可公开提供规范（PubliclyAvailableSpecification）；PAS
工艺控制监测（ProcessControlMonitor）；PDA——允许不合格品率（PercentageDefectivesAllowed）；PM工艺参数监测（ParametricMonitor）；PMOS
-P沟道金属氧化物硅（MetalOxideSiliconPchannel)；POSTCAP封装后检查（InspectionafterEncapsulation）；PRECAP
封装前检查：InspectionbeforeEncapsulation；质量保证（QualityAssurance）；QA
质量一致性检验（QualityConformanceInspection）；合格制造厂目录（QualifiedManufacturerList）；反应离子蚀刻（ReactiveIonEtching）；标准评价电路（StandardEvaluationCircuit）；扫描电子显微镜（ScanningElectronMicroscope）；监督检查机构（SupervisingInspectorate）；绝缘衬底上的硅（SilicononInsulator)；SOLT-
短路开路直通负载（ShortOpenLoadThru）；蓝宝石上的硅（SilicononSapphire）；统计过程控制（StatisticalProcessControl)；硅（Silicon）；
技术批准申报文档（TechnologyApprovalDeclarationDocument)；技术一致性检查（TechnologyConformanceInspection）；可靠性表征结构（TechnologyCharacterizationVehicle）；时间相关（电）介质击穿（TimeDependentDielectricBreakdown）；全面质量管理（TotalQualityManagement）；技术审查机构（TechnologyReviewBoard）；直通反射延迟线（ThruReflectLine）。场效应管的阈值电压（ThresholdVoltageforFET）；ZYGLO
荧光透视法（见染料浸透DyePenetrant）。注：PCM与PM含义相同，PCM是以下章节使用的术语。关于技术可接收程序范围的定义3.5
有关技术批准的定义，见QC001002-3：2005的第6章。4
器件技术的定义
器件技术的范围
系列器件的技术可接收规定范围应包括器件的设计、制造工艺及接口，控制方对接口的整体管理4
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-102004应包括在内。这些工艺和接口应在技术可接收申报文档（TADD）中规定。本部分的相关条款对技术可接收中所列的过程和接口有更详细的要求。以下列出了工艺流程，并识别了主要技术工艺：
工艺表征：
集成电路设计（主要技术工艺）；掩模制造；
晶圆制造（主要技术工艺）；
背面工艺：
晶圆测试；
组装（主要技术工艺)；
测试和放行（主要技术工艺）；包装和运输。
运输包括成品在运送给客户之前的临时贮存。4.2活动说明及流程图
4.2.1活动说明
所有的活动（工艺）都应包括在相关流程图中。这些信息可包括不同类型器件的不同工艺，但这些器件包含相同的技术。适用时，这些宜涉及4.1中列出的所有工艺。集成电路的设计和制造周期可涉及一个或多个有资质的公司或制造厂，这些公司或制造厂在MMIC的“生命周期”内完成不同的工作。MMIC的设计、开发或规范是根据客户的特定需求来进行的，客户可以是外部客户（例如某特定MMIC的用户），也可以是内部部门。主承包商是负责管理MMIC达到规定要求之前的所有任务的机构。4.2.2
流程图
图1中的流程图是体现工艺过程的示例，参照相关的内部文件，定义了具体阶段。5
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CCSL56
中华人民共和国国家标准www.bzxz.net
GB/T20870.10-—2023/IEC60747-16-10:2004半导体器件
第16-10部分：
单片微波集成电路技术可接收程序Semiconductordevices-Part16-10:TechnologyApproval Scheduleformonolithice microwaveintegrated circuits(IEC60747-16-10：2004,IDT）
2023-09-07发布
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会
2024-01-01实施
规范性引用文件
术语、定义和缩略语
单位、符号和术语
标准值和优选值
术语和定义
缩略语
关于技术可接收程序范围的定义4
器件技术的定义
器件技术的范围
活动说明及流程图
技术摘要
分包商控制要求
5MMIC的器件设计
MMIC的器件设计范围
活动说明及流程图
过程的确认与控制
掩模制造
掩模制造的范围
活动说明及流程图
工艺的确认和控制
6.4分包商、供应商和内部供方
MMIC的晶圆制造
MMIC的晶圆制造范围
活动说明和流程图
材料·
工艺的确认方法和控制
相互关系
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2004次
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:20048
MMIC的晶圆测试
MMIC的晶圆测试的范围
活动说明和流程图
测试程序
相互关系
裸芯片交付的背面工艺
裸芯片交付的背面工艺的范围·活动说明和流程图
工艺的确认方法和控制
相互关系
放行的有效性
MMIC组装
MMIC组装的范围
活动说明和流程图
材料、检验和处理
工艺的确认和控制
相互关系
11MMIC测试
MMIC测试的范围
活动说明和流程图
测试程序
工艺的确认和控制
工艺极限验证
产品验证
12工艺表征
工艺表征的识别
活动说明
表征程序
包装和运输
活动说明和流程图
13.3放行的有效性
14撤销技术可接收
参考文献
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AAAaAAe
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GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2004前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件是GB/T20870《半导体器件》的第10部分。GB/T20870已经发布了以下部分：第16-1部分：微波集成电路
放大器；
第16-2部分：微波集成电路
预分频器；
第16-5部分：微波集成电路
振荡器；
第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序。第16-10部分单片微波集成电路技术可接本文件等同采用IEC60747-16-10：2004《半导体器件收程序》。
本文件增加了“规范性引用文件”和“术语、定义和缩略语”两章，请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。本文件起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、装备发展部军事代表局驻武汉地区军事代表室、河南卓正电子科技有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、深圳市良机自动化设备有限公司、漳州和泰电光源科技有限公司、池州市芯达电子科技有限公司、山东省中智科标准化研究院有限公司。本文件主要起草人：沈彤茜、邱钰、谢小品、张瑞霞、刘立新、薛克瑞、彭浩、裴选、高蕾、尹丽晶、洪剑华、邓致超、李明钢。
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-102004引言
半导体器件是电子行业产业链中的通用基础产品，为电子系统中的最基本单元，GB/T20870《半导体器件》为微波集成电路产品标准，是微波集成电路进行研制生产和检验的基础性和通用性标准，对于评价和考核微波集成电路的质量和可靠性起着重要作用，拟由10个部分构成。一第16-1部分：微波集成电路放大器。目的在于规定微波集成电路放大器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。
第16-2部分：微波集成电路预分频器。目的在于规定微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。第16-3部分：微波集成电路
变频器。自的在于规定微波集成电路变频器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。
第16-4部分：微波集成电路
开关。目的在于规定微波集成电路开关的术语、基本额定值、特性以及测试方法。
第16-5部分：微波集成电路
值、特性以及测试方法。
第16-6部分：微波集成电路
值、特性以及测试方法。
第16-7部分：微波集成电路
值、特性以及测试方法。
—第16-8部分：微波集成电路
值、特性以及测试方法。
第16-9部分：微波集成电路
值、特性以及测试方法。
振荡器。目的在于规定微波集成电路振荡器的术语、基本额定倍频器。目的在于规定微波集成电路倍频器的术语、基本额定衰减器。自的在于规定微波集成电路衰减器的术语、基本额定限幅器。自的在于规定微波集成电路限幅器的术语、基本额定移相器。目的在于规定微波集成电路移相器的术语、基本额定第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序。目的在于规定单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。该系列标准等同采用IEC60747-16系列标准，保证微波集成电路产品标准与国际标准一致，实现微波集成电路产品标准与国际接轨。通过制定该系列标准，统一微波集成电路产品的术语定义、基本额定值和特性、测试方法，对微波集成电路的研究、生产、检验和使用具有重要意义，同时补充完善平导体集成电路标准体系，为微波集成电路行业的发展起到指导作用。I
1范围
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2004半导体器件第16-10部分：
单片微波集成电路技术可接收程序本文件规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件，不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
ISO10ooSI单位及其倍数单位和一些其他单位应用的建议（SIunits and recommendationsforthe use of their multiples and certain other units)IEC60027（所有部分）电工技术用字母符号（Lettersymbolstobeusedinelectricaltechnology）IEC60050国际电工词汇（InternationalElectrotechnicalVocabulary）IEC60068（所有部分）环境试验（Environmentaltesting）注：GB/T2423（所有部分）环境试验[IEC.60068（所有部分）】IEC60191-2半导体器件的机械标准化第2部分：尺寸（Mechanical standardisationofsemiconductordevicesPart2Dimensions)IEC60617（所有部分）简图用图形符号（Graphicalsymbolsfordiagrams）注：GB/T4728（所有部分）电气简图用图形符号[IEC60617（所有部分）】IEC60747-1半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则（Semiconductordevices一Discretedevices and integrated circuitsPartl:General)IEC60747-16-1半导体器件第16-1部分：微波集成电路-放大器（Semiconductordevices一Part16-l:Microwaveintegrated circuitsAmplifiers)注：GB/T20870.1一2007半导体器件第16-1部分：微波集成电路放大器（IEC60747-16-1：2001，IDT）IEC60747-16-2半导体器件第16-2部分：微波集成电路预分频器（SemiconductordevicesPart 16-2: Microwave integrated circuits—Frequency prescalers)IEC60747-16-3半导体器件第16-3部分：微波集成电路变频器（SemiconductordevicesPart16-3:Microwave integrated circuits—Frequency converters)IEC60747-16-4半导体器件第16-4部分：微波集成电路开关（SemiconductordevicesPart16-4:Microwaveintegrated circuits-Switches)IEC60748-1半导体器件集成电路第1部分：总则（SemiconductordevicesIntegratedcircuitsPart l:General)
QC001002-3：2005电子元器件IEC质量评定体系（IECQ）程序规则第3部分：批准程序（IECQuality Assessment System for Electronic Component（IECQ)-Rule of procedure-Part 3:Approvalprocedure
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2004QC001005：2000电子元器件IEC质量评定体系（IECQ）程序规则-经IECQ-CECC体系，包括ISO9ooo批准的企业、产品和服务的登记表（IECQualityAssessmentSystemforElectronicComponent(IECQ)-Register of firms,products and services approvedunder theIECQ-CECCsystem,includingISO9000)
3术语、定义和缩略语
3.1单位、符号和术语
在可能的情况下，单位、图形符号、字母符号和术语应取自下列标准：IEC60027：电工技术用字母符号IEC60050：国际电工词汇
IEC60617-DB：简图用图形符号
ISO1000：SI单位及其倍数单位和一些其他单位应用的建议本文件范围内的其他单位、符号和术语应取自规范性引用文件中列出的相关文件。2标准值和优选值
技术可接收允许定制器件或工艺来适应每个客户。因优选值的传统概念应用可以有一定局限性，当采用公认的优选值时，宜使用如电压、温度和尺寸等值，并参考合适的IEC或ISO出版物，即：电压IEC60747-1；
温度IEC60747-1；
—尺寸IEC60191-2。
术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。3.3.1
microclectronics
微电子学
处理高度小型化电路及其应用的科学和工程领域3.3.2
各microcircuit
微电路
具有高密度电子元件、并可作为独立件的微电子器件。3.3.3
集成电路
fintegratedcircuit
将全部或若干电路元件不可分割地连接在一起，并且在电气上互连，以致就结构和贸易而言，就视为不可分割的一种电路。
注1：IECTC47标准中的半导体集成电路通常是指设计成微电路的集成电路、注2：为进一步定义集成电路的类型，可采用限定语，如单芯片集成电路、多芯片集成电路、薄膜集成电路、厚膜集成电路、混合集成电路、混合半导体集成电路。3.3.4
integratedmicrocircuit
集成微电路
为了规范、测试、商业和维护的目的，许多电子元件不可分离地连接在一起，并在电气上互连，且不可分割的微电路。
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2004注1：该定义中，电路元件无外壳或外部连接，也未作为单独的部分定义或出售，注2：在不产生混滑时，“集成微电路”可缩写为“集成电路”。注3：进一步的限定术语可用于说明用于制造特定集成微电路的技术，限定术语的使用示例：半导体单片集成电路、半导体多芯片集成电路、游膜集成电路、厚膜集成电路、混合集成电路。3.3.5
微型组件micro-assembly
由不同的、单独制造的、可在组装和封装之前能进行测试的器件和/或集成微电路组成的微电路。注1：该定义中，器件有外部连接，可能有外壳，也能作为单独的部分定义和出售。注2：进一步的限定术语可用于说明特定微型组件制造用的器件和/或组装技术的形式。限定术语的使用示例：半导体多芯片微型组件、分立器件微型组件。3.4缩略语
下列缩略语适用于本文件。
ASIC——专用集成电路（ApplicationSpecificIntegratedCircuit)；BDS空白详细规范（BlankDetailSpecification）；BICMOS双极互补金属氧化物硅（BipolarandComplementaryMetalOxideSilicon）；CAD计算机辅助设计（ComputerAidedDesign）；CAE一计算机辅助工程（ComputerAidedEngineering）；CECC
mittee);
欧洲电工标准化委员会电子元器件委员会（CENELECElectronicComponentsCom）合同管理处（ContractManagementBranch）；关键过程能力指数（Indexofcriticalprocesscapability）；Cpk
DieShear-芯片剪切；
双列直插封装（DualInLinePackage)；DIL
设计规则检查（DesignRulesCheck）；DyePenetrant(ZYGLO）染料浸透（即荧光透视法）密封试验；EDP
电子数据处理（ElectronicDataProcessing）；电气故障率（ElectricalFailureRate）；电气规则检查（ElectricalRulesCheck）；静电放电（Electro Static Discharge)；砷化镓（GalliumArsenide）；
异质结双极晶体管（Hetero-junctionBipolarTransistor）；高电子迁移率晶体管（HighElectronMobilityTransistor）；—ISO国际质量标准（ISOInternationalQualityRules）；ISO9000-
结型场效应管（JunctionFieldEffectTransistor）；延迟线反射匹配（LineReflectMatch）；电平敏感扫描设计（LevelSensitiveScanDesign）；布局与原理图（LayoutVersusSchematics）；一金属半导体场效应晶体管（MetalSemiconductorFieldEfectTransistor）；MESFET
MODFET
单片微波集成电路（MonolithicMicrowave Integrated Circuits）；调制掺杂场效应晶体管（ModulationDopedFieldEffectTransistor）；平均失效时间（MeanTimetoFailure)；3
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2004MTBF
平均失效间隔时间（MeanTimeBetweenFailures）；平均维修时间（MeanTimeToRepair）；NMOSN沟道金属氧化物硅（MetalOxideSiliconNchannel）：OS操作系统（OperatingSystem）；—可公开提供规范（PubliclyAvailableSpecification）；PAS
工艺控制监测（ProcessControlMonitor）；PDA——允许不合格品率（PercentageDefectivesAllowed）；PM工艺参数监测（ParametricMonitor）；PMOS
-P沟道金属氧化物硅（MetalOxideSiliconPchannel)；POSTCAP封装后检查（InspectionafterEncapsulation）；PRECAP
封装前检查：InspectionbeforeEncapsulation；质量保证（QualityAssurance）；QA
质量一致性检验（QualityConformanceInspection）；合格制造厂目录（QualifiedManufacturerList）；反应离子蚀刻（ReactiveIonEtching）；标准评价电路（StandardEvaluationCircuit）；扫描电子显微镜（ScanningElectronMicroscope）；监督检查机构（SupervisingInspectorate）；绝缘衬底上的硅（SilicononInsulator)；SOLT-
短路开路直通负载（ShortOpenLoadThru）；蓝宝石上的硅（SilicononSapphire）；统计过程控制（StatisticalProcessControl)；硅（Silicon）；
技术批准申报文档（TechnologyApprovalDeclarationDocument)；技术一致性检查（TechnologyConformanceInspection）；可靠性表征结构（TechnologyCharacterizationVehicle）；时间相关（电）介质击穿（TimeDependentDielectricBreakdown）；全面质量管理（TotalQualityManagement）；技术审查机构（TechnologyReviewBoard）；直通反射延迟线（ThruReflectLine）。场效应管的阈值电压（ThresholdVoltageforFET）；ZYGLO
荧光透视法（见染料浸透DyePenetrant）。注：PCM与PM含义相同，PCM是以下章节使用的术语。关于技术可接收程序范围的定义3.5
有关技术批准的定义，见QC001002-3：2005的第6章。4
器件技术的定义
器件技术的范围
系列器件的技术可接收规定范围应包括器件的设计、制造工艺及接口，控制方对接口的整体管理4
GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-102004应包括在内。这些工艺和接口应在技术可接收申报文档（TADD）中规定。本部分的相关条款对技术可接收中所列的过程和接口有更详细的要求。以下列出了工艺流程，并识别了主要技术工艺：
工艺表征：
集成电路设计（主要技术工艺）；掩模制造；
晶圆制造（主要技术工艺）；
背面工艺：
晶圆测试；
组装（主要技术工艺)；
测试和放行（主要技术工艺）；包装和运输。
运输包括成品在运送给客户之前的临时贮存。4.2活动说明及流程图
4.2.1活动说明
所有的活动（工艺）都应包括在相关流程图中。这些信息可包括不同类型器件的不同工艺，但这些器件包含相同的技术。适用时，这些宜涉及4.1中列出的所有工艺。集成电路的设计和制造周期可涉及一个或多个有资质的公司或制造厂，这些公司或制造厂在MMIC的“生命周期”内完成不同的工作。MMIC的设计、开发或规范是根据客户的特定需求来进行的，客户可以是外部客户（例如某特定MMIC的用户），也可以是内部部门。主承包商是负责管理MMIC达到规定要求之前的所有任务的机构。4.2.2
流程图
图1中的流程图是体现工艺过程的示例，参照相关的内部文件，定义了具体阶段。5
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