详见本标准。 GB/T 4728.5-2000 电气简图用图形符号 第5部分：半导体管和电子管 GB/T4728.5-2000 标准下载解压密码：www.bzxz.net

GB/T 4728. 52000
本标准等同采用国际电工委员会标准IEC617-5：1996《简图用图形符号第5部分：半导体管和电子管》。
本标准是对GB/T4728.5--1985《电气图用图形符号号半导体管和电子管》的修订，与GB/T4728.5--1985相比，本标准中增加了05-05-18、05-05-19、05-05-20、05-05-21、05-06-09、05-0916.05-11-04、05-13-11、05-13-12、05-14-03等10个符号，删掉了GB/T4728.5--1985中的122个符号，还有15个符号画法稍有改动。
GB/T4728.5是系列标准《电气简图用图形符号》的一个部分。该系列标准包括如下部分：
GB/T 4728.1
电气图用图形符号总则
电气简图用图形符号
GB/T 4728. 2
GB/T 4728. 3
GB/F 4728. 4
GB/T 4728. 5
GB/T 4728. 6
GB/T 4728. 7
GB/T 4728.8
电气简图用图形符号
电气简图用图形符号
电气简图用图形符号
电气简图用图形符号
电气简图用图形符号
电气图用图形符号
第2部分：符号要素、限定符号和其他常用符号第3部分：导体和连接件
第4部分：基本无源元件
第5部分：半导体管和电子管
第6部分：电能的发生与转换
第7部分：开关、控制和保护器件测量仪表、灯和信号器件
GB/T 4728. 9
电气简图用图形符号第9部分：电信：交换和外围设备GB/T 4728. 10
电气简图用图形符号
第10部分：电信：传输
GB/T 4728. 11
电气图用图形符号
：电力、照明和电信布置
GB/T 4728. 12
电气简图用图形符号第12部分：二进制逻辑元件GB/T 4728.13
电气简图用图形符号第13部分：模拟元件该系列标准的范围及引用标准见IEC617-1修订GB/T4728.1---1985时拟等同采用IEC617-1。IEC617-5：1996的附录B和附录C分别为法文、英文索引，本标准删去。本标准的附录B为GB/T4728.5-1985中增加的、IEC617-5（第1版)中所没有的符号。本标准从实施之日起代替GB/T1728.51985。本标准的附录A和附录B都是提示的附录。本标准由全国电气文件编制和图形符号标准化技术委员会提出并归口。本标准由机械工业部机械科学研究院负责起草。本标淮主要起草人：郭汀、李世林、高惠民、魏巍雁筠、江松柏、徐云驰。本标准首次发布时间为1985年
GB/T4728.5---2000
IEC 前言
1）IEC（国际电工委员会）是包括所有国家电工委员会（IEC各国家委员会）的世界范围的标准化组织。EC规定的日标是促进在电工和电子领域有关标准的各种问题上的国际合作。为此目的和其他活动的需要，IEC还出版国际标准。国际标准的制定委托给各技术委员会。如对所研究的内容感兴趣，任何IEC国家委员会都可以参加标准制定工作。和IEC有联系的国际组织、政府和非政府组织也可参加标准制定工作。根据与国际标准化组织（ISO)间的协议所确定的条件，IEC和ISO密切合作。2）IEC有关技术问题上的正式决议和协议，由那些特别关心这些问题的国家委员会参加的技术委员会所制定，对所涉及的主题尽可能表达国际上的一致看法。3）它们以标准、技术报告或导则的形式出版并推荐国际上使用，在这个意义上为各国家委员会所接受。
4）为了促进国际上的统，IEC各国家委员会承担在他们的国家和地区可能最大程度地应用IEC国际标准的任务。IEC国际标准和相应的国家标准或地区标准之间有任何差异都应在后者中明确指出。国际标准IEC617-5由IEC第3技术委员会（文件和图形符号）的3A分技术委员会（简图用图形符号）起草。
本第2版废除和取代了1983年的第1版并进行了技术修订。本标准的正文基于下述文件：
国际标雄草案（FDIS)
3A/383/FDIS
表决本标推的全部信息可在上表所述的表决报告中找到。附录A、附录B、附录C仅供参考
表决报告
3A/421/RVD
GB/T 4728. 5---2000
IEC引言
IEC617的这-部分构成了简图用图形符号系列的一个部分。该系列包括如下部分：
第1部分：一般信息、总索引、对照表第2部分：符号要素、限定符号和其他常用符号第3部分：导体和连接件
第4部分：基本无源元件
第5部分：半导体管和电子管
第6部分：电能的发生与转换
第7部分：开关、控制和保护器件第8部分：测量仪表、灯和信号器件第9部分：电信：交换和外围设备第10部分：电信：传输
第11部分：建筑及测绘装置图和简图第12部分：二进制逻辑元件
第13部分：模拟元件
该系列的范围及引用标见IEC617-1。上述符号根据将出版的ISO11714-1*的要求设计。所采用的模数M2.5mm，为了使较小的符号更清晰，在本标准中这些符号被放大一倍，并且在符号栏中作了“200%\的标记；为了节省幅面，较大的符号被缩小倍，并在符号栏中作了“50%”的标记。为了便于绘制多个端子和满足其他布置上的要求，按IS(）11714-1第7条的规定，符号的尺寸（例如高度）可以改变。无论符号的尺寸被放大、缩小或修正，原先的线宽不按比例修正。
本标准的符号布置，应使连接线之间的距离是某一模数的倍数。为了便于标注端子的标记，通常选：择2M。为了便于理解，符号按-一定的尺寸绘制，并且在绘制所有的符号时，都统一使用了一样的网格。在计算机辅助绘图系统中，所有的符号均应画在网格内，所用的网格再现在符号的背景上。在IEC617-5第1版附录A中包括的旧符号有一个过渡期，第2版中不再包括这--部分，同时将明确它们不再使用。
附录1B和附录（的索引包括符号名称及其编号的字母顺序索引，符号名称以本部分符号的说明为依据，包括所有部分的符号字母顺序的总索引出IEC617-1给出。有前.尚在国际标准草案阶段（文件3/563/DIS)。58
符号要素
05-01-01
05-01-02
05-01-03
05-01-04
05-01-05
05-01-06
05-01-07
05-01-08
05-01-09
05-01-10
中华人民共和国国家标准
电气简图用图形符号
第5部分：半导体管和电子管
Graphical symbols for diagrams-Part 5 :Semiconductors and electron tubes第一篇
图形符号
形式1
形式2：
形式3：
国家质量技术监督局2000-01-03批准半导体器件
GB/T 4728.5—2000
idt IFC 617-5:1996
代替GB/T4728.5-1985
具有一处欧姆接触的半导体区
垂直线表示半导体区，水平线表示欧姆接触具有多处欧姆接触的半导体区
示出二处欧姆接触的例子
耗尽型器件导电沟道
增强型器件导电沟道
整流结
移到附录A：05-A1-01
用电场影响半导体层的结，例如在结型场效应半导体管
P区影响N层
N区影响P层
2000-07-01实施
05-01-11
05-01-12
05-01-13
05-01-14
05-01-15
05-01-16
05-01-17
05-01-18
05-01-19
05-01-20
05-01-21
05-01-22
GB/T 4728.5—2000
表示绝缘栅场效应半导体管（ICGFET）的沟道导电型
P型衬底上的N型沟道，示出耗尽型IGFETN型村底上的P型沟道，示出增强型IGFET绝缘栅
具有多栅的示例见符号05-05-17不同导电型区上的发射极
带箭头的斜线表示发射极
N区上的P型发射极
N区上的几个P型发射极
P区上的N型发射极
P区上的几个N型发射极
不同导电型区上的集电极bzxz.net
斜线表示集电极
不同导电型区上的几个集电极
不同导电型区之间的转变，P转N，或N转P短斜线表示沿垂直线从P到N，或从N到P的转变点。欧姆接触不应画在短斜线上隔开不同导电型区的本征区（1区），所给出的PIN或NIP结构
本征区位于相连斜线之间。对于1区的任何欧姆接触应在短斜线之间，而不应画在短斜线上
相同导电型区之间的本征区，所给出的PIN或NIN结构
05-01-23
05-01-24
半导体器件特有的限定符号
GB/T 4728.5--2000
一个集电极与一个不同导电型区之间的本征区，所给出的PIN或NIP结构
长斜线表示集电极
个集电极与一个相同导电型区之间的本征区，所给出的PIP或NIN结构
长斜线表示集电极
必要时，可在器件的符号旁加注限定符号或将限定符号作为符号的一部分，以表示器件在电路中的特殊功能或基本特性。
05-02-01
05-02-02
05-02-03
05-02-04
05-02-05
半导体二极管示例
05-03-01
05-03-02
05-03-03
图形符号
肖特基效应
隧道效应
单向击穿效应
齐纳效应
双向击穿效应
反向效应(单隧道效应）
半导体二极管，一般符号
发光二极管（LED)，一般符号
热敏二.极管
05-03-04
05-03-05
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05-03-08
05-03-09
晶体闸流管示例
05-04-01
05-04-02
05-04-03
05-04-04
GB/T 4728.5--2000
变容二极管
隧道二极管
江崎二极管
单向击穿二极管
电压调整二极管
齐纳二极管
图形符号
双向击穿二极管
反向二极管（单隧道二极管）
双向二极管
反向阻断二极晶体闸流管
反向导通二极晶体闸流管
双向二极晶体闸流管
双向开关二极管
无指定形式的三极晶体闸流管
若没有必要指定控制极的类型时，本符号用于表示反向阻断三极晶体闸流管序号
05-04-05
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05-04-09
05-04-10
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05-04-14
GB/T 4728. 5 --2000
图形符号
反向阻断三极晶体闸流管，N型控制极（阳极侧受控）
反向阻断三极晶体闸流管，P型控制极（阴极侧受控）
可关断晶体闸流管，未指定控制极可关断三极晶体闸流管，N型控制极（阳极侧受控）
可关断三极晶体闸流管，P型控制极（阴极侧受控）
反向阻断四极晶体闸流管
双向三极晶体闸流管
三端双向晶体闸流管
反向导通三极晶体闸流管，未指定控制极反向导通三极晶体闸流管，N型控制极（阳极侧受控)
反向导通三极晶体闸流管，P型控制极（阴极侧受控）
半导体管示例
05-05-01
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05-05-03
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05-05-05
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05-05-10
GB/T 4728.5—2000
图形符号
PNP半导体管
集电极接管壳的NPN半导体管
NPN需崩半导体管
具有P型双基极的单结半导体管
具有N型双基极的单结半导体管
具有横向偏压基极的NPN半导体管与本征区有欧姆接触的PNIP半导体管与本征区有欧姆接触的PNIN半导体管N型沟道结型场效应半导体管
栅极与源极的引线应绘在-·直线上一漏极
P型沟道结型场效应半导体管
05-05-11
05-05-12
05-05-13
05-05-14
05-05-15
05-05~16
05-05-17
05-05-18
05-05-19
05-05-20
GB/T 4728. 5--2000
绝缘栅场效应半导体管（IGFET）增强型、单栅、P型沟道、衬底无引出线具有多栅的示例见符号05-05-17绝缘栅场效应半导体管（IGFET）增强型、单栅、N型沟道、衬底尤引出线绝缘栅场效应半导体管（IGFET）增强型、单栅、P型沟道、衬底有引出线绝缘栅场效应半导体管（IGFET）增强型、单栅、N型沟道、衬底与源极内部连接
绝缘栅场效应半导体管（IGFET）耗尽型、单栅、N型沟道、衬底无引出线绝缘栅场效应半导体管（IGFET）耗尽型、单栅、P型沟道、衬底无引出线绝缘栅场效应半导体管（IGFET）耗尽型、双栅、N型沟道、树底有引出线在多栅的情况下，主栅和源极的引出线应绘在一直线上
绝缘栅双极半导体管（IGBT)增强型、P沟道字母E、G和C分别表示发射极、栅极和集电极的端子名，若不会引起混淆，字母可以省略绝缘栅双极半导体管（IGBT）
增强型、N沟道
绝缘栅双极半导体管（1GBT）
耗尽型、P沟道
05-05-21
光敏和磁敏器件示例
05-06-01
05-06-02
05-06-03
05-06-04
05-06-05
05-06-06
05-06-07
05-06-08
GB/T 4728.5-2000
绝缘栅双极半导体管（IGBT)
耗尽型、N沟道
图形符号
光敏电阻
光电导管
具有对称导电性的光电导器件
光电二极管
具有非对称导电性的光电器件
光电池
光电半导体管，示出PNP型
具有四根引出线霍尔发生器
磁敏电阻，示出线性型
磁耦合器件
磁隔离器
光耦合器件
光隔离器
示出发光二极管和光电半导体管7
05-06-09
一般符号要素
05-07-01
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05-07-03
05-07-04
05-07-05
05-07-06
05-07-07
05-07-08
05-07-09
05-07-10
推荐形式
其他形式
推荐形式
其他形式
GB/T 4728. 5-2000
具有光阻挡槽光耦合器件，示出机械阻挡第二篇
充气管管壳
有外屏蔽的管壳
管壳内表面导电涂层
间热式热阴极
直热式热阴极
间热式热阴极热丝（子）
热电偶热丝(子）
光电阴极
冷阴极
离子加热阴极
作为阳极和/或冷阴极的复合电极符号引出线可以水平绘出。见符号05-14-0267
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