IEC 748给出了有关集成电路的标准，应与IEC 747-1一起使用。 GB/T 16464-1996 半导体器件 集成电路 第1部分:总则 GB/T16464-1996 标准下载解压密码：www.bzxz.net

1cS 31.200
中华人民共利和国国家标准
GB/T16464-1996
1EC 748-1:19B4
半导体器件
集成电路
第1部分：总则
Scmiconductor devices
lntegrated circuits
Part 1: General
1996-07-09发布
国家技术监督局
1997-01-01实施
第：篇1EC748号标准的范围和谢明1范固
3说明
第1箱
3说司
巢 TF 葡
IE心74B-1号标准的目的和说明
[EC7482号，IEC748.3号等标准的目的，说明和要求通用术语
一股名词术语
器件类显
策或电踏的范位特性
工艺语…
模来成电跑和混合膜来感电路器件类型约术评.
第面通用文宇符号
1.基本字持号
2数字成电账起下标
2.1电压和电
2.2开关时间
3树拟莱成良路的下标
第孔箱关于至本颤定估和电特性的一酸规定引
2介销发布资料的标准格式以及挡述策成电路基本额定值、特性和功能规范的年法2.1个绍发剂资料的标降格式..
2.2插述来感电路：本额定慎，电特性和功能规范的方法.…3“额定值“时作本定义
4冷却杀件的定义
优选报度一览表
G忧选心压一览装
6.1用于推荐工作条件的优选标称电压宽表6.2电压充许偏差
7机或额定值.特述和共他资料…3产品的商做生和-致性
印步和印制电路
适月于所有种类案成电路的规范格式10
10.1总.5.
胡关应用的拥适
功能规范
极限值绝最大额定值）
工作条件
电持性
编保（适月时）
10.8机技和环境辆定持性和其他缺科.10.9附加资科
第箱通用测试方法
一疑法悉打顶，
？测试方法能具体要求·
3测试有法的编号体系·
3.1编号城则
32来或电路便试方法的编号表...3.3应用表格.
悠江·
第1节
第2节
热成电路的验收和可靠性
一般原虾
电耐久性试验
目的和说明一
·般要求··
也试验条件…
试验的持按时间…
实效判定特性和测试.
大效判据
注意事项
3特群要求
3.1久生试验衰-
3.2谢久生试验象件
.......
3.3耐久生试后，临收的失效判定待性和尖效判据3.4可吸性试验的失效划定持性和先效判据....3.5课式时处回程序
静电敏感器件
第工商
中华人民共和国国家标准
半导体器件集成电路
第1部分：总则
Senicanductor devices
Integrated rircuits
Part 1ifeaerai
CB/T164641996
TFC 748-1,1984
本标准等同采用国际电工委员会标准IEC7481110846半导依器件维成电路第1部分总则3托包括1991年第1号峰改些和1年第2号修改单的内容，第I篇IEC74B号标准的范围和说明1范围
IFC748给出了有关典成电路的标准，应与IEC7471一起慢用。2说明
IFC:748由分别颁发的IEC了18-1号，EC748-2号等儿项标摊组成。通过发布补充标准（IEC748-2A1来谨应发展的范要。
第 篇[队748-1导标准的目的和说明1总剩
IEC748-1号标准显74日号标准的退用部分，和EC747-1号标准的有关条救一起构成来成电缩的源用规定，
固此，IEC了71号标准的所有条款只要用于裂成电骼即可引用。2自的
提供有关IEC74R号标准的范围利说熙的通用内容（见第！笃)。供适用于1EC748-2号，748-3号等各类或各分类期成电路标准的一般原购或要求3说明
有关般原则或要求的内容在本标准的第I至第倡篇中治于说明。注，本标准第1手第订英的内率，需■需;关于IFC 748-2 号,74B-1号再标荐的目的,用和要求用用通用术店
除了IEC747-1号娠准第N期中已经给出的术语外，还包悔一床列有关素凹路的美本术语和定文，第：通用文车
国家捷术监需感1996-07-09批准1997-01-01
GB/T16464-1996
陷了747-寸标维等！领丝络山的文学符外还热定了造引十类或电轻的文字许号体系。第将：关于术就定拍动比持性的股现定提供与关心热比放要求的道用递款（不可于747-专标准1而7有立带件的排应案款，新品临：适用测年方站
说引测试方法的编孕体系和应我格，提供集成电路新有险定方法内一览表弟的瑞：集成比降的收改和可事性欢集血心路的总的要求并各举就务类素点降应给出的持殊要求作了说明，第1落1EC7482号.1EC748-3号等标准的目的、说明和要求（尚在考患中）注：地4准的第
第W篇通用术语
7用I：7?-1专标准第N端1适用于来成电路的有关条款，未在IE74?.1中给出的其它必要的道名术是义在下面的第1宽旁2中列出。为了完整起见,C\471号标准中一些基本多词光语和实义在这压再菲求少。1一般名调术语
1.1（卡导体器件的)出端tcminal(of sericonduetprdevice)(联复IEc 77-1号标生第然3. 1条>
现定的外部有效的连接点。
注；该定义正在惨改，
1.2（半导体器件的）电段nrle（faemilrrJevi）重复EC号标准篇\箱载3. 2条
在半导体器件的规定郑位与接到引出端上的引线之卵进供电接触的部分。计：论定义正在将政力，
1.3空销biarkerminal
股有内部述指担可以作外部车线的支择尚不半指器件功能的引出近，只要在该端范加（通过该的电不诺过也路的求高电献出巨的额定值，注：路有内
2好弟充作据加教可的率压，用于说明，14非可用-l
正常应用时不应剂的引H端该引出端可以有也以没有内连变。注缩写为NU，
1.5微电子学microelerlrorics
高度小型化电子续路及其应用的科学和工部滋感，1.6集成电子学integratedcluctrorics莱成电路的设计，制造和应月的工技术1.7集成以路的镇实特生
三：标恶中的文下符仅量单负，以表示具伴情择性持文花号2如向组或的，印仁带有下标的其一电压支电流的文字号增加一标非的附一示，1.7.1领定态latel-upsle
定一可逆状态，触发等生四尝双极结构的输入，翁或电源过产生，低凰抗面路的状态，在此状盗维持所产牛的电涨.
1. 7- 2 定 lal up
产生简定态的过程。
CD/T164E4.-:1996
173定（源流（u:ourlatch-upstaesupplgcurrent当象成电路处干锁定状态时，流人或流出荣成电路越定电源引止端的电动。1.7.4锁定态保特电流电流。7.5实态（电源）E(VrVo）iarea-upatatetsupalyvoltage当东成电路处十锁定悉时，在即定的电源电施下，释件对应山端间的电源电压。1.7.6馈乐电(.,I）lateh-up rurrcr.t产生销定的流人或道出集成电踏规是引出端的规定期间内的最小高流。1.7.7锁定正(VxVun）Jateh-uFvoltage产室锁定约施加在成电路规定引出端的规家期叫内的轻小电压，锁定电源出Irxkfutlatehur:supolycurrent产生实的统入减流凹类成电陷规定巴源引出端的规定期间内的最小电流，.7.9锁定电源电正(Va:m..Vxi）lateh-apsupplyvoltagc产尘电路赖定的施划在策成电路件相应引出端的规定期间内的良源电压的母小值。2器件类型
2.1半导体我件semiroaducordrvire量复[Ec747-1号标准年篇第4.1条】减本特生取决小半号伴内载随子击动的一器件，2.2微电临merucinmil
具有商密度电阶元件证或部件.井可作为独立牛的效电子.器件2.3东总电路integrated circuit将全部或若千电路元件不可分割地联在：起，齐日在自气上互连，以致就短构印贸象而言，礼视为不可分制的一种电路，
法：1有关半导体集盛电降的代了标准的案或电路--慢均设计宽察电路的表成生路，2为了延一步定义集成电够的特性，可采难限定决，车片策成电路；
多片特成电路：
-率腾单成电路：
海合满集成电陷；
派合华导体英成山略.
24半子保柔减电路geminnminriniearitrriircuin设计成策成电路的单导体器件。2-5羊片集成自路single.ehig integratedeircuit仅包否一个芯片的半导体禁感电路。2.6片英城u路muli-maipingratrutiruit包含有则个或多个选片的半孕体集也资。2-子樊策成电路Filmirtegratedcircuit电降元件（色括互连）是在绝缘片费面上形成的膜单元的集成电路，注：情单元可以是有说或无源的。2.S混合第成泉路hybrid inregreted cireui:3
CB/16464—1996
出两个或表个第成元件，分文元件或两者的组合形皮的柴成心路。法：为识别茅一其牛类型的宠仓然皮电防，可加谢奶函定词【如映，并应卒出其持定定文，3集或电路的摘位特性
3.1输人羚位电流(i）inpuilninpingcurrent在用以限制凸压幅實的小微分精入电阻上的翁人电范。3.2拍出拍电流（Ic）ouputelampingrurren在用以制电压概度的小微分输出电阻上的输出电流。3.3输入籍位电压(V.）inputclampingvolthge在用以限制电压幅度的小微分缩入电阻上的输人电压。3.4输出箱电压(Vor）uutpmllampingvolceg在用以取制电压幅度的小微势输入电旺上的筑出电巨。引工艺术语
4.1【膜集成电略的>膜ilntofmtilminrcgratedcireu:t】以任何一种湾积工艺，在基片上成金淀机了其他膜的基片三形成的固体材料层，42（膜巢电路的薄膜thinfilm(ofafilniinutegralelrirtuit）用被射、汽椎旋积等安长工艺产牛的漠4.3（膜渠就电路的>厚膜thickflm(offilmintegravedaircuia）以丝问段制或其他相关技术产生的膜。1.4镀膜plated Film
过化学杆[戒电化学淀积所得到前膜。4.5箔foil
不依快基片能够独立恶街工的医体材料层。4.6多房（连）膜自路mulrilayer(connection）ilncireni至少用一层的缘腹或像商并的多层膜互逆的电路。4.7保护涂JirotectivEcpating
一种随加在电路元件表作为机披和环境保护和防止污染的笔缘材料层。4.8封cmbedding
采用能够固化的树脂形家电子组件的包封任的工艺，例好，
一注塑：
热楼压
4.9汽柑淀积技术
vupouiphasrdepogstiontechnique采用物理促积或化学反应方法，将呈产相状源的材料淀职在周体表面上，以形成导体膜.绝录或半导体魔的技术。
4.10融射sputtering
采邪高于轰炸从一国态源释放粒子以在邻还表面淀剂，使其形成薄膜的工艺4.11丝网印制技术surecn-printingtechnique通过丝阿把炭料压印到体表面以形成导体获、绝缘膜或半导体股的淀机装术。4.12（燃集成电路的）基片snlxstrite(ofefilm iategraredcircuit）4
CB/T16464-1996
构成支撑膜电路元件和（或)外贴元件能伴的片状材格，5膜集成电路和混合总集成电路器件类型的术语5.1混合膜奥电路hybridfilm integrated circui主要电路元件是基片上的膜元件形成的膜策感电避·且在基片.上或封装中其他地方安装外贴元件树虚的一种电路。
5-2很合半导体成电路hybridsemieandurto:ncegratedcircuit主要电路元件是半导体电踏元件形虑的半导体兜冠电路与封装中的附加元作构成的一种电路。5-3无源混合腰菜成电路pa6sivehyhrid filmincegrllerdcircuii所有电路光件均是无源元件的浪含膜需成电路，5.4有源混合脑集成电路activehybridfilmintegratedcircuit至心有一个电路元件为存源的混合膜集成电路，5.5膜然成电路thinfilm integrated circuit电路元件为薄膜无件的膜巢成电路，住，通常膜元件定出直空施积志术或其也疫想技术形成的，5.6膜单安电陷hick-jilminterruledcirruiu也路元件为厚膜元件的膜巢成电路，第Y等通用文字符号
1基本文宇特号
EC了4了-1号标准第V篇第2率，第3章和第4竞巾涉及到的奎本文半符号均可成用。有关下标的规定由下雨的第？录给出。
2数学集成电路的下标
2.1电压和电池
2.1.1第一下标
农示电垂数的测试端，
满的案型出下列符专之一迅到；1一输人端
O或Q-辅出瑞
注：1“上列符号是不全雨的。
“对于电激均，市展双下标表示的也有用下标字母P双S表示的，目情尚不谢确定。2. 1. 2 第二下标
表示引出端电压的电平范用。
H安示自平的量高止范因
1.表示电平的最候正范围
社，这个规则不仅适用于毒示也压的本字母，也读用于表求电流的字母2.1.3第三下标（需要时）
表示电孝数的规定值，该电参数是用基本文字符导表示的，推荐下标
A一电整葱围的整大正值（能小质值）R工电然教范围的居小正值（段大负值）5
GBT16464—1996
江：1给生【这种摘存下标的使小示忽2转换间能出我号\m\m\这须说习它门的含义例如效，对享率），2.1.4外充资料
就电流而，可催带要给出电需的测试条件的补充资料。例妇，在及电源电乐为规值下的+ .
2.2千关间
2.2.1第一下标
图1下标A和B的使用示例
为了区别不间的开关时商、下列下标之一“应作为第·下标，P-—传
13—-距这
T—导换
2.2.2第二和第三下标
在第、下标的后面，月两个享母的期合表示状态的变化.即为第二英币下标：HI.表示时闻是在脉冲的下降沿测试的LH表示时间是架踪冲的上并没期试约生，为资创很通，和]，薪再大孕字再，第一下标也同时使用大写亨母，2-2.3其他下标
-—建立
一分辨
2. 2. 4 至一以择列
对于“上·从“排列的文享标试，不需附加文符号，如果认女必要，可给文宇标训加上\主--从“释作为“士一以\拌列的参标记。6
3模拟集成电路的下标
度TFC748-3号标汇
GD/T.16464 1996
第 训篇关于基本额定值和电特性的一般规定1引
元EC47-1号标消第日篇势1率。
2计超发布资料的标准格式以及描述集成电路基本题定值、电特性和功能规范的方法2.1个绍发资料著标准格式
-1号抹追第0益就2
2.2描述架或电路药上本刻定值，电持性社功能挑范的左法2.2.1总
荆成路，包括多功能荣成吗降（MF的菌产颜实算，也持性和基本功能规范将在发本资料规定，这些发市资料可能担期单究功能块（E)的燃念以羊独文性的形出出现MF可以通过纠实它的UFB加以识别。性，IEC719号标准中原有的举以也基本定位、也特性和助能规范对UFE止是自的，现行标准中尚术包括的有差UFB的基本额定值、电烂和功能规范方面的新内容格在以后增补。2.2.2分类
所有功能，无论忘复杂，都可以利用单元功能实(L:F)药摄您来指述单元功能快CFB
染放电路中执行某一功能的最小部性，可以单独定义，也可以直接进行特性措述，评定和试验。让，一个单元功能决本身出可以由至小的动能决期品，批这更小的动能技不能血轴行评定和（或识验。小规破电路可以鼓范义为牛元功能块，例则，门.出发器群好。ATAC
数字1/0
模期1/0
CB/T 16464-1996
担制器
Mfise.1,ro
图2单光功能块示例
现弱可响控
RAM &ROM
单元功能块可能存在几神不同的布（配）整形式。如策FB被互连成者是可缩程的，则策或电路是多功能的。此外，常成也路是多功能的还是混台协能的，敢决于UFB的性质，可以采用下面的定义：多功能集成电路（MFIC）
一种包含若半单元功脂挑的策成出路，其中某些单元功能块互连后可执行某一更复杂的功能：或老至少包含一个其功能在选择不回的外部控制戒不同的编强输入时可以收查的单元功能块的集成电端，或老同时包含效两种单光功能块的单成也路。注，定义中种情况的区业可诺是镇阴的，罚自本宗文中带二种请况的电站可以通过加一限室同“可偏再“予以区别。
多重同功能巢感也路
一种包含组相向单元功能块的熟成电路，这些单元功能块是彼此独立的，注：多集成电路可能包含药合求劝能期成电路定义中的动隆块。混合功能集成电站
一种也含若干不同单元功能块的案成电路，这些单元功随块彼此不连按。陆，这些单元块中的~个或多个也可以被夏制而或为多功随。2.2.3方法
基本薪定慎，电特生和功能规范的一般格式对予本篇第10章中给出的所有MFIC部是适用的。柔一具体MFIC的等车额定值，电技性功能规范应根据组成它的UFB的菌本额定值，电特性和功能规危来确定；
3“阅定值\的基本定义此内容来自标准下载网
见IEC747-1号标推第M笃第3竞
4冷却条件的定义
GB/T16464—1996
见IEC747-1号标准第筛第4章
5优选温度一览表
用于确定慎拟电路和数宇电路额定值的温度应从下表中送取65-55C-46C25C—[email protected]
注！55C.15c℃.175C和20C℃只适用于包存组度6优选电压一览表
6.1用小推工作希件的优滤标称电压一览表，数字电路
用于挫荐工作条件的电压应尽可储地从下表中取：双最型电路：1.5V5.0V5.2V(只适用于ECL电路）12V.15V江，注些位不适于期或性人式逐盘电路(I\工),对于这种电陷目前尚焰给出优迹电医.M0S 电路.1.3 V1.5 V3.0 V.3.3 Vr5.0 V12 V,15 V.18 V24 V.当不能使用上列电压时，些议从下表中选取：4.0 V:5.U V3.0 V30 V.48 V+100 V.注，当开发新技术时，建议从上列试选电压表中选取电源电压，b，模报电聘
带于推荐工作条件的心压度尽可能地从下表中选取：1.3V1.5V;3.0V3.3V4.0V5.0V+6.0V.0V12V.1V.18V24V.30V3648V.100
e，接口电路
用于推伴上作条件的电压应尽可能从下表中选收；1.3V1.5V;3.0V;3.3V:4.0 +5.0V5.2V(仅读用于ECL电路5.0V,9.0V,12V,15V18V2430V:36V:48V100V
6-2电压允许确券
下列推荐的正负允许确适用于所有类型的集成电路：0.3V5X10.20%.
标你值的上充许偏整和下充许偏差，即正允详偏差和负充许偏差不必：定相周，注，用逆时试本示的电源功车电压偏基，可雅化出最接的十进制数。7机地额定值、特性和其暂资料
适用时，见TEC747-1号标准第V微第？章。8产品的离性和一致性
见IEC747.1号标准第V第11章.
S印制线和印制电路
见IEC747-1号标准第1m筹12章，3
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